Proceedings of the Korean Society of Embryo Transfer Conference
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2002.11a
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pp.85-85
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2002
Pregnancy block by male pheromones in mice differs in incidence depending on the combination of strains. Female mice of BALB/cA strain mated with BALB/cA males show a 100% pregnancy block when exposed to males of inbred strain DDK shortly after copulation (Chung et al., Biol Reprod 1997). In the present study, BALB/cA females mated with the males of other strains (CBA/J, C3H/HeN, C57BL/6Cr, and IXBL) showed higher pregnancy rates (66.6-87.5%) even when they were exposed to DDK males. In the pharmacological induction of pregnancy block with dopamine agonist (Bromocriptine, 4mg/kg BW), BALB/cA females mated with BALB/cA males showed a 100% pregnancy block. In contrast, BALB/cA females mated with CBA/J, C3H/HeN, and C57BL/6Cr males showed higher pregnancy rates (40-70%). These results suggest that the better pregnancy rate of BALB/cA females mated with alien males may be due to the stronger viability of F 1 embryos. This interpretation was confirmed by an embryo transfer experiment in which a higher implantation rate was observed when BALB/cA embryos grown in BALB/cA females exposed to BALB/cA males were transferred into recipient BALB/cA females exposed to DDK males. These results suggest that the embryonic genotype or viability of the embryo is one factor contributing to the occurrence of pregnancy block by male pheromones in mice.
The point $P{\in}{\mathbb{P}}^2$ is referred to as a Galois point for a nonsingular plane algebraic curve C if the projection ${\pi}_P:C{\rightarrow}{\mathbb{P}}^1$ from P is a Galois covering. In contrast, the point $P^{\prime}{\in}C^{\prime}$ is referred to as a weak Galois Weierstrass point of a nonsingular algebraic curve C' if P' is a Weierstrass point of C' and a total ramification point of some Galois covering $f:C^{\prime}{\rightarrow}{\mathbb{P}}^1$. In this paper, we discuss the following phenomena. For a nonsingular plane curve C with a Galois point P and a double covering ${\varphi}:C{\rightarrow}C^{\prime}$, if there exists a common ramification point of ${\pi}_P$ and ${\varphi}$, then there exists a weak Galois Weierstrass point $P^{\prime}{\in}C^{\prime}$ with its Weierstrass semigroup such that H(P') = or , which is a semigroup generated by two positive integers r and 2r + 1 or 2r - 1, such that P' is a branch point of ${\varphi}$. Conversely, for a weak Galois Weierstrass point $P^{\prime}{\in}C^{\prime}$ with H(P') = or , there exists a nonsingular plane curve C with a Galois point P and a double covering ${\varphi}:C{\rightarrow}C^{\prime}$ such that P' is a branch point of ${\varphi}$.
Let S and R be rings and $_SC_R$ a (faithfully) semidualizing bimodule. We introduce and study C-weak flat and C-weak injective modules as a generalization of C-flat and C-injective modules ([21]) respectively, and use them to provide additional information concerning the important Foxby equivalence between the subclasses of the Auslander class ${\mathcal{A}}_C$ (R) and that of the Bass class ${\mathcal{B}}_C$ (S). Then we study the stability of Auslander and Bass classes, which enables us to give some alternative characterizations of the modules in ${\mathcal{A}}_C$ (R) and ${\mathcal{B}}_C$ (S). Finally we consider an open question which is closely relative to the main results ([11]), and discuss the relationship between the Bass class ${\mathcal{B}}_C$(S) and the class of Gorenstein injective modules.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.195-196
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2009
This paper describes the fabrication and characteristics of polycrystalline 3C-SiC thin film diodes for extreme environment applications, in which the this thin film was deposited onto oxidized Si wafers by APCVD using HMDS In this work, the optimized growth temperature and HMDS flow rate were $1,100^{\circ}C$ and 8sccm, respectively. A Schottky diode with a Au, Al/poly 3C-SiC/$SiO_2$/Si(n-type) structure was fabricated and its threshold voltage ($V_d$), breakdown voltage, thickness of depletion layer, and doping concentration ($N_D$) values were measured as 0.84V, over 140V, 61nm, and $2.7{\times}10^{19}cm^2$, respectively. To produce good ohmic contact, Al/3C-SiC were annealed at 300, 400, and $500^{\circ}C$ for 30min under a vacuum of $5.0{\times}10^{-6}$Torr. The obtained p-n junction diode fabricated by poly 3C-SiC had similar characteristics to a single 3C-SiC p-n junction diode.
The objectives of this research were to determine mean and maximum tolerance ranges of Carassius auratus ($C_a$) and Cyprinus carpio ($C_c$) populations on various physico-chemical parameters and ecological indicator metrics. Little is known about chemical tolerance ranges of the two species, even though these species are widely distributed species in aquatic ecosystems. Maximum tolerance ranges of $C_a$-population to total nitrogen (TN) and total phosphorus (TP) were $20.3mgL^{-1}$ and $2.0mgL^{-1}$, respectively. Optimal ranges of TN and TP in the $C_a$-population were $1.7-5.0mgL^{-1}$ and $0.06-0.30mgL^{-1}$, respectively. Such nutrient regimes of the $C_a$-population were evaluated as hypereutrophy, indicating high tolerance limits. The $C_c$-population had similar ecological characteristics to $C_a$-population, but the mean tolerance ranges of TN, TP, BOD, and COD were significantly (p < 0.05) greater than the $C_a$-population. Ecological patterns of trophic composition and tolerance guilds in the $C_a$-population were similar to those of the $C_c$-population. The model value of Index of Biological Integrity (IBI) of the habitat where C. auratus and C. carpio co-occurred averaged $15.0{\pm}4.3$ and $12.9{\pm}3.6$, respectively. Based on the modified criteria of the United States Environmental Protection Agency (Klemm et al. 1993), it indicated poor ecological health of both species. These results suggest that both species are highly tolerant to chemical and physical habitat conditions of waterbodies, and that the chemical tolerance range of $C_c$-population was higher than $C_a$-population.
The Journal of Korean Society for Radiation Therapy
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v.20
no.1
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pp.17-23
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2008
Purpose: Cone-beam CT using linear accelerator attached to on-board imager is a image guided therapy equipment. Because it is to check the patient's set-up error, correction, organ and target movement. but imaging dose should be cause of the secondary cancer when taking a image. The aim of this study is investigation of appropriate cone beam CT scan mode to compare and estimate the image quality and skin dose. Materials and Methods: Measurement by Thermoluminescence dosimeter (TLD-100, Harshaw) with using the Rando phantom are placed on each eight sites in seperately H&N, thoracic, abdominal section. each 4 methods of scan modes of are measured the for skin dose in three time. Subsequently, obtained average value. Following image quality QA protocol of equipment manufacturers using the catphan 504 phantom, image quality of each scan mode is compared and analyzed. Results: The results of the measured skin dose are described in here. The skin dose of Head & Neck are measured mode A: 8.96 cGy, mode B: 4.59 cGy, mode C: 3.46 cGy mode D: 1.76 cGy and thoracic mode A: 9.42 cGy, mode B: 4.58 cGy, mode C: 3.65 cGy, mode D: 1.85 cGy, and abdominal mode A: 9.97 cGy, mode B: 5.12 cGy, mode C: 4.03 cGy, mode D: 2.21 cGy. Approximately, dose of mode B are reduced 50%, mode C are reduced 60%, mode D are reduced 80% a point of reference dose of mode A. the results of analyzed HU reproducibility, low contrast resolution, spatial resolution (high contrast resolution), HU uniformity in evaluation item of image quality are within the tolerance value by recommended equipment manufacturer in all scan mode. Conclusion: Maintaining the image quality as well as reducing the image dose are very important in cone beam CT. In the result of this study, we are considered when to take mode A when interested in soft tissue. And we are considered to take mode D when interested in bone scan and we are considered to take mode B, C when standard scan. Increasing secondary cancer risk due to cone beam CT scan should be reduced by low mAs technique.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.10
no.4
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pp.131-134
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2009
The electrical properties and the microstructure of nitrogen-doped poly 3C-SiC films used for micro thermal sensors were studied according to different thicknesses. Poly 3C-SiC films were deposited by LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) at $900^{\circ}C$ with a pressure of 4 torr using $SiH_2Cl_2$ (100%, 35 sccm) and $C_2H_2$ (5% in $H_2$, 180 sccm) as the Si and C precursors, and $NH_3$ (5% in $H_2$, 64 sccm) as the dopant source gas. The resistivity of the poly SiC films with a 1,530 ${\AA}$ thickness was 32.7 ${\Omega}-cm$ and decreased to 0.0129 ${\Omega}-cm$ at 16,963 ${\AA}$. The measurement of the resistance variations at different thicknesses were carried out within the $25^{\circ}C$ to $350^{\circ}C$ temperature range. While the size of the resistance variation decreased when the films thickness increased, the linearity of the resistance variation improved. Micro heaters and RTD sensors were fabricated on a $Si_3N_4$ membrane by using poly 3C-SiC with a 1um thickness using a surface MEMS process. The heating temperature of the SiC micro heater, fabricated on 250 ${\mu}m$${\times}$250 ${\mu}m$$Si_3N_4$ membrane was $410^{\circ}C$ at an 80 mW input power. These 3C-SiC heaters and RTD sensors, fabricated by surface MEMS, have a low power consumption and deliver a good long term stability for the various thermal sensors requiring thermal stability.
This study was performed to investigate types and formation mechanism of cracks in two Al alloy welds, A5083 and A7N01 spot-welded by pulse Nd : YAG laser, using SEM, EPMA and Micro-XRD. In the weld zone, three types of crack were observed : center line crack({TEX}$C_{C}${/TEX}), diagonal crack({TEX}$C_{D}${/TEX}), and U shape crack({TEX}$C_{U}${/TEX}). Also, HAZ crack({TEX}$C_{H}${/TEX}) was observed in the HAZ region, furthermore, mixing crack({TEX}$C_{M}${/TEX}) consisting of diagonal crack and HAZ crack was observed. White film was formed at th hot crack region in the fractured surface after it was immersed to 10% NaOH water. In the case of A5083 alloy, white films in {TEX}$C_{C}${/TEX} crack and {TEX}$C_{D}${/TEX} crack region were composed of low melting phases, {TEX}$Fe_{2}SiAl_{8}${/TEX} and eutectic phases, $Mg_2$Al$_3$ and $Mg_2$Si. Such films observed $CuAl_2$, {TEX}$Mg_{32}(Al,Zn)_{3}${/TEX}, MgZn$_2$, $Al_2$CuMg and $Mg_2$Si were observed in the whitely etched films near {TEX}$C_{C}${/TEX} crack and {TEX}$C_{D}${/TEX} crack regions. The formation of liquid films was due to the segregation of Mg, Si, Fe in the case of A5083 alloy and Zn, Mg, Cu, Sim in the case of A7N01 alloy, respectively. The {TEX}$C_{C}${/TEX} and {TEX}$C_{D}${/TEX} cracks were regarded as a result of the occurrence of tensile strain during the welding process. The formation of {TEX}$C_{M}${/TEX} crack is likely to be due to the presence of liquid film at the grain boundary near the fusion line in the base metal as well as in the weld fusion zone during solidification. The {TEX}$C_{U}${/TEX} crack is considered a result of the collapsed keyhole through incomplete closure during rapid solidification.
This study demonstrated that upregulation of gene expression of endoplasmic reticulum (ER) stress chaperones (Bip, ERp29, calnexin, and PDI), ER stress sensors (PERK, ATF6, and Ire1), and cAMP phosphodiesterase 7A1 (cAMP PDE7A1) was induced by ER stresses in FRTL5 cells. While removing A23187 from the culture medium restored upregulation of cAMP PDE7A1 gene expression, removal of thapsigargin did not recover its expression. In addition, cAMP PDE7A1 gene expression was strongly inhibited by treatment with A23187 combined with thyroid stimulating hormone (TSH). The results are the first to show that ER stress induces cAMP PDE7A1 gene expression.
Karaman, Erbil;Karaman, Yasemin;Numanoglu, Ceyhun;Ark, Hasan Cemal
Asian Pacific Journal of Cancer Prevention
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v.16
no.5
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pp.1817-1820
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2015
Background: Hemoglobin A1c(HgA1c) is a marker of poor gylcemic control and elevation HgA1c is associated with increased risk of many cancers. We aimed to determine the HgA1c levels in endometrial cancer cases and any relationship with stage and grade of disease. Materials and Methods: A retrospective data review was performed between June 2011 and October 2012 at a tertiary referral center in Turkey. The study included 35 surgically staged endometrial cancer patients and 40 healthy controls. Preoperative HgA1c levels drawn within 3 months before surgery were compared. Also the relationships between HgA1c levels and stage, grade and hystologic type of cancer cases were evaluated. Results: The mean HgA1c levels were statistically significantly higher at $6.19{\pm}1.44$ in endometrial cancer cases than the $5.61{\pm}0.58$ in controls (p=0.027). With endometrial cancer cases, the mean HgA1c level was found to be $6.62{\pm}1.40$ for stage I and $6.88{\pm}1.15$ for stages II-IV (p=0.07). The figures were $6.74{\pm}1.65$ for endometrioid and $6.63{\pm}1.41$ for non-endometrioid type tumors (p=0.56). Mean HgA1c levels of $6.72{\pm}1.14$ for grade 1 and $6.62{\pm}1.42$ for grade 2-3 were observed (p=0.57). Conclusions: HgA1c levels in endometrial cancer patients were statistically higher than healthy controls. However, HgA1c did not show any significant correlation with stage, grade and histologic type in endometrial cancer cases.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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