• Journal of Power Electronics
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• 제18권6호
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• pp.1920-1929
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• 2018

In order to provide a source for nine phases suitable for 18-pulse ac to dc power, this paper proposes a new structure for a step-up asymmetrical delta-connected transformer for converting three-phase ac power to nine-phase ac power. The design allows for symmetry between the nine output voltages to improve the power quality of the supply current and to minimize the THD. The results show that this new structure proves the equality between the output voltages with $40^{\circ}-{\alpha}$ and $40^{\circ}+{\alpha}$ phase shifting and produces symmetrical output currents. This result in the elimination of harmonics in the network current and provides a simulated THD that is equal to 5.12 %. An experimental prototype of the step-up asymmetrical delta-autotransformer is developed in the laboratory and the obtained results give a network current with a THD that is equal to 5.35%. Furthermore, a finite element analysis with a 3D magnetic field model is made based on the dimensions of the 4kVA, 400 V laboratory prototype three-phase with three-limb delta-autotransformer with a six-stacked-core in each limb. The magnetic distribution flux, field intensity and magnetic energy are carried out under open-circuit operation or load-loss.

• 센서학회지
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• 제31권6호
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• pp.361-365
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• 2022

Advanced packaging demands are driven by the need for dense integration systems. Consequently, stacked packaging technology has been proposed instead of reducing the ultra-fine patterns to secure economic feasibility. This study proposed an effective packaging process technology for semiconductor devices using a 9-inch dicing die attach film (DDAF), wherein the die attach and dicing films were combined. The process involved three steps: tape lamination, dicing, and bonding. Following the grinding of a silicon wafer, the tape lamination process was conducted, and the DDAF was arranged. Subsequently, a silicon wafer attached to the DDAF was separated into dies employing a blade dicing process with a two-step cut. Thereafter, one separated die was bonded with the other die as a substrate at 130 ℃ for 2 s under a pressure of 2 kgf and the chip was hardened at 120 ℃ for 30 min under a pressure of 10 kPa to remove air bubbles within the DAF. Finally, a curing process was conducted at 175 ℃ for 2 h at atmospheric pressure. Upon completing the manufacturing processes, external inspections, cross-sectional analyses, and thermal stability evaluations were conducted to confirm the optimality of the proposed technology for application of the DDAF. In particular, the shear strength test was evaluated to obtain an average of 9,905 Pa from 17 samples. Consequently, a 3D integration packaging process using DDAF is expected to be utilized as an advanced packaging technology with high reliability.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제20권2호
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• pp.47-51
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• 2013

본 연구에서는 웨이퍼 레벨 Cu 본딩을 이용한 3D 적층 IC의 개발을 위해 2단계 기계적 화학적 연마법(CMP)을 제안하고 그 결과를 고찰하였다. 다마신(damascene) 공정을 이용한 $Cu/SiO_2$ 복합 계면에서의 Cu dishing을 최소화하기 위해 Cu CMP 후 $SiO_2$ CMP를 추가로 시행하였으며, 이를 통해 Cu dishing을 $100{\sim}200{\AA}$까지 낮출 수 있었다. Cu 범프의 표면거칠기도 동시에 개선되었음을 AFM 관찰을 통해 확인하였다. 2단 CMP를 적용하여 진행한 웨이퍼 레벨 Cu 본딩에서는 dishing이나 접합 계면이 관찰되지 않아 2단 CMP 공정이 성공적으로 적용되었음을 확인할 수 있었다.

• Composites Research
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• 제23권2호
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• pp.31-39
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• 2010

본 논문에서는 모자(Hat)형 보강구조를 가진 복합재 패널을 일체성형(Co-curing), 동시접착(Co-bonding), 이차접착(Secondary bonding)의 세 가지 공법으로 제작하였다. 일체성형은 별도의 접착제 없이 프리프레그 상태의 외피와 보강재를 만들어 함께 성형하는 방법으로 다른 제작 공법에 비해 별도의 조립공정이 불필요한 경제적인 공법이다. 동시접착은 외피와 보강재 중 하나를 먼저 성형하고, 나머지는 프리프레그 상태로 먼저 성형된 구조물과 함께 성형하는 방법이며, 이차접착은 복합재 외피와 보강재를 각각 별도로 제작한 후 이를 접착제를 이용하여 별도로 접착하는 방법이다. 일체성형으로 보강 패널을 제작하는 공정에서는 경화 후 내부 금형의 제거를 용이하게 하기 위한 고무금형을 설계, 제작하였고, 경화 온도로 인해 고무금형에서 발생하는 팽창압력에 대한 유한요소해석을 수행하였다. 제작된 보강 패널은 3-D 측정 장비와 초음파 장비로 치수정밀도 및 내부 결함을 평가하였으며, 직접인장시험(Pull-off test)을 수행하여 기계적 특성을 평가하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제30권3호
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• pp.88-93
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• 2023

고대역폭 메모리(HBM)에 대한 수요가 증가하고 직경이 더 큰 웨이퍼의 핸들링 기술이 발전함에 따라 본딩 웨이퍼의 두께 균일성에 대해 신뢰성을 확보할 수 있는 측정 방법이 요구되고 있다. 본 연구에서는 300mm 웨이퍼를 대상으로 웨이퍼의 전 영역에 대해 TTV를 측정할 수 있는 모듈을 설계 제직하고, 측정 모듈의 설계를 바탕으로 발생할 수 있는 측정 오차를 분석하였으며, 웨이퍼의 처짐과 척의 기구적 오차를 고려한 모델 해석을 통해 예측된 기울기 값에 따른 측정 오차를 추정하였다. TTV 측정 모듈은 웨이퍼 지지를 위한 센터 척과 리프트 핀을 활용하여 웨이퍼의 전체 영역에 대해 측정이 가능하도록 하였다. 모달 해석을 통해 모듈의 구조적 안정성을 예측하였으며, 구동부와 측정부 모두 100Hz 이상의 강성을 갖는 것을 확인하였다. 설계된 모듈의 측정 오차를 예측한 결과 두께 1,500um의 본딩 웨이퍼를 측정할 경우 예측된 측정 오차는 1.34nm로 나타났다.

• 대한화학회지
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• 제34권1호
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• pp.1-9
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• 1990

콜레스테릴 펜타노에이트의 결정은 사방정계에 속하며 a = 21.930(3), b = 21.404(3), c = 6.419(5) $\AA$이며 단위세포안에 4개의 분자가 있다. 1.0 $\sigma$ (I)보다 큰 강도를 가진 1,520개의 회절 반점에 대한 최종 R값은 0.086이다. 직접법에 의하여 구조를 풀었으며 C-H 결합길이와 메틸기는 길이를 고정시켜 이상적인 기하학적 구조에 맞춰 cascade diagonal least-squares refinement에 의하여 정밀화하였다. 테트라시클로 고리는 정상적인 구조를 하고 있으나 에스텔과 곁사슬 부분은 열적효과에 의하여 정상적인 길이와 각도의 값에서 변화를 보이고 있으며 에스텔의 끝부분이 굽어져 치켜들고 있다. 분자는 비결합성 van der waals힘에 의하여 서로 쌓여져 있고 가장 짧은 분자간 거리는 3.529 $\AA$이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.410.2-410.2
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• 2016

Tandem structure is promising in organic solar cells because of its double open-circuit voltage (VOC) and efficient photon energy conversion. In a typical tandem device, the two single sub-cells are stacked and connected by an interconnecting layer. The fabrication of two sub-cells are usually carried out in a glovebox filled with nitrogen or argon gas, which makes it expensive and laborious. We report a glovebox-free fabricated inverted tandem organic solar cells wherein the tandem structure comprises sandwiched interconnecting layer based on p-doped hole-transporting, metal, and electron-transporting materials. Complete fabrication process of the tandem device was performed outside the glove box. The tandem solar cells based on poly(3-hexylthiophene) (P3HT) and (6,6)-phenyl C61-butyric acid methyl ester (PCBM) can realize a high VOC, which sums up of the two sub-cells. The tandem device structure was ITO/ZnO/P3HT:PCBM/PEDOT:PSS/MoO3/Au/Al/ZnO-d/P3HT:PCBM/PEDOT:PSS/Ag. The separate sub-cells were morphologically and thermally stable up to 160 oC. The high stability of the active layer benefits in the fabrication processes of tandem device. The performance of tandem organic solar cells comes from the sub-cells with an 50 nm thick active layer of P3HT:PCBM, achieving an average power conversion efficiency (PCE) of 2.9% (n=12) with short-circuit current density (JSC) = 4.26 mA/cm2, VOC = 1.10 V, and fill factor (FF) = 0.62. Based on these findings, we propose a new method to improve the performance and stability of tandem organic solar cells.

• 대한금속재료학회지
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• 제50권10호
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• pp.775-783
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• 2012

The effect of thermal annealing on the in-situ growth characteristics of intermetallics (IMCs) and the mechanical strength of Cu pillar/Sn-3.5Ag microbumps are systematically investigated. The $Cu_6Sn_5$ phase formed at the Cu/solder interface right after bonding and grew with increased annealing time, while the $Cu_3Sn$ phase formed at the $Cu/Cu_6Sn_5$ interface and grew with increased annealing time. IMC growth followed a linear relationship with the square root of the annealing time due to a diffusion-controlled mechanism. The shear strength measured by the die shear test monotonically increased with annealing time. It then changed the slope with further annealing, which correlated with the change in fracture modes from ductile to brittle at a critical transition time. This is ascribed not only to the increasing thickness of brittle IMCs but also to the decreasing thickness of the solder, as there exists a critical annealing time for a fracture mode transition in our thin solder-capped Cu pillar microbump structures.

• 대한금속재료학회지
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• 제49권2호
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• pp.180-186
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• 2011

Isothermal annealing and electromigration tests were performed at $125^{\circ}C$ and $125^{\circ}C$, $3.6{\times}10_4A/cm^2$ conditions, respectively, in order to compare the growth kinetics of the intermetallic compound (IMC) in the Cu/thin Sn/Cu bump. $Cu_6Sn_5$ and $Cu_3Sn$ formed at the Cu/thin Sn/Cu interfaces where most of the Sn phase transformed into the $Cu_6Sn_5$ phase. Only a few regions of Sn were not consumed and trapped between the transformed regions. The limited supply of Sn atoms and the continued proliferation of Cu atoms enhanced the formation of the $Cu_3Sn$ phase at the Cu pillar/$Cu_6Sn_5$ interface. The IMC thickness increased linearly with the square root of annealing time, and increased linearly with the current stressing time, which means that the current stressing accelerated the interfacial reaction. Abrupt changes in the IMC growth velocities at a specific testing time were closely related to the phase transition from $Cu_6Sn_5$ to $Cu_3Sn$ phases after complete consumption of the remaining Sn phase due to the limited amount of the Sn phase in the Cu/thin Sn/Cu bump, which implies that the relative thickness ratios of Cu and Sn significantly affect Cu-Sn IMC growth kinetics.

• 대한화학회지
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• 제38권11호
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• pp.827-832
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• 1994

(N-methylphenazinium) bis(oxalato)palladate(II)$((C_{13}H_{11}N_2)_2[Pd(C_2O_4)_2])$의 착이온 및 결정의 구조는 X-선 회절법으로 연구하였다. 이 결정은 사방정계이고 공간군은 P1 (군번호 = 2)이다. 단위세포 길이는 a = 7.616(8), b = 9.842(3), c = $20.335(7)\AA$, $\alpha$ = 103.53(3), $\beta$ = 90.00(5), $\gamma$ = $112.38(5)^{\circ}이며$, $V = 1363(2){\AA}^3,\;F_w = 672.93,\;D_c = 1.639\;gcm^{-3},\;F(000) = 680.0,\;{\mu} = 7.3\;cm^{-1},\;Z = 2$이다. 회절반점들의 세기는 흑연 단색화 장치가 있는 자동 4축 회절기로 얻었으며 $Mo-K\alpha$ X - 선(${\lambda}$= 0.7107 $\AA)$을 사용하였다. 구조분석은 중금속법으로 풀었으며, 최소자승법으로 정밀화하였고, 최종 신뢰도 값들은 3120개의 회절반점에 대하여 $R = 0.069,\;R_w = 0.050,\;R_{all} = 0.069$ 및 S = 5.45였다. 착이온들은 근본적인 평면구조로써, 이들의 충진구조는 착음이온들을 두개의 양이온들이 거의 평행하게 둘러싸고 있는 삼중체들을 형성하고 있다. 양이온과 음이온들의 이면각들이 각각 6.3(6)과 $57.06(6)^{\circ}$인 삼중체들이 b축을 따라서 배열되어 있으나, 삼중체면의 배향은 두 가지 착음이온의 이면각이 $59.08(9)^{\circ}$을 이루는 방향이다. 삼중체내의 면간거리는 각각 3.328와 3.463 $\AA$이었다.