• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권12호
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• pp.14-24
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• 2001

본 논문에서는 1.9 GHz대의 down converting 믹서를 능동 cascode 구조의 MMIC로 상용 설계 툴을 이용하고 일반적인 증폭기의 설계 방법을 응용한 시뮬레이션을 통하여 설계, 제작, 측정 및 분석하였다. 본 연구에서는 특히 능동 믹서의 설계과정 및 측정 결과를 자세히 기술하였다. 본 연구에서 사용된 능동소자는 Gate Length 0.5 ${\mu}$m, Gate Width 300 ${\mu}$m 인 GaAs MESFET이다. 개발된 회로는 3V 의 전원의 7.5 mA 의 전류를 소모하는 저전력소모의 MMIC 능동믹서로 변환 이득이 6.63 dB 이고 최저 잡음지수는 5.06 dB이며 Output $3^{rd}$ Order Intercept Point는 6.4 dBm 이다. 제작된 칩의 크기는 가로 1.86 mm 세로 1.28 mm 이다.

• 한국자기학회지
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• 제5권5호
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• pp.528-532
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• 1995

Ferromagnetic resonance experiments have been used to investigate the magnetic properties of amorphous $Co_{89.5}Zr_{10.5}$ thin films deposited by DC magnetron sputtering method. In the thickness range from $350\;{\AA}$ to $3,200\;{\AA}$, measurements were carried out in a static magnetic field perpendicular and parallel to the film plane and in a conventional 9.44 GHz spectrometer at room temperature. The ferromagnetic resonance spectra by the field perpendicular to the film plane showed standing spin wave. The spacing and the relative intensities between the various spin wave resonance peaks are analysed considering surface magnetic anisotropy. The surface magnetic anisotropy constant ($K_{so},\;K_{sd}$) of amorphous $Co_{89.5}Zr_{10.5}$ thin films are $0.02\;erg/\textrm{cm}^2$ and $0.55\;erg/\textrm{cm}^2$ respectively regardless of the film thickness except for $3,200\;{\AA}$ film. In case of $3,200\;{\AA}$ these values are $0.46\;erg/\textrm{cm}^2$ and $0.55\;erg/\textrm{cm}^2$ respectively.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권9호
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• pp.933-941
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• 1996

In this study, the Tx(Transmitting) and Rx(Receiving) band pass filter for personal communication services was constructed and designed using .lambda./4 TEM mode dielectric resonators. Band pass filter was composed of ceramics resonators which has been developed using ($Zr_{0.65}$,$Sn_{0.35}$) $Ti_{1.04}$ $O_{4.04}$ ceramic and Unloaded-Q ( $Q_{o}$) of .lambda./4 TEM mode dielectric resonator with inner hole size 0.9mm and external size 3mm using silver electrode is 354.5 at 1.95GHz. For the band pass filter design and construction, the design theory and simulation results of band pass filter using J-inverter theory have been studied. The parameters which are evaluated by design theory are practically applied to the filter construction and the simulation results are in agreement with the measured results after fine tunnings.s.s.s.s.s.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제31권4호
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• pp.212-215
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• 2018

The phase evolution, microstructure, and microwave dielectric properties of $Ba(Mg_{0.5-2x}Y_{2x}W_{0.5-x}Ti_x)O_3$ (x = 0.005~0.05) ceramics sintered at $1,700^{\circ}C$ for 1h were investigated. All compositions exhibited a 1:1 ordered cubic perovskite structure. The field emission scanning electron microscopy image revealed a dense microstructure in all the compositions. As the value of x increased, the lattice parameter, dielectric constant, and quality factor increased. The temperature coefficient of resonant frequency changed from $-19.6ppm/^{\circ}C$ to $-5.9ppm/^{\circ}C$ with increasing x value. The dielectric constant, quality factor, and temperature coefficient of resonant frequency of $Ba(Mg_{0.40}Y_{0.10}W_{0.45}Ti_{0.05})O_3$ were 21.7, 132,685 GHz, and $-5.9ppm/^{\circ}C$, respectively.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제16권7호
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• pp.4842-4848
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• 2015

본 논문은 재구성 빔 스티어링 안테나와 전방향성(루프) 안테나 간 정지상태와 이동상태일 때 통신 성능 비교를 보여준다. 두 안테나는 동일한 직물(${\varepsilon}_r=1.35$, $tqn{\delta}=0.02$) 위에 제작되었으며 5 GHz 대역에서 동작한다. 재구성 안테나는 빔 방향을 조향할 수 있도록 설계되었다. 빔 스티어링 기능을 수행하기 위해 안테나는 두 개의 핀 다이오드를 사용한다. 측정된 최대 이득은 5.9-6.6 dBi 이고 반 전력 빔 폭(HPBW)는 $102^{\circ}$ 이다. 통신효율을 비교하기 위해 GNU Radio Companion 소프트웨어툴과 USRP(User Software Radio Peripheral) 장비를 이용하여 두 안테나의 BER(Bit Error Rate)과 SNR(Signal-to-Noise Ratio)를 측정하였다. 그리고 송, 수신 안테나 사이의 일정한 거리에서 수신 안테나가 고정된 상태와 이동중인 상태 두 가지 경우를 비교하였다. 본 측정은 이상적인 전파환경인 무손실 안테나 챔버와 전파간섭이 존재하는 실제적인 환경인 스마트홈에서 진행되었다. 본 측정의 결과로 빔 스티어링 안테나의 성능이 루프 안테나보다 우수함을 알 수 있다. 또한, 통신효율을 비교하면 측정환경 측면에서는 무손실 안테나 챔버가 스마트홈보다 우수하며, 안테나의 고정/이동 측면에서는 고정된 상태가 이동중인 상태보다 좋은 결과를 보임을 알 수 있다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제15권9호
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• pp.5796-5800
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• 2014

본 논문은 빔 스티어링이 가능하고 높은 이득을 갖는 무선 헤드셋용 패치안테나에 관한 것이다. 헤드셋 내부에 위치하는 기존의 무선통신용 안테나는 전방향으로 방사하기 때문에 두부에 미치는 영향이 크므로 이를 개선하기 위해 본 안테나를 제안하였다. 제안된 안테나는 U-slot 구조로 구성되어 있고, FR-4기판에 제작되었다. 본 안테나는 2.37-2.5 GHz대역에서 동작하며 급전부와 패치부 사이의 임피던스매칭을 위해 테이퍼드(Tapered) 매칭 기법을 사용하였다. 빔 스티어링을 위해 DC 바이어스에 따라 ON/OFF되는 두 개의 핀 다이오드를 사용하였다. 이로써 안테나는 최대 빔 방향이 YZ-평면의 $0^{\circ}$, $30^{\circ}$, $330^{\circ}$에서 세 가지 상태($S_0$, $S_1$, $S_2$)를 갖는다. 측정된 최대 이득은 헤드셋 내부에 장착 되었을때 4.22-5.15 dBi 이다. 제작된 안테나는 무선통신모듈이 장착된 헤드셋과 연결하여 효율적인 무선통신이 가능하다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제21권9호
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• pp.1037-1044
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• 2010

본 논문에서는 한 쌍의 동위상 및 역위상 전이 구조로 이루어진 초광대역 위상 역전 전이 구조를 이용하여 소형화된 크기와 광대역 특성을 갖는 새로운 구조의 링 하이브리드를 제안하고, 그 응용의 예로서, 단일 평형 주파수 체배기를 구현한 예를 보여주고 있다. 제안된 링 하이브리드는 기존의 링 하이브리드 대비 65 % 축소된 크기를 가지며, $\sum$ 단자와 $\Delta$ 단자에서 각각 92.5 %와 81.3 %의 대역폭을 갖는다. 또한, 동작 주파수 대역에서 균일한 크기 및 위상의 평형도를 가지므로, 다양한 평형 소자에 응용될 수 있다. 새로운 구조의 링 하이브리드를 이용하여 제작된 주파수 체배기는 회로 시뮬레이션 결과와 유사한 특성을 가지며, 15 dBm의 입력 신호를 인가 할 경우 4~12 GHz 대역에서 평균 10.5 dB 변환 손실과 28 dB 이상의 입력 주파수 신호 억압도를 나타낸다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제11권1호
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• pp.16-26
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• 2011

This paper presents high power and high efficiency Doherty amplifiers for 2.345 GHz wireless broadband (WiBro) applications that use a Nitronex 125-W ($P_{3dB}$) GaN high electron mobility transistor (HEMT). Two- and three-way Doherty amplifiers and a saturated Doherty amplifier using Class-F circuitry are implemented. The measured result for a center frequency of 2.345 GHz shows that the two-way Doherty amplifier attains a high $P_{3dB}$ of 51.5 dBm, a gain of 12.5 dB, and a power-added efficiency (PAE) improvement of about 16 % compared to a single class AB amplifier at 6-dB back-off power region from $P_{3dB}$. For a WiBro OFDMA signal, the Doherty amplifier provides an adjacent channel leakage ratio (ACLR) at 4.77 MHz offset that is -33 dBc at an output power of 42 dBm, which is a 9.5 dB back-off power region from $P_{3dB}$. By employing a digital pre-distortion (DPD) technique, the ACLR of the Doherty amplifier is improved from -33 dBc to -48 dBc. The measured result for the same frequency shows that the three-way Doherty amplifier, which has a $P_{3dB}$ of 53.16 dBm and a gain of 10.3 dB, and the saturated Doherty amplifier, which has a $P_{3dB}$ of 51.1 dBm and a gain of 10.3 dB, provide a PAE improvement of 11 % at the 9-dB back-off power region and 7.5 % at the 6-dB back-off region, respectively, compared to the two-way Doherty amplifier.

• 한국전자파학회논문지
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• 제28권6호
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• pp.435-443
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• 2017

본 논문에서는 cascode 구조가 적용된 Class-E 스위칭 모드 CMOS 전력증폭기의 common-gate 트랜지스터 게이트 바이어스 효과에 대해 분석하였다. 게이트 바이어스 효과를 확인하기 위해서 전력증폭기의 DC 전력소모, 효율을 분석하였다. 분석 결과를 통해서 전력증폭기의 최고 효율을 보여주는 common-gate 트랜지스터의 게이트 바이어스가 일반적으로 사용하는 전력증폭기 전원 전압보다 낮음을 확인하였다. 트랜지스터의 게이트 바이어스가 계속 감소함에 따라 on-저항을 확인하여 커지고, 이에 따라 출력, 효율이 감소하는 것도 확인하였다. 이 두 가지 현상을 통해 게이트 바이어스가 스위칭 모드 전력증폭기에 미치는 영향을 분석하였다. 이 분석을 증명하기 위해서 $0.18{\mu}m$ RF CMOS 공정으로 1.9 GHz 스위칭 모드 전력증폭기를 설계하였다. 앞에서 설명한 것처럼 전력증폭기의 최대 효율은 전력증폭기의 인가 전압(3.3 V)보다 낮은 2.5 V에서 확인할 수 있었다. 이 때 최고 출력은 29.1 dBm, 최고 효율은 31.5 %이다. 측정 결과를 통해서 스위칭 모드 전력증폭기 common-gate 트랜지스터의 게이트 바이어스 효과를 실험적으로 확인하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제28권2호
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• pp.105-112
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• 2017

이동통신 시스템의 멀티미디어 서비스 확산과 고속통신 기능의 수요를 충족시키기 위해서 다중대역 전력증폭기의 고효율, 광대역 특성 및 비선형 특성의 개선이 필요하다. 본 연구에서는 J-급 전력증폭기 동작조건을 만족하는 2차 고조파 정합회로를 단일-스터브 정합회로로 구성하였다. 광대역 J-급 동작조건을 만족시키기 위해 단일-스터브 정합회로는 낮은 특성임피던스를 갖는 것이 필요하다. 본 연구에서는 낮은 특성 임피던스를 갖는 단일-스터브 정합회로를 패키지 내에 높은 유전율의 세라믹 기판을 이용하여 구현하였다. 이에 따라 2차 고조파 정합회로가 패키지된 GaN HEMT와 외부 기본파 정합회로를 이용하여 넓은 주파수 대역에서 J-급 출력 임피던스 조건을 만족하는 전력증폭기를 구현하였다. 제작된 J-급 전력증폭기 측정 결과, 1.8~2.7 GHz(900 MHz)의 대역폭에서 50 W(47 dBm) 이상의 출력전력과 최대 72.6 %의 드레인 효율, 최대 66.5 %의 PAE 특성을 확인하였다.