Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2004.11a
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- Pages.7-12
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- 2004
Trend of SiC Power Semiconductor
탄화규소(SiC) 반도체소자의 동향
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Kim, Sang-Cheol
(Korea Electrotechnology Research Institute, Power Semiconductor Group) ;
- Bahng, Wook (Korea Electrotechnology Research Institute, Power Semiconductor Group) ;
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Seo, Kil-Soo
(Korea Electrotechnology Research Institute, Power Semiconductor Group) ;
-
Kim, Kee-Hyun
(Korea Electrotechnology Research Institute, Power Semiconductor Group) ;
-
Kim, Hyung-Woo
(Korea Electrotechnology Research Institute, Power Semiconductor Group) ;
-
Kim, Nam-Kyun
(Korea Electrotechnology Research Institute, Power Semiconductor Group) ;
-
Kim, Eun-Dong
(Korea Electrotechnology Research Institute, Power Semiconductor Group)
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김상철
(한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
- 방욱 (한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
-
서길수
(한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
-
김기현
(한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
-
김형우
(한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
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김남균
(한국전기연구원 전력반도체그룹) ;
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김은동
(한국전기연구원 전력반도체그룹)
- Published : 2004.11.11
Abstract
탄화규소 전력반도체 소자는 실리콘 전력반도체 소자에 비해 우수한 물질특성을 갖고 있어 성능 측면에서 뿐 만 아니라 전력변환장비의 크기를 획기적으로 줄일 수 있는 새로운 반도체 소자이다. 특히 unipolar 계열의 소자에서 괄목할 만한 특성을 보이고 있다. 현재 쇼트키 장벽 다이오드의 경우 5kV급, UMOSFET의 경우 3kV급의 소자까지 보고되고 있으며 반도체 물질 중에서 가장 활발히 연구가 진행되고 있는 분야 중의 하나이다. 단결정성장 분야에서도 3인치 급이 상용화 되었으며 4인치 크기의 웨이퍼의 상용화가 조만간 실현될 것으로 기대되고 있다. 이러한 기술적 발전을 토대로 600V, 1200V급 쇼트키 다이오드가 PFC boost 용으로 시판되고 있으나 아직은 다른 반도체 소자에 비해 미미한 실정이다. 현재에는