• International Journal of Advanced Culture Technology
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• 제8권2호
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• pp.283-288
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• 2020

This study investigated the purification process of groundwater contaminated with zinc and arsenic using a permeable reactive barrier with a zero-valent iron/pumice mixture. We determined the removal rates of the contaminants for 30 days. In this study, column reactor filled with the zero-valent iron/pumice reactive mixture was used. Experimental results showed that the mixture exhibited an almost complete removal of the zinc and arsenic ions. Arsenic was removed via co-precipitation and adsorption processes while zinc ions were asorbed in active sites.The purification process of water from the metal ionscontinued for 30 days with constant hydraulic conductivity because of the enhanced porosity of the pumice and interparticle distance between the zero-valent iron and pumice. Contaminants removal rates and the remediation mechanism for each reactive system are described in this paper.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2013년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.135-136
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• 2013

본 연구에서는 ripple 구조의 ZnO 박막을 역 구조 태양전지 내에서의 전자 수집층 으로 사용하였으며, $P3HT/IC_{60}BA$와 PEDOT을 각각 active layer와 정공 수집층 으로 사용하였다. zinc acetate의 농도 조절을 통해 다양한 두께와 roughness를 갖는 ripple 구조의 ZnO를 합성할 수 있었으며, hot plate위에서의 온도 조절을 통해 저온에서의 ZnO ripple를 합성할 수 있었다. 다른 농도를 사용해 합성한 ZnO ripple들 보다 0.6M의 zinc acetate를 사용하였을 때 가장 높은 power conversion efficiency (PCE) 와 external quantum efficiency (EQE)를 보여주었다. AFM과 SEM 분석을 통해 0.6M의 zinc acetate조건에서는 표면적이 가장 넓으면서도 다른 농도를 사용 하였을 때에 비해 상대적으로 ripple의 깊이가 더 깊은 표면을 갖는 ZnO가 생성됨을 알 수 있었다. 이는 상대적으로 넓은 surface area를 갖는 ZnO ripple과 active layer 계면사이에서 보다 용이한 charge transfer가 이루어 질수 있기 때문이다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.389-392
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• 2009

Metal oxides have been proposed as an alternative channel material to hydrogenated amorphous silicon in thin film transistors (TFTs) because their higher mobility and stability make them suitable for transistor active layers. Thin films of indium zinc oxide (IZO) were deposited using a High Target Utilization Sputtering (HiTUS) system on various dielectrics, some of which were also deposited with the HiTUS. Investigations into bottom-gated IZO TFTs have found mobilities of 8 $cm^2V\;^1s^{-1}$ and switching ratios of $10^6$. There is a variation in the threshold voltage dependent on both oxygen concentration, and dielectric choice. Silica, alumina and silicon nitride produced stable TFTs, whilst hafnia was found to break down as a result of the IZO.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2009년도 춘계학술발표대회
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• pp.25.2-25.2
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• 2009

최근 아연산화물과 같은 무기산화물 박막 트랜지스터를 디스플레이의 구동 소자, RFID, 스마트 창으로 활용하기 위한 연구가 많이 이루어지고 있다. 특히, 산화아연 박막 트랜지스터는 기존의 비정질 실리콘이나 저온 제작된 다결정 실리콘을 active layer로 사용해 제작된 소자에 비하여 AMOLED나 AMLCD를 구동하기 충분한 전자 이동도, 환경적으로 안정한 특성을 보이고 비교적 저렴한 가격으로 제작 가능하며 넓은 밴드갭으로 인하여 가시광선 영역에서 투명한 특성을 보인다. 본 연구에서는 Zinc acetate dehydrate를 전구체로 사용하고 ethanolamine 을 솔 안정화제로 사용하여 간단하고 경제적인 솔-젤 방법을 통하여 Zinc Oixde (ZnO)를 active layer로 사용한 박막 트랜지스터를 제작하였다. ZnO 박막 트랜지스터는 전구체 용액을 기판 위에 스핀 코팅한 후 열처리 과정을 통하여 제작되었고 제작된 ZnO 박막 트랜지스터는 가시광선 영역에서 높은 투과도 (>90%) 를 보였다. 산화 아연 박막 트랜지스터의 특성을 향상 시키기 위하여 전구체 용액의 농도 조절, ZnO 박막의 두께 조절, 열처리 온도의 조절 등과 같은 연구를 수행하였다. 여러 공정 조건의 변화를 통하여 최적화된 ZnO 박막 트랜지스터는 전하 이동도가 9.4 cm^2/Vs, sub-threshold slope이 3.3 V/dec 그리고 on-to-off current ratio가 5.5${\times}$10^5로 디스플레이 소자를 구동하기 충분한 특성을 보였다.

• 한국재료학회지
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• 제33권4호
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• pp.159-163
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• 2023

Zinc-ion Batteries (ZIBs) are currently considered to be effective energy storage devices for wearable electronics because of their low cost and high safety. Indeed, ZIBs show high power density and safety compared with conventional lithium ion batteries (LIBs) and exhibit high energy density in comparison with supercapacitors (SCs). However, in spite of their advantages, further current collector development is needed to enhance the electrochemical performance of ZIBs. To design the optimized current collector for high performance ZIBs, a high quality graphene film is suggested here, with improved electrical conductivity by controlling the defects in the graphene film. The graphene film showed improved electrical conductivity and good electron transfer between the current collector and active material, which led to a high specific capacity of 346.3 mAh g^-1 at a current density of 100 mA g^-1, a high-rate performance with 116.3 mAh g^-1 at a current density of 2,000 mA g^-1, and good cycling stability (68.0 % after 100 cycles at a current density of 1,000 mA g^-1). The improved electrochemical performance is firmly because of the defects-controlled graphene film, leading to improved electrical conductivity and thus more efficient electron transfer between the current collector and active material.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2018년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.142.1-142.1
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• 2018

This research presents a new field effect transistor (FET) by using liquid crystal gate dielectric with remote gate. The fabrication of thin-film transistors (TFTs) was used Indium tin oxide (ITO) for the source, drain, and gate electrodes, and indium gallium zinc oxide (IGZO) for the active semiconductor layer. 5CB liquid crystal was used for the gate dielectric material, and the remote gate and active layer were covered with the liquid crystal. The output and transfer characteristics of the LC-gated TFTs were investigated.

• 한국자기공명학회논문지
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• 제22권4호
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• pp.144-148
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• 2018

Catalytic enzyme Pyrazinamidase (PncA) from Mycobacterium tuberculosis can hydrolyze substrate pyrazinamide (PZA) to pyrazoic acid (POA) as active form of compound. Using NMR spectroscopy, pH-dependent catalytic properties were monitored including metal binding mode during converting PZA to POA. There seems to be a conformational change through zinc binding in active site from the perturbation of peak intensities in series of 2D HSQC spectra the conformation changes through zinc binding.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.209.1-209.1
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• 2015

Indium gallium zinc oxide (IGZO), indium zinc oxide (IZO) 그리고 zinc tin oxide (ZTO) 같은 zinc oxide 기반의 산화물 반도체는 높은 이동도, 투과도 그리고 유연성 같은 장점을 갖고 있어, display application의 backplane 소자로 적용되고 있다. 또한 최근에는 산화물 반도체를 이용한 thin-film transistor (TFT) 뿐만아니라 resistive random access memory (RRAM), flash memory 그리고 pH 센서 등 다양한 반도체 소자에 적용을 위한 연구가 활발히 진행 중이다. 그러나 zinc oxide 기반의 산화물 반도체의 전기 화학적 불안정성은 위와 같은 소자에 적용하는데 제약이 있다. 산화물 반도체의 안정성에 영향을 미치는 다양한 요인들 중 한 가지는, sputter 같은 plasma를 이용한 공정 진행 시 active layer가 plasma에 노출되면서 threshold voltage (Vth)가 급격하게 변화하는 plasma damage effect 이다. 급격한 Vth의 변화는 동작 전압의 불안정성을 가져옴과 동시에 누설전류를 증가시키는 결과를 초래 한다. 따라서 본 연구에서는, IGZO 기반의 TFT를 제작 후 plasma 분위기에 노출시켜, power와 노출 시간에 따른 전기적 특성 변화를 확인 하였다. 또한, thermal annealing을 적용하여 열처리 온도와 시간에 따른 Vth의 회복특성을 조사 하였다. 이러한 결과는 추후 산화물 반도체를 이용한 다양한 소자 설계 시 유용할 것으로 기대된다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제34권3호
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• pp.983-985
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• 2013

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제35권1호
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• pp.280-282
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• 2014