• 한국시뮬레이션학회논문지
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• 제15권2호
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• pp.51-57
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• 2006

현재 반도체 산업은 200mm 웨이퍼에서 300mm 웨이퍼 공정으로 기술이 변화하고 있다. 300mm 웨이퍼 제조업체들은 Fabrication Line (FAB Line) 자동화를 비용절감 실현의 방책으로 사용하고 있다. 또한 기술의 확산, 시장 경쟁력의 격화 등으로 생산성 향상에 의한 원가절감이 반도체 산업 성장의 근본요인이 되고 있다. 대부분의 반도체 업체들은 생산성을 높이기 위해 average cycle time을 줄이는데 총력을 기울이고 있다. 본 논문에서는 average cycle time을 줄이는 데 중점을 두고, 300mm 반도체 제조공정을 시뮬레이션 하였다.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제22권6호
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• pp.148-155
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• 2008

본 논문에서는 웨이퍼 에지 노광장비에 핵심 부분인 웨이퍼의 편심오차의 측정알고리즘과 플랫/노치의 방향을 해석하는 알고리즘을 제안하였다. 또한 새로 제안된 알고리즘을 전산 시뮬레이션을 통해 그 유효성을 확인하였으며 제작된 웨이퍼 에지 노광기에 적용하여 실제 장비에 적용 가능함을 확인하였다. 제안된 알고리즘을 위해 필요한 웨이퍼 에지 위치 검출방식에 있어 과거의 접촉식 방법을 사용함으로서 발생하는 파티클의 오염을 제거하기 위해 선형 CCD 센서를 적용한 비접촉 방식의 데이터 측정법을 적용함으로서 파티클의 오염을 제어 할 수 있었다.

• 한국공작기계학회논문집
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• 제17권2호
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• pp.1-6
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• 2008

In recent years, developments in the semiconductor and electronic industries have brought a rapid increase in the use of large size silicon wafer. For further improvement of the ultra precision surface and flatness of Si wafer necessary to high density ULSI, it is known that polishing is very important. However, most of these investigation was experiment less than 300mm diameter. Polishing is one of the important methods in manufacturing of Si wafers and in thinning of completed device wafers. This study reports the machining variables that has major influence on the characteristic of wafer polishing. It was adapted to polishing pressure, machining speed, and the slurry mix ratio, the optimum condition is selected by ultra precision wafer polishing using load cell and infrared temperature sensor. The optimum machining condition is selected a result data that use a pressure and table speed data. By using optimum condition, it achieves a ultra precision mirror like surface.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제2권3호
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• pp.31-36
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• 2003

On this study, an E.E(End-Effector) for the 300 mm wafer transfer robot system is newly suggested. It is a mechanical type with $180^{\circ}$ rotating ranges and is composed of 3-point arms, two plate springs and single-axis DC motor controlled by microchip. To design, relationship between the gripping force and the wafer deformation is analyzed by FEM. By analytic results, the gripping force for 300 mm wafer is confirmed as 255~274 gf. From experimental results on gripping force, repeatable position accuracy and gripping cycle times in a wafer cleaning system, we confirmed that the suggested E.E was well designed to satisfiy on the required performance for 300 mm wafer transfer robot system.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.152-152
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• 2014

최근 반도체의 고집적화로 high dose implant 도입과 소자의 동작 특성 향상을 위한 low-k 물질 도입에 따라 다양한 주변 공정의 변화를 이끌고 있다. 이에 따라 반도체 제조의 핵심 공정 단계 중 하나인 ashing 단계에서 기존 성능 이상의 장비를 기대하고 있으며, 그것을 평가하기 위한 중요 요소로 uniformity와 fast stripping이 있다. 본 연구에서는 유체해석 시뮬레이션을 통해 450 mm ashing 챔버에서의 gas inlet baffle과 wafer stage 사이의 최적 거리를 예측했다. 우선적으로 시뮬레이션의 신뢰도를 높이기 위해 실험으로 측정한 300 mm ashing 결과와 유체해석 결과 molecular flux의 상관관계를 파악하여, 450 mm ashing 챔버의 최적 구조를 예측하였다. 선행 연구한 300 mm 시뮬레이션 결과를 바탕으로 이상적인 450 mm ashing 챔버를 설계하였다. 유체해석 결과는 동일한 형태의 수직형 구조 장비에서 baffle과 wafer stage 사이의 거리가 35 mm에서 60 mm일 때, 450 mm wafer surface 위에서 더욱 균일한 density 분포를 나타내었다. Reactant flux 분포는 거리가 60 mm에서 80 mm 사이일 경우 더 균일하게 나타났다. 그러므로, 450 mm 챔버에서 gas inlet baffle과 wafer stage 간격이 60 mm일 때 최적의 구조로 판단된다.

• 한국생산제조학회지
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• 제22권2호
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• pp.310-317
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• 2013

In this paper, the contact pressure of the wafer and polishing pad for final polishing process for 300 mm-wafer were investigated through numerical analysis using FEM tool, ANSYS. The distribution of the contact pressure is one of main parameters which affects on the flatness and surface roughness of polished wafers. Two types of polishing head, a hard type head with ceramic disk and a soft type head with air bag were considered. The effects of the deformation and initial shape of table on the contact pressure were also examined. Both heads and tables were modeled as 3D finite element model from solid model, and the material properties of polishing pads and rubber plate for the air-bag head were obtained from tensile tests. The contact pressure deviation on wafer surface was smaller with air bag head than hard type head even when the table had form errors such as convex or concave. From this 3D analysis, it could be concluded that the air-bag head has better uniformity of the contact pressure on wafer. Also, the effects of inner diameter of air bag and radial clearance between wafer and retainer were investigated as view point of contact pressure concentration on the edge of wafer.

• 한국기계가공학회지
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• 제11권6호
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• pp.48-54
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• 2012

In recent years, developments in the semiconductor and electronic industries have brought a rapid increase in the use of large size silicon. However, for many companies, it is hard to produce 400mm or 450mm wafers, because of excesive funds for exchange the equipments. Therefore, it is necessary to investigate 300mm wafer to obtain a better efficiency and a good property rate. Polishing is one of the important methods in manufacturing of Si wafers and in thinning of completed device wafers. This research investigated the surface characteristics that apply variable machining conditions and Taguchi Method was used to obtain more flexible and optimal condition. In this study, the machining conditions have head speed, oscillation speed and polishing time. By using optimum condition, it achieves a ultra precision mirror like surface.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제30권3호
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• pp.88-93
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• 2023

고대역폭 메모리(HBM)에 대한 수요가 증가하고 직경이 더 큰 웨이퍼의 핸들링 기술이 발전함에 따라 본딩 웨이퍼의 두께 균일성에 대해 신뢰성을 확보할 수 있는 측정 방법이 요구되고 있다. 본 연구에서는 300mm 웨이퍼를 대상으로 웨이퍼의 전 영역에 대해 TTV를 측정할 수 있는 모듈을 설계 제직하고, 측정 모듈의 설계를 바탕으로 발생할 수 있는 측정 오차를 분석하였으며, 웨이퍼의 처짐과 척의 기구적 오차를 고려한 모델 해석을 통해 예측된 기울기 값에 따른 측정 오차를 추정하였다. TTV 측정 모듈은 웨이퍼 지지를 위한 센터 척과 리프트 핀을 활용하여 웨이퍼의 전체 영역에 대해 측정이 가능하도록 하였다. 모달 해석을 통해 모듈의 구조적 안정성을 예측하였으며, 구동부와 측정부 모두 100Hz 이상의 강성을 갖는 것을 확인하였다. 설계된 모듈의 측정 오차를 예측한 결과 두께 1,500um의 본딩 웨이퍼를 측정할 경우 예측된 측정 오차는 1.34nm로 나타났다.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 2002년도 ICCAS
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• pp.56.1-56
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• 2002

$\textbullet$ Introduction $\textbullet$ Constitution and equipment of AMHS $\textbullet$ Discussion about Using Stocker $\textbullet$ Ahead developed 300mm stockers $\textbullet$ 300mm Stocker Solution-Modular Stocker $\textbullet$ Conclusion

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2011년도 춘계학술대회 및 Fine pattern PCB 표면 처리 기술 워크샵
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• pp.155-155
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• 2011

Dual coil을 사용하는 상용 AMAT DPS II 300 mm Centura 장비의 antenna의 전류비를 조절하여 $SiO_2$의 식각 균일도를 평가하였다. Inner turn과 outer turn의 흐르는 전류비를 분배 capacitor로 조절하여 16.9 %의 이온 전류 밀도 분포를 확인하였고, 투입 전력에 따라 200 W에서 12 %, 800 W에서 9 %로 점차 감소하는 경향을 확인하였다. 이때 300 mm wafer의 반지름 방향으로의 식각 균일도는 3 %로 측정되었고, FRC (flow ratio control)는 0.5에서 가장 균일한 결과를 얻었다.