Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제13권4호
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pp.171-176
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2012
As langasite $A_3BC_3D_2O_{14}$ compounds with piezoelectric properties exhibit no phase transition up to the melting point of 1,400-$1,500^{\circ}C$, many high temperature applications are expected for the SAW filter, temperature sensor, pressure sensor, and so on, based on the digital transformation of wider bandwidth and higher-bit rates. It has a larger electromechanical coupling factor compared to quartz and also nearly the same temperature stability as quartz. The $La_3Ga_5SiO_{14}$ (LGS) crystal with the $Ca_3Ga_2Ge_4O_{14}$-type crystal structure was synthesized and the crystal structure was analyzed by Mill et al. It is also an important feature that the growth of the single crystal is easy. In the case of three-element compounds such as $[R_3]_A[Ga]_B[Ga_3]_C[GaSi]_DO_{14}$ (R=La, Pr and Nd), the piezoelectric constant increases with the ionic radius of R. In this study, crystal structures of four-element compounds such as $[A_3]_A[B]_B[Ga_3]_C[Si_2]_DO_{14}$ (A = Ca or Sr, B = Ta or Nb) are analyzed by a single crystal X-ray diffraction, and the mechanism and properties of the piezoelectricity depending on the species of cation was clarified based on the crystal structure.
This paper describes the influence of a polycrystalline (poly) 3C-SiC buffer layer on the surface acoustic wave (SAW) properties of poly aluminum nitride (AlN) thin films by comparing the center frequency, insertion loss, the electromechanical coupling coefficient ($k^2$), andthetemperaturecoefficientoffrequency(TCF) of an IDT/AlN/3C-SiC structure with those of an IDT/AlN/Si structure, The poly-AlN thin films with an (0002)-preferred orientation were deposited on a silicon (Si) substrate using a pulsed reactive magnetron sputtering system. Results show that the insertion loss (21.92 dB) and TCF (-18 ppm/$^{\circ}C$) of the IDT/AlN/3C-SiC structure were improved by a closely matched coefficient of thermal expansion (CTE) and small lattice mismatch (1 %) between the AlN and 3C-SiC. However, a drawback is that the $k^2(0.79%)$ and SAW velocity(5020m/s) of the AlN/3C-SiC SAW device were reduced by appearing in some non-(0002)AlN planes such as the (10 $\bar{1}$ 2) and (10 $\bar{1}$ 3) AlN planes in the AlN/SiC film. Although disadvantages were shown to exist, the use of the AlN/3C-SiC structure for SAW applications at high temperatures is possible. The characteristics of the AlN thin films were also evaluated using FT-IR spectra, XRD, and AFM images.
본 연구는 $H_2O/LiBr$와 $NH_3/H_2O$계를 사용하는 2단2원 흡수식 사이클의 특성에 관한 연구이다. 이 사이클은 2개의 단효용 사이클로 이루어져 있으며, 저온단의 흡수기와 응축기에서 얻어진 열을 고온단의 증발기에서 이용하는 사이클로서 저온단의 증발기 및 응축기의 온도, 재생기 온도, 열교환 온도차를 파라메터로 하여 계산한 결과 다음과 같은 결론을 얻었다. 2단2원사이클의 성립범위를 확인하였으며 본 계산조건에서 $50{\sim}70^{\circ}C$의 승온폭을 얻을 수 있었다. 또한 $50^{\circ}C$의 난방온도를 얻기위한 최적재생온도는 $105^{\circ}C$, 최대 COP를 얻기위한 저온측사이클의 응축압력은 $16^{\circ}C$, 그리고 이 조건에서 저온측 사이클의 응축압력을 단효용 사이클의 경우보다 낮게 억제하는 것이 가능함을 알았다.
The human muscarinic acetylcholine receptor (mAChR) subtypes Hml, Hm2 and Hm3 have been expressed in insect cells (Spodoptera frugiperda, Sf9) using the baculovirus expression system. Expression of relevant DNA, transcript and receptor proteins was identified by PCR, Northern blotting and [$^{3}H$]QNB binding, respectively. As assessed by [$^{3}H$]QNB binding sites, yields of muscarinic receptors in membrane preparations in this study were as about 5-20 times high as those in mammalian cells reported in previous studies. The [$^{3}H$]QNB competition binding studies with well-known subtype-selective mAChR antagonists showed that the receptors expressed in Sf9 cells retain the pharmacological characteristics expected for the ml , m2 and m3 muscarinic receptors. The ml-selective antagonist, pirenzepine, displayed a considerably higher affinity for Hml by 110-fold and 35-fold than for Hm2 and Hm3, respectively, The m2-selective methoctramine displayed a significantly higher affinity for Hm2 than for Hml and Hm3 (10- and 26-fold, respectively). p-F-HHSiD exhibited high affinity for Hm3 that is not significantly different from those for Hml, but 66-fold higher than its affinity for Hm2. The functional coupling of the recombinant receptors to second messenger systems was also examined. While both Hml and Hm3 stimulated phosphoinositide hydrolysis upon activation by carba-chol, Hm2 produced no response. On the other hand, activation of mAChRs induced the inhibition of forsko-lin-stimulated cyclic AMP formation in Hm2-expressing cells, whereas the significant dose-dependent increase in or poor response on cyclic AMP formation were produced in Hml or Hm3-expressing cells, respectively. These results indicate the differential coupling of recombinant Hml, Hm2 and Hm3 receptors expressed in SF9 cells to intracellular signalling system.
한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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pp.340-343
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2002
We report here our recent progress in the development and commercialization of polyfluorenes emitting red, green and blue (ROB) colors as materials for light emitting diodes (LEDs). Our patented version of the Suzuki coupling process has been used to synthesize a variety of fluorenebased homopolymers and copolymers emitting colors across the entire visible spectrum. The optical and electronic properties of the polymers are tailored through selective incorporation of different aromatic units into the polyfluorene backbone. Our latest green emitter, reported herein, provides very efficient devices with a low turn-on voltage of 2.25 V, a peak efficiency of 10.5 Cd/A at 6,600 Cd/$m^2$ at 4.85 V. These devices maintain an efficiency of greater than 10 Cd/A up to 50,000 Cd/$m^2$ and demonstrate very good stability as exemplified by a device half-life of greater than 1,500 hours starting from 1,100 Cd/$m^2$. Considerable progress has also been made with red and blue emitters and will be the subject of this presentation.
Lee, Jong-Kyu;Cho, Jeng-Ho;Kim, Byung-Ik;Kim, Eung Soo
Journal of Ceramic Processing Research
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제13권spc2호
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pp.341-345
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2012
[Li0.055(K0.5Na0.5)0.945](Nb1-xTax)O3 (0.05 ≤ x ≤ 0.25) ceramics were prepared by the partial sol-gel (PSG) method to improve the microstructure homogeneity of Ta5+ ion and were compared to those prepared by the conventional mixed oxide (CMO) method. For the PSG method, Ta(OC2H5)5 was directly reacted with calcined [Li0.055(K0.5Na0.5)0.945]NbO3 powders and the specimens sintered at 1100 ℃ for 5 hrs showed a single phase with a perovskite structure. Compared to the specimens prepared by conventional mixed oxide powders, the relative ratio of tetragonal phase to orthorhombic phase of the sintered specimens prepared by Ta(OC2H5)5 was larger than that of the sintered specimens prepared by Ta2O5. The electromechanical coupling factor (kp), piezoelectric constant (d33) and dielectric constant (εr) of the sintered specimens were increased with Ta5+ content. These results could be attributed to the decrease of the orthorhombic-tetragonal polymorphic phase transition temperature (To-t), which could be evaluated by oxygen octahedral distortion. Strain of the sintered specimens prepared by the PSG method was higher than that of specimens prepared by the CMO method due to the increase of relative density. The effects of crystal structure on the strain characteristics of the specimens were also discussed.
분산 소자로 이루어진 고역 통과 필터의 최적화된 응답을 이용하여 우수한 차단 대역 특성과 통과 대역 내에 저지 대역을 갖는 UWB 대역 통과 필터를 설계 제작하였다. 변형된 고역 통과 필터의 등가 회로를 분산 소자로 구성하고, 최적화를 통해 FBW 100 % 이상의 넓은 통과 대역을 갖도록 하였다. Desegmentation technique로 급전선로간의 커플링 효과를 분석하고, 이를 이용하여 통과 대역 상, 하측의 우수한 차단 특성을 구현하였다. 또한, 최근 문제가 되고 있는 Wireless LAN과 Hyper LAN 대역(5.15~5.825 GHz)에서의 간섭 문제 해결을 위해, spurline을 추가하여 대역 저지를 실현하였다. 제작된 필터는 3.1~10.55 GHz의 통과 대역과 0.94 ns 이하의 평탄한 군 지연 응답을 보였고, 통과 대역 양단의 우수한 차단 대역과 5.2~6.12 GHz의 저지 대역이 측정되었다.
Lead-free $0.94(Na_{0.5}K_{0.5})NbO_3$-0.06Ba$(Ti_{0.9}Sn_{0.1})O_3$ [0.94NKN-0.06BTS] ceramics doped with 1 mol% $MnO_2$ were synthesized by a conventional solid state method. The phase transitional behavior and piezoelectric properties of the ceramics sintered at various temperatures were investigated. The 0.94NKN-0.06BTS ceramics sintered at $1050^{\circ}C$, having morphotropic phase boundary of orthorhombic and tetragonal phases, exhibited a microstructure with abnormal grain growth. A diffused phase transition behavior for all the specimens was verified as high degree of diffuseness (${\gamma}$) values from 1.45 to 1.79. A high piezoelectric constant of $d_{33}=256$ pC/N and a satisfactory electromechanical coupling factor of $k_p=42%$ were obtained for the relatively dense 0.94NKN-0.06BTS ceramics sintered at $1050^{\circ}C$.
The 0.98 ($Na_{0.44}K_{0.52})Nb_{0.84}O_3-0.02Li_{0.04}$ ($Sb_{0.06}Ta_{0.1})O_3-0.5$ mol%CuO ceramics have been fabircated by ordinary sintering technique and the effect of various calcination method on the electrical propertis and microstructure have been studied. It was observed that the various calcination method influenced the elelctrical properties and structural properties of the 0.98NKN-0.02LST-0.5 mol%CuO ceramics with the optimum piezoelectric constant ($d_{33}$) and electromechanical coupling factor ($k_p$) at room temperature of about $155{\rho}C/N$ and 0.349, respectively, from 0.98NKN-0.02LST-0.5 mol%CuO ceramics sample. The curie temperature ($T_c$) of this ceramic was found at $440^{\circ}C$. The 0.98NKN-0.02LST-0.5 mol%CuO ceramics are a promising lead-free piezoelectric ceramics.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제12권2호
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pp.72-75
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2011
In this study, $(K_{0.5}Na_{0.5})(Nb_{0.97}Sb_{0.03})O_3+0.9$ mol% $K_{5.4}Cu_{1.3}Ta_{10}O_{29}+x$ mol% $K_4CuNb_8O_{23}$ (x = 0, 0.2, 0.6, 0.8) ceramics were prepared by a conventional mixed oxide method. Their microstructure and electric properties were investigated. The secondary phase was made by virtue of $K_4CuNb_8O_{23}$ (KCN) addition in the $(K_{0.5}Na_{0.5})(Nb_{0.97}Sb_{0.03})O_3$ system ceramics. However, the sinterability of the ceramics increased with increasing $K_4CuNb_8O_{23}$ content. At the 0.6 mol% $K_4CuNb_8O_{23}$ added composition ceramics sintered at $1,060^{\circ}C$, kp and $d_{33}$ showed the optimum values of 0.39 and 145 pC/N, respectively, suitable for piezoelectric actuator application.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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