• 제목/요약/키워드: ATMOSPHERIC PRESSURE PLASMA

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Room Temperature Luminescence from ion Beam or Atmospheric Pressure Plasma Treated SrTiO3

  • 송진호;석재권;여창수;이관호;송종한;신상원;최진문;조만호
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.530-531
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    • 2013
  • 3 MeV protonirradiated SrTiO3 (STO) single crystal exhibits a blue and green mixed luminescence. However, the same proton irradiated STO deposited with very thin Pt layer does not show any luminescence. This Pt layer involved in preventing the damage caused by arcingthat comes from tens of kV surface voltage build-up due to secondary electron induced charge up at the surface of insulator during ion beam irradiation. It implies that luminescence of ion irradiated STO originated from the modified STO surface layer caused by arcing rather than direct ion beam irradiation effect. Atmospheric pressure plasma, a simple and cost-effective method, treated STO also exhibits the same kind of blue and green mixed luminescence as the ion beam treated STO, because this plasma also creates a surface damage layer by arcing.

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대기압 저온 플라스마에 의한 ITO(Indium Tin Oxide)박막 식각의 수소(H$_2$)효과 (Effect of Hydrogen in ITO(Indium Tin Oxide) Thin Films Etching by Low Temperature Plasma at Atmospheric Pressure)

  • 이봉주
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제39권8호
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    • pp.12-16
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    • 2002
  • 산화인듐(ITO)박막은 대기압 저온 플라스마에 의해 식각이 가능하다는 것을 확인했다. 식각은 수소유량 4 sccm에서 가장 깊게 발생하여, 120 /min를 나타내었다. 식각속도는 Hα*의 발광강도와 대응하였다. ITO박막의 식각 메커니즘은 Hα*에 의해 환원이 된후, 남게 된 금속 화합물은 CH*과 반응하여 기판으로부터 이탈한다고 생각된다. 식각은 식각시간 50초 이상에서부터, 기판온도 145℃ 이상부터 발생하기 시작하였다. 활성화 에너지는 Arrehenius plots으로부터 0.16eV(3.75kcal/mole)를 얻었다

Room-Temperature Luminescence from Ion Beam or Atmospheric Pressure Plasma-Treated SrTiO3

  • Song, J.H.;Choi, J.M.;Cho, M.H.;Choi, E.J.;Kim, J.;Song, J.H.
    • Applied Science and Convergence Technology
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    • 제23권5호
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    • pp.261-264
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    • 2014
  • $SrTiO_3$ (STO) single crystal irradiated with a 3-MeV proton beam exhibits blue and green mixed luminescence. However, the same proton beam when used to irradiate STO with a very thin layer of deposited Pt does not show any luminescence. This Pt layer prevents any damage which may otherwise be caused by arcing, which stems from the accumulated surface voltage of tens of kV due to the charge induced by secondary electrons on the surface of the insulator during the ion beam irradiation process. Hence, the luminescence of ion-irradiated STO originates from the modification of the STO surface layer caused by arcing rather than from any direct ion beam irradiation effect. STO treated with atmospheric-pressure plasma, a simple and cost-effective method, also exhibits the same type of blue and green mixed luminescence as STO treated with an ion beam, as the plasma also creates a layer of surface damage due to arcing.

Activation of melanogenesis by non-thermal atmospheric pressure plasma

  • Ali, Anser;Kumar, Naresh;Kumar, Ajeet;Rhee, Prof. Myungchull;Lee, SeungHyun;Attri, Pankaj;Choi, Eun Ha
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.211.1-211.1
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    • 2016
  • Several reports have demonstrated the wide range of nonthermal plasma applications in biomedical field including cancers, diabetics, wound healing and cosmetics. Recently, it has been shown that plasma is able to modulate the p38 MAPK and JUN level in cells which has a crucial role in melanin synthesis and skin pigmentation. Therefore we investigated the effect of plasma on melanogenesis in-vitro using melanoma (B16F10) cells and in-vivo using mouse and zebra fish. To investigate the mechanism of plasma action, plasma device characteristics were measured, reactive species inside and outside the cells were detected, and western blot was performed to find the signaling pathway involved in melanin activation in-vitro and in-vivo. This is the first report presenting the role of nonthermal plasma for melanogenesis which provides a new perspective of plasma in the field of dermatology.

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저압 및 대기압 플라즈마 처리를 통한 폴리카보네이트의 접촉각 변화특성 비교 (Effects of Low Pressure and Atmospheric Pressure Plasma Treatment on Contact Angle of Polycarbonate Surface)

  • 원동수;김태경;이원규
    • 공업화학
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    • 제21권1호
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    • pp.98-103
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    • 2010
  • 저압 플라즈마와 대기압 플라즈마를 사용하여 폴리카보네이트를 처리한 후 표면 개질 효과를 접촉각 측정을 통하여 비교 분석하였다. 플라즈마 처리 전의 폴리카보네이트의 탈이온수의 접촉각은 $82.31^{\circ}$이었으나 플라즈마 처리 후의 최소 접촉각은 산소 분위기의 저압 플라즈마에서 $9.17^{\circ}$의 최소 접촉각을 얻을 수 있었다. 플라즈마 방전 전력과 반응기체의 유량 증가에 따른 접촉각의 변화는 크지 않았으나 지속적으로 감소하는 특성을 보였다. 플라즈마 처리 후 경과시간에 따라 접촉각의 증가 현상을 보여 플라즈마 처리 후 후속 공정은 가급적 빨리 진행하는 것이 표면에너지 증가에 따른 효과를 이용하는데 효율적이다. 표면 화학결합 분석에서 산소분위기의 플라즈마 처리는 표면에 상대적으로 많은 극성 작용기를 형성하였다. 전반적으로 폴리카보네이트의 표면 개질에서 저압 산소플라즈마를 사용하여 처리하는 것이 대기압 플라즈마보다 효과적으로 친수성 표면을 만들 수 있었다.

대기압 플라즈마 처리 자소엽 추출물 첨가 유화형 소시지의 품질 특성 (Quality Properties of Emulsion Sausages with Added the Atmospheric Pressure Plasma Treated Extract of Perilla frutescens Britton var. acuta Kudo)

  • 이선민;조경;정사무엘
    • 동물자원연구
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    • 제30권2호
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    • pp.69-78
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    • 2019
  • 본 연구는 대기압 플라즈마 처리 자소엽 추출물이 첨가된 소시지의 품질 특성을 알아보기 위해 수행되었다. 본 연구를 위해 자소엽 추출물에 대기압 플라즈마를 처리하여 7.5g kg-1의 아질산 이온이 함유된 자소엽 추출물 분말을 제조하였으며, 아질산염(Control), 셀러리 분말(Celery) 및 자소엽 추출물 분말(PTP)를 이용 아질산 이온이 70mg kg-1첨가된 소시지를 제조하였다. 소시지의 잔존 아질산 이온 함량 측정결과 PTP에서 저장 21일 동안 잔존 아질산 이온 함량이 가장 낮았으며, Control 및 Celery와 비교하여 PTP에서 저장 중 총 호기성 미생물수가 높은 것으로 확인되었다(p<0.05). 소시지의 저장 중 malondialdehyde 함량은 PTP에서 Control 및 Celery에 비해 유의적으로 낮음이 확인되었다(p<0.05). 소시지의 육색 측정 결과 모든 저장일차에서 PTP가 낮은 L* 값과 높은 b*값을 보였다(p<0.05). 이로 인해 소시지의 관능평가에서 PTP가 Control 및 Celery와 비교하여 낮은 육색 선호도를 보였으며, 풍미 또한 가장 낮은 점수를 받았다. 본 연구의 결과 대기압 플라즈마 처리 자소엽 분말은 천연 아질산 소재로서 염지식육 가공식품 제조에 이용이 적합하지 않음이 확인되었다. 하지만 천연물 추출물에 대기압 플라즈마 처리를 통해 아질산 이온을 생성하여 천연 아질산 소재의 제조가 가능함을 알 수 있었다. 따라서 염지 식육 가공식품의 관능적 품질에 부정적인 영향이 없는 천연물을 탐색하고 이를 플라즈마 처리를 통해 천연 아질산 소재로 개발하면 합성 아질산염 대체가 가능한 천연 아질산 소재로서 육가공품의 염지 공정에 이용이 가능할 것으로 생각된다.

대면적 대기압 플라즈마-용액 시스템을 이용한 폴리프로필렌 표면 처리 (Surface Treatment of Polypropylene using a Large Area Atmospheric Pressure Plasma-solution System)

  • 트란꺽시;최호석
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • 제49권3호
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    • pp.271-276
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    • 2011
  • 대면적 대기압 플라즈마 반응 장비를 플라즈마-용액 시스템에 적용하여 액상 내부에 잠입된 폴리프로필렌(PP) 필름의 표면손상 없이 관능기 도입 가능성을 탐색하였다. 액상으로 1-butyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate: $[BMIM]^{+}[BF_{4}]^{-}$ 이온성 액체 수용액을 사용한 경우, 안정적으로 플라즈마를 발생시킬 수 있었다. PP 필름의 플라즈마 처리 결과, PP 표면에 다양한 산소 함유 관능기들이 도입되었음을 확인할 수 있었다. 플라즈마 처리 후 PP의 표면 자유에너지는 처리시간, 전압의 증가에 따라서 증가하며, 1.5M 이온성 액체 수용액 농도에서 가장 큰 값을 나타내었다. ATR-FTIR 분석 결과, 다양한 카르보닐 기(1,726 $cm^{-1}$, 1,643 $cm^{-1}$)와 하이드록시 기$(3,100{\sim}3,500\;cm^{-1})$의 흡광도가 증가하였고, XPS 분석은 ATR-FTIR 분석 결과를 뒷받침하여 주었다.

상압 플라즈마 표면처리에 따른 Ethylene-Vinyl Acetate (EVA)의 표면개질 및 Polyurethane과의 접착력 증진 (Atmospheric-Pressure Plasma Treatment of Ethylene-Vinyl Acetate (EVA) to Enhance Adhesion Energy between EVA and Polyurethane)

  • 김정순;엄환섭;김형석
    • Elastomers and Composites
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    • 제39권1호
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    • pp.3-11
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    • 2004
  • 플라즈마 표면처리는 표면 관능기 표면 활성도 등을 증가시켜 촉매적 선택성, 염색성 및 다양한 소재의 접착력을 증가시켜주는데 큰 역할을 담당한다. 본 연구에서는 dielectric barrier discharge (DBD)를 이용한 상압 플라즈마 토치로 ethylene-vinyl acetate (EVA)의 표면을 처리하였다. 이때 사용된 가스는 아르곤, 공기, 및 산소를 이용하였으며, 표면처리에 따른 EVA의 표면 특성을 제타전위와 표면자유에너지를 이용하여 관찰하였다. 그 결과, 상압 플라즈마 표면처리에 따른 EVA의 표면 관능기는 접착 에너지 ($G_{IC}$)와 비례관계를 가지며 증가하는 것을 확인하였다. 특히, 상압 플라즈마 표면처리 공정은 EVA와 polyurethane (PU) 계면의 접착력을 크게 증가시켜 주는 것을 확인하였다.

평면 배열 유전체 장벽 방전 플라즈마 발생기의 대기압에서의 레이다 단면적 감소 효과 (Radar Cross Section Reduction by Planar Array of Dielectric Barrier Discharge Plasma under Atmospheric Pressure)

  • 김유나;김상인;김두수;이용식;육종관
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제28권8호
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    • pp.646-652
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    • 2017
  • 큰 부피의 플라즈마를 발생시키기 위하여 플라즈마 층을 포함하는 유전체 장벽 방전 구조(dielectric barrier discharge)를 제안하고, 발생기 동작 유무에 따른 모노스태틱 레이다 단면적(mono-static radar cross section)을 측정함으로써 대기압 플라즈마가 전자기파에 미치는 영향을 분석하였다. 다수의 전극을 평면으로 평행 배열함으로써 플라즈마 층의 부피를 증가시켰으며, 전극 배열과 수직인 방향의 전기장을 포함하는 전자기파를 입사시킴으로써 발생기와의 원치 않는 커플링을 최소화 시켰다. 실험 결과, 모노스태틱 레이다 단면적을 2 GHz부터 25 GHz까지 측정하였을 때, K band에서 최대 8 dB까지 감소하는 것을 확인하였다. 또한, 고전압 발생기의 인가 전압을 최대 20 kV까지 변화시킴으로써 원하는 주파수에서 플라즈마로 인한 감소치를 유연하게 조절 가능함을 보였다.

NEW APPLICATIONS OF R.F. PLASMA TO MATERIALS PROCESSING

  • Akashi, Kazuo;Ito, Shigru
    • 한국표면공학회지
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    • 제29권5호
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    • pp.371-378
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    • 1996
  • An RF inductively coupled plasma (ICP) torch has been developed as a typical thermal plasma generator and reactor. It has been applied to various materials processings such as plasma flash evaporation, thermal plasma CVD, plasma spraying, and plasma waste disposal. The RF ICP reactor has been generally operated under one atmospheric pressure. Lately the characteristics of low pressure RF ICP is attracting a great deal of attention in the field of plasma application. In our researches of RF plasma applications, low pressure RF ICP is mainly used. In many cases, the plasma generated by the ICP torch under low pressure seems to be rather capacitive, but high density ICP can be easily generated by our RF plasma torch with 3 turns coil and a suitable maching circuiit, using 13.56 MHz RF generator. Plasma surface modification (surface hardening by plasma nitriding and plasma carbo-nitriding), plasma synthesis of AIN, and plasma CVD of BN, B-C-N compound and diamond were practiced by using low pressure RF plasma, and the effects of negative and positive bias voltage impression to the substrate on surface modification and CVD were investigated in details. Only a part of the interesting results obtained is reported in this paper.

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