The (S $r_{0.85}$C $a_{0.15}$)Ti $O_3$(SCT) thin films were deposited on Pt-coated electrode(Pt/TiN/ $SiO_2$/Si) using RF sputtering method according to the deposition condition. The optimum conditions of RF power and Ar/ $O_2$ ratio were 140[W] and 80/20, respectively. Deposition rate of SCT thin films was about 18.75[$\AA$/min] at the optimum condition. The composition of SCT thin films deposited on Si substrate is close to stoichiometry (1.102 in A/B ratio). The capacitance characteristics had a stable value within $\pm$4[%]. The drastic decrease of dielectric constant and increase of dielectric loss in SCT thin films were observed above 200[kHz]. SCT thin films used in this study showed the phenomena of dielectric relaxation with the increase of frequency.ncy.
We report the observation of line shapes in the optogalvanic spectrum, which are different from those of absorption, for transitions origination from the $3P_2$ ($1s_5$ in Paschen notation) metastable level of argon. The OG line shapes resemble those of absorption and be used to diagnose the characteristics of the discharge plasma. The measured plasma temperatures of Ar hollow cathode discharge for several metal cathodes are about 620~780K at discharge current of 7~10mA.
In adaptive filtering, the sparseness of impulse response and input signal characteristics are very important factors of it's performance. This paper presents a subband improved proportionate normalized least square (SIPNLMS) algorithm which combines IPNLMS for impulse response sparseness and subband filtering for prewhitening the input signal. As drawing and combining the advantage of conventional approaches, the proposed algorithm, for impulse responses exhibiting high sparseness, achieve improved convergence speed and tracking ability. Simulation results, using colored signal(AR(4)) and speech input signals, show improved performance compared to fullband structure of existing methods.
Park, H.D.;Kim, K.S.;Lee, C.S.;Kim, J.W.;Han, B.M.;Kim, S.Y.
한국표면공학회지
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제28권6호
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pp.386-392
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1995
The RF planar magnetron sputtering technique was used to fabricate uniform ZnO/$SiO_2$/Si thin films at high growth rate. A detailed crystallographic character of these thin films has been carried oct using XRD, XRC, and SEM. These thin films have the configuration of c-axis orientation perpendicular to $SiO_2$/ Si substrate. The dependence of the thickness of ZnO/$SiO_2$/Si films on applied RF power parameters was also investigated. The crystallinity of films was improved as the substrate temperature was high, RF input power increased, and Ar/$O_2$ ratio decreased. Also, most of ZnO films fabricated on $SiO_2$/Si were suitable for SAW filter since a standard deviation of XRC (002) peak was less than $6^{\circ}$. The presence of the $SiO_2$ layer has a beneficial effect on the crystalline quality of the grown ZnO films.
본 연구는 HMDS/$O_2$/He/Ar의 gas mixture를 이용하여 remote-type의 DBD source를 통한 APPECVD를 통한 SiOx 양질의 무기막 증착 공정을 개발하였다. 이때 기판에 바이어스를 인가 하거나 혹은 접지를 하여 대기압 플라즈마의 환경 내에서도 바이어스 효과를 확인할 수 있도록 double discharge system을 구축하였다. 그리고 이 double discharge system의 다양한 특성과 기존의 전형적인 DBD와 비교 하였을 때 어떠한 차이점을 가지는지에 대해서도 관찰하였다. 그리하여 전형적인 DBD system과 double discharge를 통해 증착된 SiOx 무기막의 특성을 역시 비교 관찰하였다. Gas mixture 중 HMDS의 유량이 증가함에 따라, 그리고 $O_2$ gas의 유량이 감소함에 따라 SiOx 무기막의 증착률은 감소하였다. 그러나, SiOx 무기막 내의 불순물들, 예를 들어, carbon 혹은 hydrogen 계열의 chemical bond에 대한 정성적인 양은 HMDS 의 유량이 증가하거나 혹은 $O_2$ gas의 양이 감소함에 따라 오히려 증가함을 관찰할 수 있었다. 그리고 기판에 바이어스를 인가하는 double discharge system을 사용하였을 경우, 같은 HMDS, $O_2$ gas 유량을 사용한 전형적인 DBD type의 증착 공정 보다 더 높은 공정 효율을 나타냄과 동시에 더 낮은 불순물 함량을 가짐을 알 수 있었다. 이러한 double discharge system을 통해 증착된 양질의 SiOx 무기막이 증착 되었음을 FT-IR을 통한 막질 분석을 통해 확인 할 수 있었다. 이러한 double discharge system의 증착 공정에 대한 긍정적인 효과들은 atmospheric discharge의 효율 향상에 따른 gas dissociation efficiency 증가와 이를 통한 HMDS 분해 및 산소와의 recombination 효율의 증가에 따른 결과로 사료된다.
SiN films were deposited in $Si_2H_6$(99.9%), $NH_3$(99.99%) gas mixture with carrier gas $N_2$ on Si substrate by ArF Excimer Laser CVD. SiN film deposition conditions that are substrate temperature and Laser average power were varied in order to investigate the dependence of SiN film on the condition. A post-deposition anneal was performed to examine variation of fixed charge density in the films. The deposition rate was increased as the substrate temperature and Laser power were increased during film deposition. The refractive index was increased with increasing substrate temperature, but it didn't have the dependence on Laser power. The fixed charge density was decreased when a post-deposition anneal was performed.
The phenomenon of electrical explosion of conductors is considered in the context of the changes in the energy and structural states of the metal at the stages of energy delivery and relaxation of the primary products of EEC. It is shown that these changes are related to the forced interaction of an intense energy flux with matter and to the subsequent spontaneous relaxation processes. The characteristics of nano-sized metal powders are also discussed. The preferential gas media during EEC is Ar+$H_2$. An increase in $e/e_s$ (in the range of values studied) leads to a reduction in the metal content. For reactive powders obtained with high metal content, it is necessary to separate the SFAP fractions, which settled on the negative electrode of the electric filter.
Pt/Co인공격자다층막($[Pt10.7\;{\AA}/Co2.8\;{\AA}]{\times}12$)의 자기특성 및 기록특성이 시료제작시의 조건 (sputtering gas압력, sputtering gas 종류, buffer층의 유무 및 etching)에 따라 어떻게 변화하는지를 알아보았다. Pt/Co다층막의 자기특성은 Tb-Fe-Co계 아몰퍼스재료와 거의 동등한 특성이 얻어졌으며 이다층막을 이용한 광자기디스크의 기록특성은 kerr회전각, 1.23도, 기록 power 특성, 36dB(레이저파장: 780nm)을 나타내어 Pt/Co다층막이 차세대광자기디스크용 재료로서의 실용화가능성을 보여주었다.
본 연구에서는 Electron Cyclotron Resonance plasma etching system 을 이용한 Ta 박막의 미세 식각 특성을 연구하였다. 염소 plasma를 사용하여 microwave power, RF Power, working pressure, gas chemistry 등의 변화에 따른 식각 profile의 영향을 조사하였고, pattern density가 증가함에 따라 발생하는 microloading 현상을 $0.2{\mu\textrm{m}}$ 이하의 패턴에서 확인 하였다. 이를 개선하기 위하여 식각 과정을 두 단계로 분리하는 2단계 식각 공정을 수행하였으며 이를 통해 우수한 식각 profile을 얻을 수 있었다.
증강현실을 이용한 광고 시장은 최근 LBS(location based services, 위치기반 서비스)와 결합함에 따라 급성장하고 있다. 본 연구는 기술수용 모델(TAM: Technology Acceptance Model)을 통해 모바일 증강현실 광고의 효과 및 수용의도를 알아보기 위한 연구이다. 외부 영향변인으로 증강현실 광고의 특성인 '맥락 특성'을 선정하고 기술수용모델의 핵심적인 변인이 되는 인지된 유용성과 인지된 용이성 그리고 광고태도와 광고수용의도를 기술수용과정의 중요단서로 채택하였다. 또한 각 단서들 사이의 관계도 검증하였다. 증강현실 광고의 수용 모델에 대한 외부 영향을 검증한 결과, 증강현실 광고의 맥락특성이 인지된 유용성과 인지된 용이성에 각각 유의미한 영향을 주는 것으로 나타났으며 또한 광고태도 및 광고 수용의도에 긍정적 영향을 미치는 것으로 나타났다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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