• 제목/요약/키워드: 3차원 bump

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대시야 백색광 간섭계를 이용한 Flip Chip Bump 3차원 검사 장치 (Flip Chip Bump 3D Inspection Equipment using White Light Interferometer with Large F.O.V.)

  • 구영모;이규호
    • 한국지능시스템학회논문지
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    • 제23권4호
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    • pp.286-291
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    • 2013
  • 대시야 백색광간섭계(WSI ; White Light Scanning Interferometer)를 이용하여, Flip Chip Bump 검사 공정에 적용하는 것을 목적으로 한 인라인 형태의 플립칩 범프 3차원 검사 장치를 개발한다. 여러 서브스트레이트에 있는 플립칩 범프 높이 측정 결과와 이에 의한 동일한 여러 범프에 대한 반복성 측정 실험 결과를 제시한다. 테스트 벤치에서의 실험 결과와 개발된 플립칩 범프 3차원 검사 장치에서의 실험 결과를 비교하였으며 진동의 영향이 감소되어 개선된 반복성 실험 결과를 얻을 수 있었다. 플립칩 범프 3차원 검사 장치의 검사성능을 평가할 수 있는 기준을 제시한다.

반도체 3차원 칩 적층을 위한 미세 범프 조이닝 기술 (Micro-bump Joining Technology for 3 Dimensional Chip Stacking)

  • 고영기;고용호;이창우
    • 한국정밀공학회지
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    • 제31권10호
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    • pp.865-871
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    • 2014
  • Paradigm shift to 3-D chip stacking in electronic packaging has induced a lot of integration challenges due to the reduction in wafer thickness and pitch size. This study presents a hybrid bonding technology by self-alignment effect in order to improve the flip chip bonding accuracy with ultra-thin wafer. Optimization of Cu pillar bump formation and evaluation of various factors on self-alignment effect was performed. As a result, highly-improved bonding accuracy of thin wafer with a $50{\mu}m$ of thickness was achieved without solder bridging or bump misalignment by applying reflow process after thermo-compression bonding process. Reflow process caused the inherently-misaligned micro-bump to be aligned due to the interface tension between Si die and solder bump. Control of solder bump volume with respect to the chip dimension was the critical factor for self-alignment effect. This study indicated that bump design for 3D packaging could be tuned for the improvement of micro-bonding quality.

Bump가 있는 초음속 흡입구 유동장의 수치적 연구 (THE NUMERICAL STUDY ON THE SUPERSONIC INLET FLOW FIELD WITH A BUMP)

  • 김상덕;송동주
    • 한국전산유체공학회지
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    • 제10권3호
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    • pp.19-26
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    • 2005
  • The purpose of this paper is the study on the characteristics of an inlet system with shock/boundary layer interactions by using various types of bumps which are substituted for the conventional bleeding system in supersonic inlet. in this study a comprehensive numerical analysis has been performed to understand the three-dimensional flow field including shock/boundary layer interaction and growth of turbulent boundary layer that might occur around a three-dimensional bump in a supersonic inlet. The characteristics of boundary layer seen in the current numerical simulations indicate the potential capability of a three-dimensional bump to control shock/boundary layer interaction in supersonic inlets.

범프포일의 3차원 형상을 고려한 공기 포일저널베어링의 정특성 해석 (The Static Performance Analyses of Air Foil Journal Bearings Considering Three-Dimensional Structure of Bump Foil)

  • 이동현;김영철;김경웅
    • Tribology and Lubricants
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    • 제21권6호
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    • pp.256-262
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    • 2005
  • The calculation of bump foil deflection is very important to predict the performance of foil bearings more accurately, because the foil bearings consist of top foil and its elastic foundation usually called bump foil. For the purpose of this, a finite element model considering 3-dimensional structure of the bump foil is developed to calculate the deflection of inter-connected bump. The results obtained from the suggested model are compared and analyzed with those from the previous proposed deflection models. In addition, load capacity of the foil bearings is analyzed by using this model.

Bump가 있는 초음속 유동장의 수치적 연구 (The Numerical Study on the Supersonic Flow field with a Bump)

  • 김상덕;송동주
    • 한국전산유체공학회:학술대회논문집
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    • 한국전산유체공학회 2005년도 춘계 학술대회논문집
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    • pp.213-218
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    • 2005
  • The purpose of this study is the characteristics of an innovative inlet system with shock/boundary layer interactions by using various types of bumps which are substituted for the conventional bleeding system in supersonic inlet. This study performs a comprehensive numerical effort that be directed at better understanding the three-dimensional flowfield includes shock/boundary layer interaction and growth of turbulent boundary layer that occur around a three-dimensional bump in a supersonic inlet. The characteristics of boundary layer seen in the current numerical simulations indicates the potential capability of the three-dimensional bump to control shock/boundary layer interaction in supersonic inlets.

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TSV 기반 3차원 반도체 패키지 ISB 본딩기술 (ISB Bonding Technology for TSV (Through-Silicon Via) 3D Package)

  • 이재학;송준엽;이영강;하태호;이창우;김승만
    • 한국정밀공학회지
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    • 제31권10호
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    • pp.857-863
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    • 2014
  • In this work, we introduce various bonding technologies for 3D package and suggest Insert-Bump bonding (ISB) process newly to stack multi-layer chips successively. Microstructure of Insert-Bump bonding (ISB) specimens is investigated with respect to bonding parameters. Through experiments, we study on find optimal bonding conditions such as bonding temperature and bonding pressure and also evaluate in the case of fluxing and no-fluxing condition. Although no-fluxing bonding process is applied to ISB bonding process, good bonding interface at $270^{\circ}C$ is formed due to the effect of oxide layer breakage.

각 연산을 이용한 효과적인 범프 매핑 하드웨어 구조 설계 (Design of an Effective Bump Mapping Hardware Architecture Using Angular Operation)

  • 이승기;박우찬;김상덕;한탁돈
    • 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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    • 제30권11호
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    • pp.663-674
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    • 2003
  • 범프 매핑은 복잡한 모델링 과정 없이 기하 매핑을 통하여 땅콩 껍질의 돌기와 같은 객체 표면의 세밀한 부분을 표현해내는 기법이다. 그러나 이 기법은 법선 벡터 쉐이딩과 같은 상당한 복잡도를 가진 연산을 픽셀 당 처리해줘야 하므로, 이의 하드웨어 구현은 상당한 비용을 필요로 한다. 본 논문에서는 극 좌표계를 이용한 새로운 범프 매핑 알고리즘 및 하드웨어 구조를 제안한다. 이는 참조 공간으로의 변환을 위한 새로운 벡터 회전 방식과 연산이 최소화된 조명 계산 방식을 갖는 구조로, 기존의 구조에 비해 범프 매핑을 효과적으로 수행한다. 결과적으로 제안하는 구조는 범프 매핑에 필요한 연산 및 하드웨어를 상당량 줄였다.

3차원 적층 패키지를 위한 ISB 본딩 공정의 파라미터에 따른 파괴모드 분석에 관한 연구 (Fracture Mode Analysis with ISB Bonding Process Parameter for 3D Packaging)

  • 이영강;이재학;송준엽;김형준
    • Journal of Welding and Joining
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    • 제31권6호
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    • pp.77-83
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    • 2013
  • 3D packaging technology using TSV (Through Silicon Via)has been studied in the recent years to achieve higher performance, lower power consumption and smaller package size because electrical line is shorter electrical resistivity than any other packaging technology. To stack TSV chips vertically, reliable and robust bonding technology is required because mechanical stress and thermal stress cause fracture during the bonding process. Cu pillar/solder ${\mu}$-bump bonding process is usually to interconnect TSV chips vertically although it has weak shape to mechanical stress and thermal stress. In this study, we suggest Insert-Bump (ISB) bonding process newly to stack TSV chips. Through experiments, we tried to find optimal bonding conditions such as bonding temperature and bonding pressure. After ISB bonding, we observed microstructure of bump joint by SEM and then evaluated properties of bump joint by die shear test.

3차원 적층 패키지를 위한 Cu/Ni/Au/Sn-Ag/Cu 미세 범프 구조의 열처리에 따른 금속간 화합물 성장 거동 분석 (Intermetallic Compound Growth Characteristics of Cu/Ni/Au/Sn-Ag/Cu Micro-bump for 3-D IC Packages)

  • 김준범;김성혁;박영배
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제20권2호
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    • pp.59-64
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    • 2013
  • 3차원 적층 패키지를 위한 Cu/Ni/Au/Sn-Ag/Cu 미세 범프의 열처리에 따른 금속간 화합물 성장 거동을 분석하기 위하여 in-situ SEM에서 $135^{\circ}C$, $150^{\circ}C$, $170^{\circ}C$의 온도에서 실시간 열처리 실험을 진행하였다. 실험 결과 금속간 화합물의 성장 거동은 열처리시간이 경과함에 따라 시간의 제곱근에 직선 형태로 증가하였고, 확산에 의한 성장이 지배적인 것을 확인 할 수 있었다. Ni/Au 층의 존재로 인해 Au의 확산으로 복잡한 구조의 금속간 화합물이 생성 된 것을 확인할 수 있다. 활성화 에너지는 $Cu_3Sn$의 경우 0.69eV, $(Cu,Ni,Au)_6Sn_5$경우 0.84 eV로 Ni이 포함된 금속간 화합물이 더 높은 것을 확인 하였으며, 확산 방지층 역할을 하는 Ni층에 의해 금속간 화합물 성장이 억제됨에 따라 신뢰성이 향상 될 것으로 사료된다.

회전헤드에 대한 주행테이프의 부상특성 (II) -실험해석- (Flying Characteristics of Running Tape above Rotating Head (II) -Experimental Analysis-)

  • 민옥기;김수경
    • 대한기계학회논문집
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    • 제15권1호
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    • pp.107-119
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    • 1991
  • 본 연구에서는 테이프의 미소한 수직 변형에 대한 실험을 수행하여 이에 대한 계측 이론 및 계측방법을 정립한다. 회전 헤드와 주행 테이프를 구동할 수 있는 실 험 장치를 개발하고 주행 테이프의 변형을 정밀 계측할 수 있는 측정 시스템을 구성한 다. 이러한 측정 시스템을 이용하여 고속이면서 미소한 주행 테이프의 변형에 대해 비접촉적인 방법으로 3차원 계측을 실시한다. 헤드의 형상 및 크기가 다른 모델들을 설계 및 가공을 통해 제작하여 주행 테이프의 부상 특성을 평가한다. 주행 테이프의 부상 특성에 관한 수치 해석 결과에 대하여 실제와의 부합 여부를 검토할 수 있도록 실험을 수행한다. 본 연구에서 구성한 비접촉 측정 시스템으로 계측한 테이프의 3차 원 변형에 대한 실험 결과와 수치 해석 결과를 비교 검토한다.