• 정보통신설비학회논문지
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• 제3권2호
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• pp.51-60
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• 2004

A광섬유 용융인장방법에 의해서 100GHz 채널간격을 갖는 DWDM용 8채널 광다중화기를 제작하였다. 8채널 광다중화기는 전광섬유형 Mach Zehnder 간섭계(MZI)를 3단으로 다단 연결하여 제작되었으며, 광다중화기 채널별 출력파장의 삽입손실을 균일하게 하기 위하여 파장에 대한 삽입손실변화가 적은 파장무의존형 커플러(WFC)를 이용하여 전광섬유형 MZI를 제작하였다. 광다중화기를 구성하는 광섬유형 MZI를 제작함에 있어서 경로차에 따른 출력 파장간격의 변화를 시뮬레이션을 통하여 알아보았고 다단연결에 의한 광다중화기 구현방법을 논의하였다. 전용 제작 장치를 이용하여, 전광섬유형 MZI를 제작하였으며, 미세한 파장을 저절하기 위해서, $CO_2$ 레이저를 이용하였다. 제작된 8채널 광다중화기는 평균 삽입 손실 2.1dB, 5.5dB에서의 통과대역폭이 0.8nm 이며, 25dB의 채널 Crosstalk를 갖는 특성을 얻을 수 있었고, 편광의존손실은 0.06dB 였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제27권10호
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• pp.892-899
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• 2016

본 논문에서는 $0.25{\mu}m$ GaN HEMT 공정을 사용하여 ETRI에서 개발된 $80{\times}150{\mu}m$의 트랜지스터를 사용하여 X-대역에서 동작하는 50 W급 내부 정합 전력 증폭기를 설계 및 제작하였다. 임피던스 변환용 사전 정합 회로를 사용한 로드풀 측정으로 최적의 소스 및 부하 임피던스를 실험적으로 추출하였고, 성능을 예측하였다. 유전율 10.2의 기판을 사용하여 제작된 내부 정합 전력 증폭기의 전력 성능은 펄스 주기 $100{\mu}s$, 듀티 10 %의 펄스 모드 조건에서 측정되었으며, 최대 성능으로는 9.2 GHz에서 47.46 dBm(55.5 W)의 출력 전력과 46.6 %의 전력부가효율이 측정되었다. 9.0~9.5 GHz의 주파수에서 출력 전력은 47~47.46 dBm(50~55.7 W)의 값이 측정되었고, 전력부가효율은 9.0~9.3 GHz에서 43 % 이상, 9.4~9.5 GHz에서는 36 % 이상의 효율이 측정되었다.

• 한국진공학회지
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• 제14권4호
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• pp.207-214
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• 2005

본 연구에서는 스위치, 위상변위기, 감쇄기등 전파제어회로를 설계 및 제작할 수 있는 pHEMT스위치 소자에 적합한 에피구조를 설계하였다. 고성능의 스위치 소자를 위한 pHEMT 채널층 구조는 이중 면도핑층을 가지며 사용 중 게이트 전극의 전계강도가 약한 깊은 쪽 채널층의 Si 면농도가 상층부보다 약 1/4정도 낮을 경우 격리도등 우수한 특성을 보였다. 설계된 에피구조와 ETRI의 $0.5\mu$m pHEMT MMIC 공정을 이용하여 2.4GHz 및 5GHz 대역 표준 무선랜 단말기에 활용 가능한 SPDT Tx/Rx MMIC 스위치를 설계 및 제작하였다. 제작된 SPDT형 스위치는 주파수 6.0 GHz, 동작전압 0/-3V에서 삽입손실 0.849 dB, 격리도 32.638 dB, 그리고 반사손실 11.006 dB의 특성을 보였으며, 전력전송능력인 $P\_{1dB}$는 약 25dBm, 그리고 선형성의 척도인 IIP3는 42 dBm 이상으로 평가되었다. 이와 같은 칩의 성능은 본 연구에서 개발된 SPDT 단일고주파집적회로 스위치가 2.4GHz뿐만 아니라 SGHB 대역 무선랜 단말기에 활용이 충분히 가능함을 말해준다.

• 한국ITS학회 논문지
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• 제5권2호
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• pp.55-60
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• 2006

In this paper, a broadband double balanced mixer is presented using a wideband Marchand balun implementation by vertical coupler. Frequency is selected as $1.0{\sim}3.7GHz$ for RF, $1.14{\sim}3.84GHz$ for LO, and 140 MHz for IF signals. When LO signal with 7 dBm at 2.64 GHz is injected, a conversion loss of 7.5 dB and RF to LO isolation of -45 dB are obtained. Also, an average conversion loss of 9 dB and RF to LO isolation of -25 dB are obtained for frequency band of $1.0{\sim}3.7GHz$.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제13권2호
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• pp.33-39
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• 2013

본 논문에서는 시스템에서 사용 가능한 자계면 T-접합 구조를 갖는 X/Ku 밴드 도파고나 다이플렉서를 설계하고 특성을 확인하였다. 본 논문에서는 시스템에서 사용 가능한 자계면 T-접합 구조를 갖는 X/Ku 밴드 도파관 다이플렉서를 설계하고 특성을 확인하였다. 설계된 다이플렉서는 X 밴드(7.25 ~ 8.4 GHz) 주파수와 Ku 밴드(12.25 ~ 14.5 GHz) 주파수를 분리시키도록 설계하였다. 일반적인 다이플렉서는 저역통과필터와 고역통과필터, 그리고 도파관 접합부로 결합된다. 그러나 본 논문에서는 저역통과필터를 사용하지 않고 고역통과필터 자계면에 임피던스를 매칭시켜 도파관을 접합함으로써 다이플렉서 구조를 간소화 하였다. 또한, 직교모드 변환기 특성을 갖는 다이플렉서를 설계하여 수직 및 수평편파를 사용할 수 있게 하였다. 본 논문에서 설계한 다이플렉서는 이중대역 및 이중편파를 만족하는 것으로 위성통신용 안테나 피드 시스템에 사용 가능하리라 생각된다.

• 전기전자학회논문지
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• 제23권2호
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• pp.425-430
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• 2019

본 논문에서는 게이트 길이가 $0.25{\mu}m$인 GaN HEMT 기술을 사용하여 개발된 X-대역 전력 증폭기의 특성을 기술한다. 개발된 X-대역 전력 증폭기는 9~10 GHz의 대역에서 22.7 dB 이상의 소신호 이득과 43.02 dBm(20.04 W) 이상의 포화 출력 전력을 가진다. 최대 포화 출력 전력은 9.5 GHz에서 43.84 dBm (24.21 W)이였다. 전력 부가 효율은 41.0~51.24%의 특성을 얻었으며 칩의 크기는 $3.7mm{\times}2.3mm$이다. 출력 전력 밀도는 $2.84W/mm^2$를 나타내었다. 개발된 GaN 전력 증폭기는 다양한 X-대역 레이더 응용에 적용 가능할 것으로 예상된다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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• pp.609-610
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• 2006

A 77GHz MMIC transceiver module consisting of a power amplifier, a low noise amplifier, a drive amplifier, a frequency doubler and a down-mixer has been developed for automotive forward-looking radar sensor. The MMIC chip set was fabricated using $0.15{\mu}m$ gate-length InGaAs/InAlAs/GaAs mHEMT process based on 4-inch substrate. The power amplifier demonstrated a measured small signal gain of over 20dB from $76{\sim}77GHz$ with 15.5dBm output power. The chip size is $2mm{\times}2mm$. The low noise amplifier achieved a gain of 20dB in a band between $76{\sim}77\;GHz$ with an output power of 10dBm. The chip size is $2.2mm{\times}2mm$. The driver amplifier exhibited a gain of 23dB over a $76{\sim}77\;GHz$ band with an output power of 13dBm. The chip size is $2.1mm{\times}2mm$. The frequency doubler achieved an output power of -16dBm at 76.5GHz with a conversion gain of -16dB for an input power of 10dBm and a 38.25GHz input frequency. The chip size is $1.2mm{\times}1.2mm$. The down-mixer demonstrated a measured conversion gain of over -9dB. The chip size is $1.3mm{\times}1.9mm$. The transceiver module achieved an output power of 10dBm in a band between $76{\sim}77GHz$ with a receiver P1dB of -28dBm. The module size is $8{\times}9.5{\times}2.4mm^3$. This MMIC transceiver module is suitable for the 77GHz automotive radar systems and related applications in W-band.

• 한국통신학회논문지
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• 제29권2A호
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• pp.195-201
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• 2004

본 논문에서는 5.15-5.35GHz 대역의 무선 LAN용 U-슬롯 Bow-Tie 마이크로스트립 안테나에 관하여 연구하였다. Bow-Tie 패치에 U-슬롯을 갖도록 하였으며 접지면과 기판사이에 공기층을 삽입하여 VSWR<1.2 에서 적절한 대역을 얻고자 하였다. 설계시 주요 파라미터는 U-슬롯의 길이, 폭, 위치와 공기층의 두께 및 급전위치였으며 최적화된 파라미터를 가지고 실제 제작 및 측정하였다. 제작된 안테나의 측정결과로 공진주파수는 5.28GHz이고, VSWR<1.2에서 7.76%의 대역폭과 4∼7dBi의 이득을 얻었다. Elevation과 Azimuth에서 각각 73.63$^{\circ}$와 65.08$^{\circ}$로 나타났다.

• ETRI Journal
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• 제39권5호
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• pp.737-745
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• 2017

A 6-GHz-to-18-GHz monolithic nonuniform distributed power amplifier has been designed using the load modulation of increased series gate capacitance. This amplifier was implemented using a $0.25-{\mu}m$ AlGaN/GaN HEMT process on a SiC substrate. With the proposed load modulation, we enhanced the amplifier's simulated performance by 4.8 dB in output power, and by 13.1% in power-added efficiency (PAE) at the upper limit of the bandwidth, compared with an amplifier with uniform gate coupling capacitors. Under the pulse-mode condition of a $100-{\mu}s$ pulse period and a 10% duty cycle, the fabricated power amplifier showed a saturated output power of 39.5 dBm (9 W) to 40.4 dBm (11 W) with an associated PAE of 17% to 22%, and input/output return losses of more than 10 dB within 6 GHz to 18 GHz.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 1999년도 추계종합학술대회
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• pp.151-155
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• 1999

본 논문에서는 개구 급전 마이크로스트립 야기 배열에 의한 빔 틸팅 안테나를 제안하고, Ansoft사의 Ensemble 5.1을 이용하여 설계 변수들의 값을 추출하고 제작된 안테나의 성능을 측정 분석하였다. 제안된 안테나는 북반구 대부분 지역에서 고정위성 지향을 위해 3dB 빔 폭은 45$^{\circ}C$ 를 중심으로 +/- 2$0^{\circ}C$ 정도의 빔 커버리지를 가지며, 2.51GHz ~ 2.59GHz의 동작 대역을 가진다. 안테나의 구조는 반사기, 구동기, 유도기의 3개 구형 패치로 구성된다. 2.56GHz에서 제작된 안테나의 최대 이득은 앙각 42$^{\circ}C$ 에서 6.2dB, 그리고 Front-to-Back 비는 약 13dB 이상을 얻었다.