• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권10호
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• pp.34-41
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• 2010

본 연구를 통해서 대 면적, 저 전력 AMOLED 용용에 적합한 고 개구율 픽셀 보상회로와 이에 대한 구동회로를 제안하였다. 균일도는 다소 떨어지지만 안정성과 이동도가 뛰어난 저온 다결정 실리콘(LTPS) 박막 트랜지스터(TFT)를 기반으로 설계했다. 픽셀의 불량률을 낮추고 배면발광방식에 적합하도록 픽셀 보상회로를 보다 간단하게 개선하여 고 개구율 특성을 갖도록 했다. 제안하는 고 개구율 픽셀 보상회로는 일반적인 구동방식을 사용할 경우 명암비에서 큰 손해를 볼 수가 있으므로, 명암비를 높게 유지하기 위한 구동방식 및 구동회로를 제안하여 검증하였다. 이와 더불어 동영상 특성을 개선하기 위해 black data insertion 방식을 구현할 수 있도록 설계했다. 배면발광방식의 19.6" WXGA AMOLED 패널에 대해 설계했으며, 픽셀의 평균 개구율은 41.9%로 기존에 비해 8.9% 증가했다. TFT의 $V_{TH}$ 편차가 ${\pm}0.2\;V$일 때, 패널의 불균일도와 명암비는 각각 6% 이하와 10만:1 이상으로 예측되었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권6호
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• pp.1-8
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• 2006

본 논문에서는 OTFT를 기반으로 하는 AMOLED 디스플레이 구현을 위해 두 개의 OTFT와 하나의 캐패시터 그리고 하나의 OLED로 구성된 화소 회로를 설계하였고 그 동작을 시뮬레이션을 통하여 분석하였다. 먼저, 화소 회로를 이론적으로 설계하였고, $32\times32$ AMOLED 패널을 제작하기 위한 화소의 Layout을 설계하고 TFT W/L과 저장 캐패시터의 용량을 설계하였다. 그리고 설계된 화소 회로의 전기적 특성을 분석하기 위해 HSPICE 시뮬레이션 하였다 시뮬레이션 결과 OTFT 기반의 AMOLED 구현 가능성을 확인하였다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.197-200
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• 2008

We propose a novel n-type a-Si:H TFT pixel circuit which is proper to AMOLED display for the large size and high resolution. Proposed pixel circuit will be suit to panel for the high resolution because of different threshold sampling method. Driving method of proposed pixel circuit is very simple like an AMLCD. Our simulation indicates that the proposed pixel circuit can compensate the Vth shift and IR rising of power line so that provide better quality image.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제15권3호
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• pp.205-210
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• 2022

본 논문은 OLED 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압 변동에 의한 AMOLED 디스플레이의 휘도 불균일도를 개선하기 위해 n-채널 박막 트랜지스터만을 사용한 새로운 OLED 화소회로를 제안하였다. 제안한 OLED 화소회로는 6개의 n-채널 박막 트랜지스터와 2개의 커패시터로 구성하였다. 제안한 OLED 화소회로의 동작은 커패시터 초기화 구간, OLED 구동 박막 트랜지스터의 문턱전압을 감지하는 구간, 영상 데이터 전압 기입 구간 및 OLED 발광 구간으로 구성되어 있다. SmartSpice 시뮬레이션 결과, OLED·구동 박막 트랜지스터의 문턱전압이 1.5±0.3 V 변동 시 제안한 OLED 화소회로는 OLED 전류 1 nA에서 최대 전류 오차가 5.18 %이고 OLED 음극 전압이 0.1 V 상승 시 제안한 OLED 화소회로가 기존 OLED 화소회로보다 OLED·전류 변화가 매우 적었다. 그러므로, 기존 OLED 화소회로보다 제안한 화소회로가 문턱전압 변동 및 OLED 음극 전압 상승에 뛰어난 보상 특성을 가진다는 것을 확인하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.529-530
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• 2005

A voltage driving AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode) is useful for large-sized, high resolution OLED display. The conventional 2-TFTs, 1-CAP AMOLED circuit suffer from the threshold voltage variation of TFT. In this paper, a new AMOLED structure is proposed. It is composed of 5-TFTs and 2-capacitors. It is described that the operating principle and the characteristics of the proposed structure and is verified the performance by HSPICE simulation. The result of simulation shows that the effect of the threshold voltage variation in this circuit, is able to neglect.

• Journal of Information Display
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• 제6권2호
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• pp.12-15
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• 2005

We propose a new pixel design for active matrix organic light emitting diode (AM-OLED) displays using hydrogenated amorphous silicon thin-film transistors (a-Si:H TFTs). The pixel circuit is composed of five TFTs and one capacitor, and employs only one additional control signal line. It is verified by SPICE simulation results that the proposed pixel compensates the threshold voltage shift of the a-Si:H TFTs and OLED.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.473-476
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• 2008

A simple voltage compensation pixel circuit for AMOLED is produced using low temperature polycrystalline silicon (LTPS) technology. Its operation is verified by AIM-SPICE. Simulation results show that the pixel circuit has high immunity to variation of LTPS-TFT and reduces the drop in luminance due to the degradation of the OLED.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.1082-1085
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• 2006

We proposed dual mode pixel circuit in AMOLED (active matrix organic light emitting device). After light emitting period of OLED, we used it as a photo sensor. We measured photo current of OLED and simulated the proposed pixel circuit to verify it's function of dual mode, that is lighting and sensing.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제14권5호
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• pp.594-600
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• 2014

A threshold voltage compensation pixel circuit was developed for active-matrix organic light emitting diodes (AMOLEDs) using amorphous indium-gallium-zinc-oxide thin-film transistors (a-IGZO-TFTs). Oxide TFTs are n-channel TFTs; therefore, we developed a circuit for the n-channel TFT characteristics. The proposed pixel circuit was verified and proved by circuit analysis and circuit simulations. The proposed circuit was able to compensate for the threshold voltage variations of the drive TFT in AMOLEDs. The error rate of the OLED current for a threshold voltage change of 3 V was as low as 1.5%.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권4호
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• pp.45-52
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• 2009

본 연구를 통해서 대 면적, 고 휘도 AMOLED 응용에 적합한 화소 회로와 이에 대한 구동 방식을 제안하였다. 균일도는 다소 떨어지지만 안정성이 뛰어난 저온 다결정 실리론(LTPS) 박막 트랜지스터(TFT)를 기반으로 설계했다. 영상 화소의 균일도를 향상시키기 위해, 화소 TFT의 $V_{TH}$와 이동도 편차를 함께 보상할 수 있도록 했다. 기존의 이동도 보상 회로가 갖는 문제점을 극복하여 대 면적 패널에 적합하도록 했고, 동영상 특성을 개선하기 위해 black data insertion 방식을 도입하였다. 이동도 보상 시 휘도가 떨어지는 문제를 개선하기 위해, 패널이 두 가지 보상 모드에서 동작할 수 있도록 하였다. 화소 회로를 제어하기 위한 스캔 구동 회로를 최적화하여, 이를 통해서 보정 모드를 쉽게 제어할 수 있었다. 최종 구동 타이밍은 여유 있는 마진으로 안정적인 동작이 가능하다. 14.1" WXGA top emission AMOLED 패널에 대해 설계했으며, 이동도 보상 시간을 1us로 했을 때 패널의 불균일도는 5% 이하로 예측되었다.