• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1996년도 추계학술대회 논문집
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• pp.349-352
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• 1996

When the ideality factor of collector current of AIGaAs/GaAs Heterojunction Bipolar Transistors (HBTs) is larger than unity, conventional $I_{CO}$ / $T^2$ versus 1000/T plot used in the determination of the barrier height of base-emitter junction of HBT was deviated from the straight line. We introduced the effective temperature $T_{eff}$ as nT in the Thermionic-emission equation. The modified $I_{CO}$ /TB versus 1000/ $T_{eff}$ plot was on the straight line in the temperature range considered. The activation energy obtained from the modified plot is 1.61 eV. The conduction band discontinuity calculated using this value was 0.305 eV and this value is coincident with the generally accepted value of 0.3 eV. eV.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.221-225
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• 2001

In the paper, we report on the DC and Thermal effect of the GaN based HFET. A physics-based a model was applied and found to be useful for predicting the DC performance and Thermal effect of the GaN based HFET by Various substrate. The performance of device on the sapphire substrates is found to be significantly improve compared with that of a device with an sapphire substrate. The peak drain current of the device achieved at HFET on the SiC substrate

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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• pp.109-109
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• 1998

최근 들어 MOCVD 법으로 성장시킨 GaN, InGaN, AIGaN를 이용한 광소자 ( (LED, LD)와 전자소자(FET, MODFET)에 대한 관심이 고조되면서, MOCVD 법 을 이용한 GaN 중심의 질화물 반도체 성장에 관심이 집중되고 있다. 금번 실험에 사용된 MOCVD 장비는 수직형 MOCVD 장비이다. 특히, wafer c carner를 1$\alpha$)() rpm이상의 고속으로 회전시킬 수 있는 장치로서 원료 가스의 반웅 기 내에서의 흐름을 균일하게 하여 uniformity가 높은 질화물 반도체를 성장시킬 수 있다 .. GaN 에피충은 c-plane 사파이어를 기판으로 하여 11 00 "C 이상의 고온 에서 수소를 이용하여 기판을 cleaning하고, 500 "C 부근에서 핵생성충올 성장시 킨 후 1050 "C에서 trimethylgallium(TMGa)과 NI-h를 이용하여 성장시켰다. n n -GaN를 성장시키기 위해서는 SiH4을 사용하였으며, InGaN의 경우는 t trimethylindium(TMIn)을 In원 료 가스로 하여 635 - 725 "C 범 위 에 서 성 장시 켰 다. 성 장된 undoped GaN, n-GaN, InGaN는 X -ray di잔raction(XRD), H떠l m measurement, Photoluminescence(PU동올 이용하여 결정성과 전기적 및 광학적 특성올 고찰하였다 .. 2ttm 두께로 성장된 undoped G값V박막의 경우 Hall 측정결과 6 6 X lOI6/e며 정도의 낮은 도핑 농도를 보였으며, V!lII ratio(2500 - 5000)증가에 따라 결정성이 향상됨을 GaN (102)면의 X -ray e -rocking분석올 통하여 확인하 였다 .. n-GaN의 경우 SiH4양올 3 - 13 sccm으로 증가시킴에 따라 n -type 도명농 도가 선형적으로 증가하였고, 1017/c며 범위 내로 도평이 된 경우 상온에서 300 e마 N Ns 이상의 high mobility를 얻올 수 있었다 .. PL 관측 결과로부터 Si 도핑으로 인 하여 GaN bandedge emission이 강화됨을 알 수 있었다 .. InGaN 박막의 경우 성 장온도를 낮춤에 따라서 m의 양을 증가시킬 수 있었다. 또한 유량비(TMIn I T TMGa)가 1에 가까운 경 우에서도 온도를 635 "C 정도로 낮훈 경우 410 nm정도에 서 PL bandedge peak올 얻을 수 있었으며, 이 때의 반치폭은 50 meV정도의 낮 은 값을 보였다. 반치폭은 50 meV정도의 낮 은 값을 보였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권10호
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• pp.23-28
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• 2010

본 논문에서는 AlGaN/GaN HEMT의 분극에 의한 전기적인 특성과 구조적인 특성에 대해서 분석하였다. 몰 분율, AlGaN barrier 층의 두께의 물리적인 변화에 따라서 이차원 전자가스 채널의 농도 변화가 이루어지는 것을 바탕으로 DC 특성 및 분극을 고려한 최적화된 구조에 대해서 시뮬레이션을 진행하였다. AlGaN의 몰 분율이 0.3 몰에서 0.4 몰로 증가할수록 분극에 의한 bound sheet charge가 16 % 증가하며 그에 따라서 Id-Vd 특성 역시 37% 증가하게 된다. 또한 AlGaN 층의 두께가 17 nm에서 38nm로 증가할수록 Id-Vd의 특성이 증가하다가 임계두께인 39nm에 이르게 되면 AlGaN층의 relaxation에 의해서 급격하게 특성이 나빠지는 것을 알 수 있다.

• ETRI Journal
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• 제11권3호
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• pp.3-10
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• 1989

변조도핑 AIGaAs/GaAs 이종구조의 양자우물에 감금된 이차원 전자가스층의 생성과 그 농도 및 이동도의 파악은 이 구조를 이용한 소자의 성능을 평가하기 위해 필수적이다. 그리고소자제작에 앞서 이차원 전자가스층 생성여부의 확인은 에피층 성장공정과 제작공정을 분리 검증하여 소자 제작후에 나타나는 문제점을 해결하기 위한 진단 단계를 줄일 수 있다. 본 논문에서는 이차원 전자가스층의 확인방법을 개발하기 위하여 변조도핑 이종구조의 PL을 측정하여 분석하고 지금까지 보고된 자료를 분석하여 새로운 피크에 대한 기구해석과 검증방법을 마련하였다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2004년도 춘계학술대회
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• pp.158-161
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• 2004

In this study, an analytical model for I-V characteristics of an n-AIGaAs / GaAs Delta doped HEMT is proposed. The two-dimensional electron gas density and the conduction band edge profile are calculated from a self-consistent iterative solution of the Poisson equation. The parameters, which include the saturation velocity, two-dimensional electron gas concentration, thickness of the doped and undoped layer(AIGaAs, GaAs, spacer etc.,), are in good agreement with the independent calculations.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제10권2호
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• pp.86-90
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• 2006

The external feedback effect on the relative intensity noise (RIN) characteristics of blue InAlGaN laser diode has been analyzed taking into account the spontaneous emission noise and the injection current for the high frequency modulation. A Langevin diffusion model was exploited to characterize its relative intensity noise. The simulation parameters were quantitatively evaluated from the optical gain properties of the InAlGaN multiple quantum well active regions by using the multiband Hamiltonian for the strained wurtzite crystals. The extracted parameters were then applied to the rate equations taking into account the external feedback and the high frequency modulation current. The RIN characteristics were investigated to optimize the low frequency laser diode noise characteristics.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자분야
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• pp.189-192
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• 2003

V-grooved inner stripe (VIS)형 양자선 레이저의 전류 주입 효율을 높이기 위하여 세가지 서로 다른 전류 차단층 구조, n-blocking on p-substrate (VIPS), p-n-p-n blocking on n-substrate ($VI(PN)_{n}S$), p-blocking on n-substrate (VINS)를 설계, 제작하였다. 그 중 VIPS 구조는 다른 두 구조에 비하여 약 5mW/facet 정도의 높은 광출력을 보였으며, 중심파장 818 nm, 문턱전류 39.9 mA, 외부양자효과 24%/facet, 특성온도 92K의 특성을 보였다. 또한 전류 및 온도 변화에 따른 파장변화를 각각 0.031 nm/mA와 $0.14nm/^{\circ}C$로 관찰되었다.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권6호
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• pp.79-91
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• 1998

Escape cone 개념에 바탕을 둔 구조 해석을 통해 고휘도 LED의 설계 이론을 확립하였다. 확립된 설계이론에 근거하여 최근까지 개발된 중요한 고휘도 LED의 구조들을 비교/분석하였으며, 각각의 구조에서 출력결합효율을 대략적으로 계산하였다. Ohmic전극 영역에서의 광자 손실이 매우 심각한 것으로 알려진 AlGaAs 또는 InGaAIP LED의 경우, window layer(WL)와 transparent substrate(TS)를 활용하게 되면 전극에 의한 광자의 차폐효과가 크게 감소되어 발광효율이 크게 개선된다. 청색으로부터 녹색까지 상당히 넓은 영역에 걸친 발광특성을 갖는 InGaN LED 경우의 중요한 차이점의 하나는 WL를 사용하지 않으면서도 괄목할만한 발광효율을 얻어 낼 수 있다는 사실인데, 그 원인은 GaN와 같은 넓은 bandgap을 갖는 반도체의 경우 ohmic 전극에서의 광자의 손실이 상대적으로 미미하며 그 결과로 전극에 의한 광자의 차폐현상이 상대적으로 큰 문제가 되지 않기 때문인 것으로 분석된다.

• 한국진공학회지
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• 제11권1호
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• pp.43-49
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• 2002

N형 InGaAs에 대한 Pd/Ge/Pd/Ti/Au 오믹 접촉의 급속 열처리 조건에 따른 오믹 특성을 조사하였다. $450^{\circ}C$까지의 열처리에 의해 우수한 오믹 특성을 나타내어 $400^{\circ}C$/10초의 급속 열처리 후에 최저 $1.1\times10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$의 접촉 비저항을 나타내었다. $425^{\circ}C$ 이상의 열처리 후에 접촉 비저항이 점점 증가하여 $450^{\circ}C$에서는 오믹 재료와 InGaAs의 반응에 의해 오믹 특성의 열화가 나타났다. 그러나 high-$10^{-6}\Omega\textrm{cm}^2$ 정도의 비교적 우수한 오믹 특성을 유지하였고, 양호한 표면 및 계면이 얻어져 화합물 반도체 소자에의 응용 가능성이 충분한 것으로 판단된다.