• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.11a
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• pp.7-12
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• 2004

탄화규소 전력반도체 소자는 실리콘 전력반도체 소자에 비해 우수한 물질특성을 갖고 있어 성능 측면에서 뿐 만 아니라 전력변환장비의 크기를 획기적으로 줄일 수 있는 새로운 반도체 소자이다. 특히 unipolar 계열의 소자에서 괄목할 만한 특성을 보이고 있다. 현재 쇼트키 장벽 다이오드의 경우 5kV급, UMOSFET의 경우 3kV급의 소자까지 보고되고 있으며 반도체 물질 중에서 가장 활발히 연구가 진행되고 있는 분야 중의 하나이다. 단결정성장 분야에서도 3인치 급이 상용화 되었으며 4인치 크기의 웨이퍼의 상용화가 조만간 실현될 것으로 기대되고 있다. 이러한 기술적 발전을 토대로 600V, 1200V급 쇼트키 다이오드가 PFC boost 용으로 시판되고 있으나 아직은 다른 반도체 소자에 비해 미미한 실정이다. 현재에는 $250^{\circ}C$까지의 온도영역에서 실리콘 SOI(Silicon on Insulator) 소자가 주로 사용되고 있다. 그러나 $300^{\circ}C$를 넘는 온도 영역에서는 실리콘으로는 한계가 있고, 특히 SOI는 전력소자에 적용하기는 한계가 있어 주로 저전력 고온소자가 필요한 부분에 적용이 되고 있다. 따라서 전력용에 적합한 고온소자로 탄화규소 소자의 연구가 활발히 진행되고 있다. 현재의 추세로 보아 $200-300^{\circ}C$ 영역의 응용분야에서는 SOI와 탄화규소가 함께 적용될 것으로 예상되며, $300^{\circ}C$를 넘는 온도영역에서는 탄화규소 소자의 우월적 지위가 예상된다. 이러한 이유로 탄화규소 반도체소자의 응용 분야는 크게 확대될 것으로 예상되며 국가적 차원의 지원 및 육성이 요구되는 분야 중의 하나이다.t로 사용한 소자보다 발광 소광 현상이 적게 일어난 것에 기인하였다고 생각된다. 두 소자 모두 $40mA/cm^2$ 에서 이상적인 화이트 발란스와 같은(0.33,0.33)의 색좌표를 보였다.epsilon}_0=1345$의 빼어난 압전 및 유전특성과 $330^{\circ}C$의 높은 $T_c$를 보였고 그 조성의 vibration velocity는 약4.5 m/s로 나타났다.한 관심이 높아지고 있다. 그러나 고 자장 영상에서의 rf field 에 의한 SAR 증가는 중요한 제한 요소로 부각되고 있다. 나선주사영상은 SAR 문제가 근원적으로 발생하지 않고, EPI에 비하여 하드웨어 요구 조건이 낮아 고 자장에서의 고속영상방법으로 적합하다. 본 논문에서는 고차 shimming 을 통하여 불균일도를 개선하고, single shot 과 interleaving 을 적용한 multi-shot 나선주사영상 기법으로 $100{\times}100$에서 $256{\times}256$의 고해상도 영상을 얻어 고 자장에서 초고속영상기법으로 다양한 적용 가능성을 보였다. 연구에서 연구된 $[^{18}F]F_2$가스는 친핵성 치환반응으로 방사성동위원소를 도입하기 어려운 다양한 방사성의 약품개발에 유용하게 이용될 수 있을 것이다.었으나 움직임 보정 후 영상을 이용하여 비교한 경우, 결합능 변화가 선조체 영역에서 국한되어 나타나며 그 유의성이 움직임 보정 전에 비하여 낮음을 알 수 있었다. 결론: 뇌활성화 과제 수행시에 동반되는 피험자의 머리 움직임에 의하여 도파민 유리가 과대평가되었으며 이는 이 연구에서 제안한 영상정합을 이용한 움직임 보정기

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.10 no.7
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• pp.1281-1286
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• 2006

We have used the silicon-carbide(4H-SiC) instead of conventional silicon materials to develope of the planar junction barrier schottky rectifier for ultra high breakdown voltage(1,200 V grade). The substrate size is 2 inch wafer, Its concentration is $3*10^{18}/cm^{3}$ of $n^{+}-$type, thickness of epitaxial layer $12{\mu}m$ conentration is $5*10^{15}cm^{-3}$ of n-type. The fabticated devices are junction barrier schottky rectifier, The guard ring for improvement of breakdown voltage is designed by the box-like impurity of boron, the width and space of guard ring was designed by variation. The contact metals to rectify were used by the $Ni(3,000\:{\AA})/Au(2,000\:{\AA})$. As a results, the on-state voltage is 1.26 V, on-state resistance is $45m{\Omega}/cm^{3}$, maximum value of improved reverse breakdown voltage is 1180V, reverse leakage current density is $2.26*10^{-5}A/CM^{3}$. We had improved the measureme nt results of the electrical parameters.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.7 no.3
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• pp.171-178
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• 1998

Silicon piezoresistive absolute pressure sensor for gas leakage alarm system was developed. This sensor must operate normally in the range of $0{\sim}600\;mmH_{2}O$ pressure, and $0{\sim}100^{\circ}C$ temperature. To make the most of this sensor for gas leakage alarm system, gas must not leak from the sensor itself when the diaphragm of the sensor fractures. Thus, the sealed diaphragm cavity was anodically bonded to pyrex 7740 glass under the condition of $10^{-4}$ torr, at $400^{\circ}C$. The sensitivity of developed sensor was $4.06{\mu}V/VmmH_{2}O$ for $600\;mmH_{2}O$ full-scale pressure range. And temperature compensation method of this sensor is to change bridge-in put-voltage linearly in proportion to the temperature variation by using diode(PXIN4001) or Al thin film resistor. By these methods the temperature effect in the range of $0{\sim}100^{\circ}C$ was compensated over 80 % for offset drift, 95 % for sensitivity.

• Journal of Oral Medicine and Pain
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• v.21 no.2
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• pp.279-291
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• 1996

저수준레에저요법에 대해서는 지난 10여년간 의학계 및 치과계에서 임상적으로 사용하여 좋은 결과가 있다고 많은 보고가 발표되고 있다. 특히 치근의 골결손에 관한 연구에서는 전기요법, 초음파요법, 전자장요법 등 뿐만아니라 저수준레이저를 사용하여 골절부내 Callus형성이 촉진되었음을 보고하고 새로운 치료법의 하나가 될 수 있음을 제안한 바도 있다. 본 연구에서는 칼륨비소를 다이오드로 사용한 저수준레이저조사가 골결손의 치유에 어떠한 영향을 미치는지 확인하고자 골모세포의 알칼리성 인산분해효소의 활성화와 석회화결절의 형성을 평가함으로 골모세포의 기능을 조사코저하였다. 실험은 첫째, 9개군으로 나누어 레이저 조사기간에 따른 알칼리성 인산분해효소의 활성화를 조사하였고, 둘째, 이를 근거로 9일간 계속 매일 1회 1.3 J/cm2의 레이저를 조사한 후 펄스의 종류별 차이를 비교하였으며, 세째,레이저펄스별 석회차 결절의 형성 정도를 광학현미경으로 관찰하여 비교분석하였다. 결과, 7일 계속 레이저를 조사한 경우 다른 군에 비해 서서히 ALP의 활성이 증가하였으나 유의한 차이는 없었으며. 따라서 9일동안 레이저를 계속 조사한 경우에는 전체 에너지량이 5.895 J/cm2 인 펄스13과 15가 뚜렷하게 유의한 증가를 보여주었다. 그러나 석회화결절의 형성은 전체 에너지량이 2.546 J/cm2 인 펄스11에서 가장 많았다. 결론적으로 골형성이나 알칼리성 인산분해효소의 활성을 촉진하는 데에는 적절한 레이저 조사조건이 필요하나, 알칼리성 인산분해효소의 활성을 촉진한 펄스와 석회화결절의 형성을 촉진하는 펄스가 서로 다르게 나타난 것은 골형성을 촉진하는 여러요인 들이 저수준레이저에 자극받았을 가능성이 높음을 보여준다 이러한 결과들로 보아 저수준레이저는 골모세포의 기능을 자극하여 골결손의 치유를 개선하는 데 도움될 것이라 사료된다.다. 각 백서의 양측 창상중 하나는 1,3,5,7일 마다 각 실험의 방법에 따라 레이저를 조사하고 실험동물의 다른 창상은 대조군으로서 사용하였다. 모든 창상의 면적은 실험 1,3,5,7 일째에 일정한 거리에서 사진촬영하여 면적계를 이용, 측정한 후 통계적인 의의를 조사하였다. 본 연구의 결과는 저수준레이저는 특정 조건하에서 S. aureus의 증식을 촉진하였다. 그러나 S. aureus에 감염된 창상을 저수준레이저로 조사시 치유가 촉진되었다. 중앙 조사법고 주변조사법에 의한 창상치유효과는 통계적인 의의가 보이지 않았다. 따라서 결론적으로 S. aureus 에 감염된 창상에 직접 또는 간접적이든 pulse의 종류에 관계없이 조사하는 경우 치유효과가 나타나는 것은 정사주위 조직의 LLLI 자극효과가 염증의 확산을 억제한다고 말할수 있다.4/1$0^{\circ}C$에서는 Shoa-Nan-Tsan과 Lenkwang이 가장 높았으며 백앙벼는 3 온도 조건 모두에서 활성이 낮았다. 발아소요일수와 amylase 활성과는 유의적인 정의 상관관계를 보였다., 다다조, 미국의 건답직파재배 품종 등이었으며 우리 나라 육성종들은 모두 지중에서 신장이 멈추어 제1본엽이 지중에서 추출하였으며, Scm파종심에서 불완전엽이 지면을 뚫고 나오는 품종은 Chinsura Boro뿐이었고 Nato, Labelle, Weld Pally, Italliconaverneco 등도 지면 가까이 까지 신장하였다. 6. 50% 출아일수는 제2절간장을 제외 한 모든 유아 형질의 신장도와 유의한 부의 상관을 보였는데 가장 높은 상관을 보인 것은 중배축장＋제1절간장＋불완전옆장이었으며, 다음이 불완전엽장이 었다. 7. 출아율은 중배축장+제1절간장＋불완전엽장, 중배축장＋초엽 장과 모든 파종심에서 높은 정의 상관을 보여 제1본엽의 추출 위치가 높을수록

• Economic and Environmental Geology
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• v.51 no.6
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• pp.493-507
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• 2018

The Wooseok deposit in Jecheon belongs to the Hwanggangri Mineralized Distict of the northeastern Ogcheon Metamorphic Belt. Its geology consists mostly of limestone of the Choseon Supergroup and the Cretaceous Muamsa granite intruded at the eastern area of the deposit. The deposit shows vertical occurrence of skarn and hydrothermal vein ores with W-Mo-Fe and Cu-Pb-Zn mineralization and skarn is developed only at lower levels of the deposit. Skarn minerals are replaced or cut by ore minerals in paragenetic sequence of magnetite-hematite, molybdenite-scheelite-wollframite, and higher abundances of pyrrhotite-chalcopyrite-pyrite-sphalerite-galena. Garnet has chemical compositions of $Ad_{65.9-97.8}Gr_{0.3-32.0}Pyr_{0.9-3.0}$, corresponding to andradite series, and pyroxene compositions are $Hd_{4.5-49.7}Di_{42.3-93.9}Jo_{0.5-7.9}$, prevailing in diopside compositions, both of which suggest oxidized conditions of skarnization. On the FeS-MnS-CdS ternary diagram, FeS contents of sphalerite in vein ores decrease with increasing MnS contents from bottom to top levels, possibly relating to W mineralization in deep and Pb-Zn mineralization in shallow level. Sulfur isotope values of sulfide minerals range from 5.1 to 6.8‰, reflecting magmatic sulfur affected by host rocks. W-Mo skarn and Pb-Zn vein mineralization in the Wooseok deposit were established by spatio-temporal variation of decreasing temperature and oxygen fugacity with increasing sulfur fugacity from bottom to top levels.

• The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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• v.22 no.1
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• pp.114-124
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• 2011

In this paper, we present a 2 GHz compact analog phase shifter with linear phase-tune characteristic. The compact phase shifter was designed base on a lumped all pass network and implemented using a ceramic substrate fabricated with thin-film technique. For a linear phase-tune characteristic, a capacitance of the varactor diode for a tuning voltage was linearized by connecting series capacitor and subsequently produced an almost linear capacitance change. The inductor and bias circuit in the all pass network was implemented using a spiral inductors for small size, which results in the size reduction to $4\;mm{\times}4\;mm$. In order to measure the phase shifter using the probe station, two CPW pads are included at the input and output. The fabricated phase shifter showed an insertion loss of about 4.2~4.7 dB at 2 GHz band and a total $79^{\circ}$ phase change for DC control voltage from 0 to 5 V, and showed linear phase-tune characteristic as expected in the design.

• Economic and Environmental Geology
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• v.32 no.5
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• pp.435-444
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• 1999

The antimony deposits of the Hyundong mine, located in the northeastern part of the Sobaegsan massif, occur as hydrothermal quartz+carbonate veins and stockworks which fill the fault fractures developed in Precambrian metamOlphic rocks (mainly, granitic gneiss). Hydrothermal alteration occurs commonly in the vicinity of mineralized veins and is characterized by sericitization and silicification. A K-Ar age of alteration sericite is 139.2$\pm$ 4.4 Ma, implying the early Cretaceous age of mineralization, possibly in association with intrusion of nearby acidic dikes (mainly, quartz porphyry). The hydrothermal mineralization occurred in five mineralization stages. These are: (I) stage I, characterized by deposition of chalcedonic quartz; (2) stage II, deposition of quartz with base-metal sulfides and stibnite; (3) stage III, deposition of quartz and carbonates (calcite, dolomite, ankerite, rhodochrosite) with various antimony-bearing minerals such as stibnite, polybasite, berthierite, native antimony, gudmundite and ullmannite; (4) stage IV, deposition of calcite with stibnite; and (5) stage V, deposition of barren calcite. Antimony occurs mostly as stibnite within stages II to IV veins, which has various habits including disseminated, veinlets and euhedral coarse crystals. Fluid inclusion studies indicate that hydrothermal mineralization at Hyundong occurred from the fluids with temperature and salinity of $330^{\circ}$C to 120 and 5.3 wI. % equiv. NaCI. The temperature and salinity of ore fluids systematically decreased with elapsed time in the course of mineralization, possibly due to the influx of larger amounts of meteoric groundwater. The deposition of antimony-bearing minerals occurred at low temperatures «$250^{\circ}$C), mainly due to the cooling and dilution of fluids. Based on the evidence of fluid boiling during the early stage II mineralization, the mineralization occurred under low pressure conditions (about 80 bars, corresponding to depths of about 350 m under hydrostatic pressure regime). Thermodynamic considerations of ore . mineral assemblages indicate that antimony deposition also occurred as the results of decreases in temperature and sulfur fugacity of hydrothermal fluids. Calculated sulfur isotope composition of ore fluids ($\delta^{34}S_{\Sigma s}$=5.4 to 7.8$\textperthousand$) indicates an igneous source of sulfur.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.25 no.3
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• pp.13-19
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• 2018

The soldering property of Pb-containing solder(Sn-Pb) and Pb-free solders(Sn-3.0Ag-0.5Cu and Sn-1.0Ag-0.7Cu-1.6Bi-0.2In) for solar combiner box module was compared. The solar combiner box module was composed of voltage and current detecting modules, diode modules, and other modules. In this study, solder paste printability, printing shape inspection, solder joint property, X-ray inspection, and shear force measurements were conducted. For optimization of Pb-free soldering process, step 1 and 2 were divided. In the step 1 process, the printability of Pb-containing and Pb-free solder alloys were estimated by using printing inspector. Then, the relationship between void percentages and shear force has been estimated. Overall, the property of Pb-containing solder was better than two Pb-free solders. In the step 2 process, the property of reflow soldering for the Pb-free solders was evaluated with different reflow peak temperatures. As the peak temperature of the reflow process gradually increased, the void percentage decreased by 2 to 4%, but the shear force did not significantly depend on the reflow peak temperature by a deviation of about 0.5 kgf. Among different surface finishes on PCB, ENIG surface finish was better than OSP and Pb-free solder surface finishes in terms of shear force. In the thermal shock reliability test of the solar combiner box module with a Pb-free solder and OSP surface finish, the change rate of electrical property of the module was almost unchanged within a 0.3% range and the module had a relatively good electrical property after 500 thermal shock cycles.