본 논문에서는 내부 고조파 조정 회로로 구성되는 셀룰러와 L-대역용 소형의 고효율 370 W GaN(Gallium Nitride) HEMT(High Electron Mobility Transistor) 소형 전력 증폭기(PA)를 구현하였다. 원천 및 2차 고조파 주파수에서 동시에 높은 효율을 내기 위해 새로운 회로 정합 형태를 적용했다. 소형화를 위하여 새로운 41.8 mm GaN HEMT와 2개의 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 캐패시터를 구성 물질의 변화를 이용하여 열 저항을 개선한 $10.16{\times}10.16{\times}1.5Tmm^3$ 크기의 새로운 패키지에 와이어 본딩으로 결합하였다. 드레인 바이어스 48 V 인가 시, 개발된 GaN HEMT 전력 증폭기는 370 W 포화 출력 전력(Psat.)과 770~870 MHz에서 80 % 이상, 1,805~1,880 MHz에서 75 % 이상의 드레인 효율(DE)을 나타내었다. 이는 지금까지 보고된 셀룰러와 L대역에서 GaN HEMT 전력 증폭기 중 최고의 효율과 출력 전력 특성이다.
The purpose of this paper is to investigate the effects of alpha particles on the memory circuits such as a sense amplifier and bit lines. Sense amplifiers column alpha particle hits have been simulated for a mega bit DRAM using SPICE, a circuit simulation program. The energy of alpha particle and the substrate concentration are found to strongly influence the likehood of soft errors. Our results may be useful for the designing of alpha particle immune sense amplifiers.
The electronystagmography(ENG) means to measure and record CRP(Corneal-Retinal Potential) whenever the eyeball is moved by using a skin electrode stuck to the hi-temporal and the difference of CRP. Both the horizontal and vertical movement are known according to the position of the stuck skin electrode. In this paper, the variable time-constances to record the eyeball signal of the conventional EOG(Electro-Oculograph) Amplifier is chosen. The shorter the time-constance is, the worse the distortion of a signal is. But the unbalanced impedance of the electrode stuck on the hi-temporal is reduced. Also, the longer the time-constance is, the less the distortion of it signal is. But it is sensitive to the change of base line according to the unbalanced impedance. In order to solve these problems, an DC-Amplifier, the distortion of the eyeball signal is globally used. By solving unbalanced impedance problem of EOG amplifier, the distortion ratio of EOG amplifier is improved.
The phase differences and noise signals are in general serious on output of a instrumentation amplifier for signal conditioning of a sensor driven at high frequency due to a time-varying input signal. In this study, we get the better amplification and S/N ratio using the rectified signal for the input of instrumentation amplifier. This driving circuits were designed and constructed by OrCAD and laboratory PCB process. All of the elements used on the circuit including highly speedy OP-Amp. was SMD type and the MI sensor was fabricated by meander-patterned amorphous ribbon. The output sensitivity of this circuit was $105.3mV/V{\cdot}Oe$. That's why this driving circuit is good at detection of fine magnetic field.
A new ZVT PFC for using 3[KW] power amplifier is proposed. Generally, the single phase diode rectifier has been widely used in the SMPS of the conventional power amplifier. But this rectifier has occurred some problems which are the input power factor and current harmonics. To solve the above problems, in this paper, two topology is adopted. The one is the boost type PFC for improving the input power factor. The other is the ZVT resonant circuit for reducing the switching loss and stress. In this paper, the proposed topology is analyze designed to built the ZVT PFC for using 3[KW] power amplifier. In order to verify the circuit va finally, the PSPICE simulation and experiment results are presented.
We present a novel operational amplifier preset technique for a switched-capacitor circuit to reduce the acquisition time by improving the slewing. The acquisition time of a variable gain amplifier (VGA) using the proposed technique is reduced by 30% compared with a conventional one; therefore, the power consumption of the VGA is decreased. For additional power reduction, a programmable capacitor array scheme is used in the VGA. In the 0.13 ${\mu}m$ CMOS process, the VGA, which consists of three-stages, occupies 0.33 $mm^2$ and dissipates 19.2 mW at 60 MHz with a supply voltage of 1.2 V. The gain range is 36.03 dB, which is controlled by a 10-bit control word with a gain error of ${\pm}0.68$ LSB.
Two kinds of simple active oscillators are proposed and analyzed assuming that operational amplifier has two-poles frequency characteristics. The first circuit is composed of one operational amplifier, one resistor and one grounded capacitor. The second oscillator is realized with one operational amplifier and three resitors. Proposed oscillators have the low sensitivity of the oscillation frequency for little variations of the passive element values. By the experimental results obtained with Op-Amp. ${\mu}A741$, the simple oscillators can be useful for the frequency range $1.25 KHz{\leq}f_{01}{\leq}40KHz$ for the active-RC type or $45.45 KHz{\leq}f_{02}{\leq}400KHz$ for the active-R oscillator, and it is shown to transform the active-R oscillator circuit into the voltage controlled type. Therefore, two kinds of oscillator circuit are attractive for the IC realization, because they have one operational amplifier, one resistor and one grounded capacitor, or three resistors.
RF power amplifier requires linearization in order to reduce adjacent channel interference. And most of the existing linearization algorithms assume that a PA has memory-less nonlinearity. But for the wider bandwidth signal, the memory effect of PA cannot be ignored. This paper investigates digital pre-distortion by use of a memory polynomial model which compensates for amplifier nonlinearity and memory effect. The look-up table based implementation scheme is used to reduce the computational complexity of the pre-distortion block. The linearization performance is demonstrated on wideband CDMA signal and class AB high power amplifier.
본 논문에서는 $0.18{\mu}m$ triple-well CMOS 공정을 사용하여 포톤계수 방식의 $32{\times}32$ 픽셀 어레이를 갖는 CMOS ray 영상센서를 설계하였다. 설계된 영상센서의 카픽셀은 $100{\times}100\;{\mu}m2$ 면적을 가지고 있고 약 400개의 트랜지스터로 구성되어 있으며, 범프 본딩을 통해 ray 검출기와 CSA(Charge Sensitive Amplifier)의 연결을 위한 $50{\times}50{\mu}m2$의 오픈패드를 가지고 있다. 각각의 싱글픽셀 CSA에서 전압 바이어스 회로를 사용한 folded cascode CMOS OP amp 대신 레이아웃 면적을 줄이기 위하여 self biased folded cascode CMOS OP amp를 이용하였으며, 계수 모드 진입 전후에 CLK에서 발생 할 수 있는 short pulse를 제거하는 15bit LFSR 계수기 (Linear Feedback Shift Register Counter) 클럭 발생회로를 제안하였으며, 읽기 모드에서 CMOS X-ray 영상센서의 최대 전류를 줄이기 위하여 열 어드레스 디코더를 이용하여 한 열씩 읽도록 설계하였다.
본 연구에서는 시뮬레이션 효율을 향상시킨 시뮬레이션 기반의 아날로그 셀 합성기법을 제안한다. 아날로그 셀을 계층적으로 합성하기 위하여 시뮬레이션 기반으로 전류미러, 차동입력단 등 각각의 부회로(sub circuit) 생성기들을 개발하였다. 이 부회로 생성기들을 모듈화 시키고 계층화시킴으로써 OTA(operational transconductance amplifier)나 2단(2-stage) OP-AMP, 비교기(comparator)등 일반적인 아날로그 셀들의 합성을 위하여 사용될 수 있게 하였다. 시뮬레이션 기반의 합성 시간을 줄이기 위하여 2단계 탐색 기법 (2-stage searching scheme)과 시뮬레이션 데이터 재사용기법(simulation data reusing scheme)을 제안하여 적용하였다 아날로그 셀(OTA) 합성 시 301.05sec에서 56.52sec로 최고 81.2%의 합성 시간을 줄이므로 시뮬레이션 기반의 회로 합성시 긴 합성시간의 문제를 해결하였다. 개발한 합성기는 SPICE의 모델 파라미터외에 추가적인 물리적 파라미터들을 필요로 하지 않으며 공정이나 SPICE 모델 레벨(level)에 독립적이기 때문에 새로운 공정에 적용할 때 필요한 준비 시간이 최소화되었다. 본 논문에서는 OTA와 2단 OP-AMP를 각각 합성하여 제안하는 합성기법의 유용성을 입증하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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