본 논문에서는 900MHz의 ISM대역에서 사용가능한 통신방식 중 직접확산방식의 무선데이터 송수신 시스템을 제안${\cdot}$구현하였다. 특히 송수신기 간에 양방향 통신이 가능하도록 설계함으로써 900MHz 대역의 RF-ID 시스템과 같은 능동형 시스템으로의 확장이 가능하도록 하였다.
In this paper, a possibility of building various types of RF passive components using the silicon micromachining technique has been examined with special emphasis on the wireless and mobile communication applications. Silicon micromachining technique is compatible with conventional silicon IC process and could provide a possibility of integrating base-band signal processing units and RF passive and active circuit components all in one silicon wafer rendering implementation of system-on-chip paradigm for future mobile and wireless communication systems.
최근 투명 산화물 반도체(TOS: Transparent Oxide Semiconductor)중에 비정질 산화물 반도체(amorphous oxide semiconductor)를 이용한 트랜지스터 연구가 활발히 진행되고 있다. 비정질 산화물 반도체는 박막 트렌지스터 소자의 Active Layer으로 사용할 수 있다. 본 연구는 RF magnetron sputtering법으로 유리기판 위에 IGZO박막을 증착하였다. 박막 증착 조건은 초기 압력 $3.0{\times}10^{-6}$ Torr, 증착 압력 20 mTorr, 반응가스 Ar 50 sccm, RF power 30w, 증착 온도는 실온으로 고정하였으며, 공정변수로 증착 시간을 변화시키며 IGZO박막을 증착하였다. IGZO 타겟은 $In_2O_3$, $Ga_2O_3$, ZnO 분말을 각각 1:1:1 mol% 조성비로 혼합하여 소결한 타겟을 사용하였다. XRD 분석결과에 따라서 Bragg's 법칙을 만족하는 피크가 나타나지 않는 비정질 구조임을 확인할 수 있었다. 가시광 영역에서(450~700 nm) 모든 박막은 90% 이상 투과도를 나타내었다. 증착시간이 증가할수록 밴드갭이 감소하는 것을 확인하였다. 증착시간이 5분인 경우 캐리어 농도는 $2.2{\times}10^{19}$$cm^{-3}$, 이동도는 7.5 $cm^2/V-s$, 비저항은 $3.8{\times}10^{-2}{\Omega}$-cm의 반도체 특성을 나타냈고, 박막 트렌지스터 소자의 Active Layer으로 사용할 수 있다.
이동통선 서비스가 확장됨에 따라 인접 기지국간의 간섭이 증가하고 그에 따른 IMD(Intermodulation Distortion) 문제도 증가하여 Active IMD뿐만 아니라 Passive IMD(Passive Intermodulation Distortion)에 대한 문 제도 함께 부상하고 었다. 따라서 본 고에서는 대표적인 RF 소자 중 동축선에서의 PIMD의 발생기구의 분석을 위하여 다양한 도금 두께와 도금 재질을 갖는 어랩터를 설계 및 제작하였다. 제작된 어댐터 측정결과 1M 발생 수준이 도금 재질의 전도율, 소자의 구조, 도금 재질의 두께. Aging현상 등에 의존함을 확인하였으며, 도금 두께의 변화와 재질의 변화를 통해 PIMD 발생기구를 분석하였고, PIMD의 제어기술 방안을 검토하였다.
본 논문에서는 역지향성 능동배열 안테나용 2-포트 주파수 혼합기를 설계 제작하였다. 역지향성 안테나는 임의의 방향에서 입사하는 전파를 그 방향으로 되돌려 복사시키는 안테나 배열 시스템으로서, 주파수 혼합기는 반사파가 입사 반대방향의 파면(wave front)을 갖기 위한 공액변위기로 작용된다. 2-포트 주파수 혼합기에서는 RF/IF 신호가 동일 포트를 사용함으로써 입력단의 신호 결합회로를 사용하지 않아도 되는 장점을 갖는다. 비선형소자는 p-HEMT가 사용되었으며, -10㏈m의 LO 전력에서 변환손실 -l㏈와 RF 전력 -15㏈m의 1-㏈ 억압점이 측정되었다.
플랫폼과 이탈방사체가 동적인 상태에 있는 교전 시나리오에서 지상 추적 레이다에 대한 이탈방사체의 재밍/기만 효과를 분석한다. 플랫폼의 운동과 주변 간섭 유동장에 따른 이탈방사체의 궤적을 6자 유도 운동 방정식을 이용하여 해석한다. 실제적인 교전 시나리오에서 플랫폼과 이탈방사체의 운동 변화 및 이탈방사체의 RF 성능 변화에 따른 지상 추적 레이다에 대한 재밍 성능을 분석하며, 효과적인 지상 추적 레이다 기만을 위한 이탈방사체의 재밍 영역을 도출한다.
본 논문에서는 자동요금 징수 시스템(ETCS : Electronic Toll Collection System)의 RSE와 OBU 간의 RF link설계와 도로의 폭과 진행 방향 길이에서 적절한 통신 영역을 얻기 위해 요구되는 안테나의 빔 패턴 특성을 분석하였다. 이 과정은 능동형 DSRC를 기반으로 하는 ITS 서비스의 시스템 요구 규격을 결정하기 앞서 수행되어져야 하며, ETCS 기지국 설계 및 구축에서 가장 기본적이고 중요한 기술적 분석을 위하여 고찰하였다.
In this paper, we propose a new RF education system using real module that engineer apply at actual companies and laboratories. The proposed system provides beginner and college students with a real effect of RF hardware education. The Optimized RF education system we present is made up of a real passive module, active module, mobile communication module, DSP based system.
Currently, graphene is a topic of very active research in fields from science to potential applications. For various radio-frequency (RF) circuit applications including low-noise amplifiers, the unique ambipolar nature of graphene field-effect transistors can be utilized for high-performance frequency multipliers, mixers and high-speed radiometers. Potential integration of graphene on Silicon substrates with complementary metal-oxide-semiconductor compatibility would also benefit future RF systems. The future success of the RF circuit applications depends on vertical and lateral scaling of graphene metal-oxide-semiconductor field-effect transistors to minimize parasitics and improve gate modulation efficiency in the channel. In this paper, we highlight recent progress in graphene materials, devices, and circuits for RF applications. For passive RF applications, we show its transparent electromagnetic shielding in Ku-band and transparent antenna, where its success depends on quality of materials. We also attempt to discuss future applications and challenges of graphene.
본 논문에서는 동작영역(dynamic range)을 고려하여 주파수 변환부에 높은 변환이득(conversion gain)과 선형성을 확보하면서 동시에 동작영역을 넓히는 설계방법을 제안하였다. 슈퍼헤테로다인 방식의 RF Front-End단에 능동혼합기(active mixer)를 적용하였으며, GaAs소자를 사용하였다. 회로구성은 설계가 용이하고 회로형태가 단순한 장점이 있는 드레인 혼합기로 구성하였으며, 수동 혼합기와의 동작영역을 비교,분석하였다. 시뮬레이션 결과 약 2.4dB의 변환이득과 0.2dBm의 이득-압축점, 그리고 71.9dB의 동작 영역를 나타내었으며, 수동혼합기와 비교하였을 때, 약 6dB의 동작영역이 개선됨을 확인하였다. 측정결과로는 약 2dB의 변환이득과 -1.0dBm의 이득-압축점, 그리고 71.1dB의 동작영역을 확인하였다. 수동혼합기와 비교하였을 경우, 약 8dB의 동작영역이 개선됨을 확인할 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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