All transparent UV photodetector based on ZnO was fabricated with structure of NiO/ZnO/$SnO_2$/ITO by using RF and DC magnetron sputtering system. ZnO was deposited with 4 inch ZnO target (purity 99.99%) for a quality film. In order to build p-n junction up, p-type NiO was formed on n-type ZnO by using reactive sputtering method. The indium tin oxide (ITO) which is transparent conducting oxide (TCO) was applied as a transparent electrode for transporting electrons. To improve the UV photodetector performance, a functional $SnO_2$ layer was selected as an electron transporting and hole blocking layer, which actively controls the carrier movement, between ZnO and ITO. The photodetector (NiO/ZnO/$SnO_2$/ITO) shows transmittance over 50% as similar as the transmittance of a general device (NiO/ZnO/ITO) due to the high transmittance of $SnO_2$ for broad wavelengths. The functional $SnO_2$ layer for band alignment effectively enhances the photo-current to be $15{\mu}A{\cdot}cm^{-2}$ (from $7{\mu}A{\cdot}cm^{-2}$ of without $SnO_2$) with the quick photo-responses of rise time (0.83 ms) and fall time (15.14 ms). We demonstrated the all transparent UV photodetector based on ZnO and suggest the route for effective designs to enhance performance for transparent photoelectric applications.
A precipitation method, one of the most effective liquid phase reaction methods, was adopted in order to prepare high-tech Al2O3/ZrO2 composite ceramics, and the effects of stress-induced phase transformation of ZrO2 on thermal shock behavior of Al2O3-ZrO2 ceramics were investigated. Al2(SO4)3.18H2O, ZrOCl2.8H2O and YCl3.6H2O were used as starting materials and NH4OH as a precipitation agent. Metal hydroxides were obtained by single precipitation(process A) and co-precipitation(process B) method at the condition of pH=7, and the composition of Al2O3-ZrO2 composites was fixed as Al2O3-15v/o ZrO2(+3m/o Y2O3). Critical temperature difference showing rapid strength degradation by thermal shock showed higher value in Al2O3/ZrO2 composites(process A : 20$0^{\circ}C$, process B : 215$^{\circ}C$) than in Al2O3(175$^{\circ}C$). The improvement of thermal shock property for Al2O3/ZrO2 composites was mainly due to the increase of strength at room temperature by adding ZrO2. The strength degradation was more severe for the sample with higher strength at room temperature. Crack initiation energies by thermal shock showed higher values in Al2O3/ZrO2 composites than in Al2O3 ceramics due to increase of fracture toughness by ZrO2.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제13권5호
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pp.262-265
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2012
The Microstructure and nonlinear electrical properties of the ZPCCYT (ZnO-$Pr_6O_{11}$-CoO-$Cr_2O_3$-$Y_2O_3$-$Tb_4O_7$) varistors were investigated for different amounts of $Tb_4O_7$. The addition of $Tb_4O_7$ has a significant effect on microstructure and electrical properties. Analysis of the microstructure indicated that the ceramics consisted of ZnO grain as a main phase and a few secondary phases as a mix of $Pr_6O_{11}$, $Y_2O_3$, and $Tb_4O_7$. As the amount of $Tb_4O_7$ increased, the sintered densities of pellets increased from $\rho$ = 5.70 to $5.78g/cm^3$ and the average grain size decreased from d = 4.8 to $3.6{\mu}m$. The increase in the amount of $Tb_4O_7$ increased from $E_B$ = 7,473 to 10,035 V/cm and from ${\alpha}$ = 39.7 to 52.2. In particular, it was found that the ceramics modified with 1.0 mol% in the amount of $Tb_4O_7$ are suited for the varistors for high voltage in the light of a high sintered density and a high voltage gradient.
Effects of compositions on the microwave dielectric properties of the MgO-$TiO_2$ system were investigated as a function of the molar ratio of MgO to $TiO_2$ ($0.9{\leq}MgO/TiO_2\;(x){\leq}1.2$). With the compositional changes, secondary phases of $MgTi_2O_5$ and $Mg_2TiO_4$ were also detected along with $MgTiO_3$. Microwave dielectric properties of the specimens were dependent on the types of phases developed in the sintered specimens. A single phase of $MgTiO_3$ showed a dielectric constant (K) of 18.2, a quality factor (Qf) of 198,000 GHz, and a temperature coefficient of resonant frequency (TCF) of $-51\;ppm/^{\circ}C$. However, the dielectric properties of the specimens with a secondary phase of $MgTi_2O_5$ (K=19.9, Qf=48,000 GHz) and/or $Mg_2TiO_4$ (K=15.6, Qf=56,000 GHz) were worsened. Dependence of the microwave dielectric properties on the secondary phase of the MgO-$TiO_2$ system was also discussed in terms of dielectric mixing rules.
The understanding of behaviors of hydroperoxyl/superoxide anion radicals (${H_2O_2}^./{O_2}^{-.}$) generated from a photoirradiated $TiO_2$ surface is essential to improve the efficiency of $TiO_2$ photocatalytic reactions by decreasing the recombination of photoinduced electron-hole ($e^--h^+$) pairs. In contrast with previous studies, we found that ${H_2O_2}^./{O_2}^{-.}$ generated on the surface of illuminated $TiO_2$ particles are mobile. ${H_2O_2}^./{O_2}^{-.}$ formed by the photocatalysis of $TiO_2$ particles immobilized onto the inner surface of a coil-quartz tube were forced under a continuous flow through a knotted tubing reactor (KTR) and into the aqueous phase completely separated from the $TiO_2$ particles, and were measured by a chemiluminescence (CL) technique using 2-methyl-6-(p-methoxyphenyl)-3,7-dihydroimidazo[ 1,2-a]pyrazin-3-one (MCLA) as the reagent. The initial concentration of the ${H_2O_2}^./{O_2}^{-.}$ stream entering the KTR was determined by its half-life (98 s) at pH 5.8. We suggests that the efficiency of $TiO_2$ photocatalytic reactions may be further improved by utilizing the mobility of ${H_2O_2}^./{O_2}^{-.}$.
This study is about the attitudes and intentions of consumers considering the usage of O2O application (app) under the COVID-19 situation. By integrating TAM and TPB as a theoretical background, we selected VPC (various product choice) and PII (product information intensity) as new functional external variables that have a positive effect on new system called O2O commerce. We also applied the transaction cost theory to investigate the obstacle of O2O business. We conducted a survey of consumers in large cities in the Korean market. As a result of this study, it was found that the more O2O app users recognized the influence of SN (subject norms), the more useful O2O app was, the more it led to a change in attitude and usage intention was positively significant. In addition, as the O2O app was easy to use and useful, and the SN was recognized, the user's attitude was positive. On the other hand, it was also found that the transaction cost that consumers have to pay had a negative effect on usage intention. Additionally, VPC and PII have been shown to positively influence on usefulness of O2O apps.
전자충격반응을 고려한 three moment 플라즈마 모델과 전기적 중성성분의 반응을 고려한 유체 유동 모델을 결합하여 용량결합형 산소플라즈마에 대한 2차원적 전산모사 연구를 수행하였다. 전자의 에너지에 의하여 좌우되는 전자충격반응에 대한 반응속도는 전자와 $O_2$ 및 O 사이의 전자충돌단면적으로부터 계산되었다. 플라즈마 모델과 유체 유동 모델을 결합하고 상세한 반응메커니즘을 포함시킴으로써 전하를 띠는 전자와 이온($O_2{^+}$, $O^+$, $O_2{^-}$, and $O^-$) 그리고 기저상태의 산소($O_2$ and O)뿐만 아니라 $O_2(a^1{\Delta}_g)$, $O_2(b^1{{\Sigma}_g}^+)$, $O(^1D)$, $O(^1S)$ 등과 같이 산소플라즈마 특성에 중요한 역할을 하는 준안정상태 성분들의 시공간적 분포를 예측할 수 있었다. 또한 산소플라즈마의 전산모사로부터 sheath 경계에 이중층이 존재함을 확인할 수 있었다.
The microstructure and electrical characteristics of A~C's ZnO varistors fabricated according to variable sintering condition, which sintering temperature is $1130^{\circ}C$ and speeds of pusher are A: 2mm/min, B: 4mm/min, C: 6mm/min, respectively, were investigated. In the microstructure, A~C's ZnO varist-ors fabricated variable sintering condition was consisted of ZnO grain(ZnO), spinel phase$(Zn_{2.33}Sb_{0.67}O_4)$ Bi-rich $phase(Bi_{2}O_{3})$, wholly. Varistor voltage of A~C's ZnO varistors sintered at $1130^{\circ}C$ increased in order A < B < C's ZnO varistors. C's ZnO varistor exhibited good characteristics that nonlinear exponent is 31.70. Leakage current of A~C's ZnO varistors exhibited below 2mA at rated voltage. Lightning impulse residual voltage of A's ZnO varistor suited standard characteristics, which is 3.85kV at 2.5kA, 4.4kV at 5kA and 5.16kV at 10kA. After multi lightning impulse residual voltage test of A's ZnO varistor exhibited good discharge characteristics which ZnO varistor reveals no evidence of puncture, flashover, cracking in visual examination. After high current impulse test of A's ZnO varistor exhibited good discharge characteristics, which variation rate of residual voltage is 0.4% before and after test, and revealed no evidence.
A transparent dielectric of the $PbO-B_2O_3-SiO_2-A1_2O_3$ system which was a low melting glass has been used for PDP (Plasma Display Panel), but it has a problem which is a reaction to be occurred between a transparent dielectric layer and electrodes (Ag, ITO) after firing. This research was conducted for ion migration of $Ag^+\$ and $Sn^ {2+}$ during firing three different frits of low melting glass. The result showed that yellowing phenomena occurred through a chemical reaction between $Ag^+\$and $Sn^ {2+}$ at 550~58$0^{\circ}C$ for 20~60 min. In addition, it was confirmed that the migration of $Sn^{2+}$ from ITO electrode made a strong effect on the yellowing phenomena.
This experiment is third study concerning BaO-{{{{ { { Pr}_{ 2} O}_{3 } }}-{{{{ { TiO}_{2 } }} (Ln=Sm, Nd, Pr, La..) system which is known to show a high dielectric constant and Q value in microwave dielectric materials. The process of cry-stallization and the microwave dielectric properties of the specimens sintered at 1220-140$0^{\circ}C$ for 2 hr was investigated in the BaO-(Na,{{{{ { { Pr})_{2 }O }_{3 } }}-{{{{ { TiO}_{2 } }} as well as BaO-{{{{ { { Pr}_{ 2} O}_{3 } }}-{{{{ { TiO}_{2 } }} system. The single phase BaPr2Ti5O14 and Ba(Nd,{{{{ { { Pr})_{2 }O }_{3 } }}Ti5O14 was finally formed from the Pr2Ti2O7 (Nd, Pr)2Ti2O7 as a secondary phase in the BaO-{{{{ { { Pr}_{ 2} O}_{3 } }}-{{{{ { TiO}_{2 } }} and BaO-(Nd, {{{{ { { Pr})_{2 }O }_{3 } }}-{{{{ { TiO}_{2 } }} system respectively The dielectric constant of the specimens sint-ered at 1280~131$0^{\circ}C$ showed the maximum value as 105(BaO-{{{{ { { Pr}_{ 2} O}_{3 } }}-{{{{ { TiO}_{2 } }} system) and 88 (BaO-(Nd,{{{{ { { Pr})_{2 }O }_{3 } }}-{{{{ { TiO}_{2 } }} system) and the Q values of them showed higher value than 1800 which are due to the maximum den-sity. However the dielectric properties of the specimens sintered at higher temperature than 131$0^{\circ}C$ were reduced due to the increases of pore which were resulted from the sudden grain growth.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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