BACKGROUND: This study was conducted to develop selenium (Se)- and germanium (Ge)-enriched rice by foliar spray application of organic or inorganic Se and Ge. METHODS AND RESULTS: The time and frequency of organic or inorganic Se and Ge treatment were performed at the five main growth stages as followings: effective tillering stage (E), maximum tillering stage (M), booting stage (B), heading stage (H), grain filling stage (G). The main treatment plots were consisted of (1) 'once' treatment (at each E, M, B, H, G stage, Se/Ge single apply), (2) 'twice I' (at H + G stages, organic or inorganic Se/Ge apply), (3) 'twice II' (at H + G stages, mixture apply of Se + Ge + pesticide). The organic or inorganic Se treatment concentration was 20 and 40 ppm, and the Ge was 50 and 100 ppm. The Se and Ge contents in rice grain (brown rice and polished rice) were analyzed by inductively coupled plasma (ICP). The highest Se content was noted in brown rice 'twice I' with Se 40 ppm (1394.06) at H + G stages, but the lowest was in 'once' with Se 40 ppm ($367.79{\mu}g{\cdot}kg^{-1}$) at B stage. The highest of Se content in polished rice was found in 'twice I' of Se 40 ppm (1090.25) at H + G stages, but the lowest was in 'once' with Se 40 ppm ($403.53{\mu}g{\cdot}kg^{-1}$) at E stage. On the other hand, The highest of Ge content in brown rice was found in 'twice I' with Ge 100 ppm (398.66) at H + G stages, but the lowest was in 'once' with Ge 100 ppm ($139.64{\mu}g{\cdot}kg^{-1}$) at B stage. The highest of Ge content in polished rice was found in 'twice I' of Ge 100 ppm (300.29) at H + G stages, but the lowest was in 'once' with Ge 100 ppm ($142.24{\mu}g{\cdot}kg^{-1}$) at B stage. CONCLUSION: Se and Ge contents both in brown rice and polished rice treated with organic Se and Ge forms were higher than those of inorganic Se and Ge. Overall results concluded that the supplementation of organic Se and Ge contents in brown and polished rice contents were comparatively higher than the inorganic Se and Ge. This is results also proved that the foliar spray application of organic Se and Ge has positive nutritive effect on the rice for regular consumption.
We first confirm the tautomerization of 2-thiazoline-2-thiol on Ge (100) surface using CLPES and DFT calculation. We clearly confirmed that there exist two different molecular structures (we well show in our poster) in C 1s, N 1s, and S 2p CLPES spectra. Moreover, we obtained two plausible adsorption structures using DFT calculation which are that one is s-dative bonded structure and the other is SH dissociated-N-dative bonded structure although their stabilities are different on Ge (100) surface. We will investigate this interesting result for the confirmation of tautomerization of 2-thiazoline-2-thiol molecule adsorbed on Ge (100) surface.
The bonding configuration and adsorption stability of alanine and leucine adsorbed on Ge(100)-2${\times}$1 surface were investigated and compared using core-level photoemission spectroscopy (CLPES) and density functional theory (DFT) calculations. The bonding configuration, stability, and adsorption energies were evaluated for two different coverage levels. In both cases, the C 1s, N 1s, and O 1s core-level spectra at a low coverage (0.30 ML) indicated that the carboxyl and amine groups participated in bonding with the Ge(100) surface in an "O-H dissociated-N dative bonded structure". At high coverage levels (0.60 ML), both this structure and an "O-H dissociation bonded structure" were present. As a result, we found that alanine adsorbs more easily (lower adsorption energy) than leucine on Ge(100) surfaces due to less steric hindrance of side chain.
본 연구는 마늘 추출물(GE)의 급여가 육계 생산성, 영양소 소화율, 도체 성상 및 계육 특성에 미치는 영향에 대해 조사하기 위하여 1일령 Hubbard 종 Broiler(체중 $44.72{\pm}1.76\;g$) 1,200수를 공시하여 3처리 4반복, 반복당 100수씩 완전 임의 배치하였다. 3개의 처리구는 각각 대조구, 마늘 추출물 (GE) 100 ppm, 200 ppm 첨가구로 나누어, 육계 전기(0~3주)와 육계 후기(4~5주) 총 5주 동안 사양 시험을 진행하였다. 마늘 추출물(GE) 100 ppm과 200 ppm을 사료에 첨가하여 실험한 결과 증체량과 사료 섭취량에서는 GE 100 ppm 첨가구가 대조구에 비해 높게 나타났지만 통계적 유의성은 인증되지 않았다(p>0.05). 후기의 사료 요구율은 GE 100 ppm 첨가구가 대조구에 비해 개선되었다(p<0.05). 영양소 소화율에서는 GE 100 ppm 첨가구와 GE 200 ppm 첨가구의 건물 소화율이 대조구에 비해 개선되었다(p<0.05). 산패도는 계육의 보존 기간을 늘려주는 주요한 요소인데, 마늘 추출물 급여시 계육의 산패도가 저장 8일과 12일차에 대조구에 비해 유의적으로 낮게 나타났다(p<0.05). 육색 측정에서는 가슴살의 명도, 적색도와 황색도를 조사하였는데, 명도에서 GE 200 ppm 첨가구가 대조구에 비해 높게 나타났다(p<0.05). 본 실험의 결과 육계 사료 내 GE의 첨가는 육계의 생산성에는 영향을 미치지 못한 것으로 나타났다. 그러나 계육의 보존 기간을 늘려주는 주요한 요소인 산패도와 소비자들의 기호성을 높여주는 육색(명도)을 개선시킨 것으로 볼 때 육계 사료 내 GE의 첨가는 계육의 육질 개선에 효과가 있는 것으로 판단된다.
본 논문에서는 MAC(metal-assisted chemical) 에칭을 이용하여 Ge(Germanium) 표면에 나노구조를 형성하고, 그 위에 열팽창계수가 높은 PDMS를 적용하여 광음향효과를 이용한 초음파 발생 소자를 제작하였다. Ge 나노구조 위에 PDMS를 스핀 코팅하여 만든 초음파 발생 소자는 100 nm Cr(Chromium) 대비 약 3배의 초음파를 발생시켰다. 또한, Ge 나노구조를 PDMS 중앙에 위치시 킬 경우 쿼츠 기판을 통한 열손실이 줄어들어 100 nm Cr 대비 8.5배의 강한 초음파를 얻을 수 있었다.
동진벼의 현미에서 캘러스를 유도하여 증식할 경우 Ge첨가가 캘러스 내의 Ge함량에 미치는 영향을 검토한 결과는 다음과 같다. 배지별 Ge농도에 따른 캘러스 증식율과 캘러스내 Ge 및 무기원소의 함량은 N$_{6}$배지보다는 MS배지에서 캘러스증식이 좋았으며, 캘러스 내 K함량을 제외하고는 Ge 및 기타 무기원소의 함량이 대체로 높았다. N$_{6}$배지와 MS배지 내 Ge농도가 높을수록 캘러스 증식율은 감소되나 캘러스 내 Ge함량은 증가되었고 Ca, Mg, K의 함량은 감소되며 Fe, Mn, Zn, Cu의 함량 등은 Ge농도 100~200 mg/$\ell$까지는 증가되나 그 이상 농도에서는 감소되는 경향이었다. Ge의 종류 및 농도에 따른 캘러스 내 Ge함량은 처리 한 Ge농도가 높을수록 증가되었는데, Ge 시용량이 100 mg/$\ell$ 이하에서는 무기ee(GeOf) 처리가 유기Ge(Ge-132) 처리보다 캘러스 내 Ge함 량이 높았으나, 그 이상의 농도에서는 유기 Ge처리가 무기Ge처리보다 캘러스 내 Ge함량이 높았고 캘러스 활력도 좋았다. 배지의 pH가 낮을수록 캘러스의 활력은 떨어지나 캘러스 내 Ge함량은 높았으며, citric acid 와 myo-inositol의 0.1~l.0 mM을 배지에 처리한 경우 무시용보다 캘러스 생육이나 캘러스 내Ge 및 기타 무기원소의 함량이 증가되었는데, citric acid보다는 myo-inositol의 시용에서 더 증가되었다.
We are studied the stability of amorphous and crystalline $Te_{100-x}Ge_x$ (x=10, 15. 25, 40, 50, 60 at.%) thin films by observing the degradation in 8O%RH/$66^{\circ}C$ environment and the reflectance ratio. The degradation was observed with the transmittance and reflectance, the reflectance was measured at 780nm in the wavelength range of diode laser. In amorphous $Te_{100-x}Ge_x$ thin films of below x=4O at.%, the degradation was observed, the thin film of x=10 at.% was shown the degradation degree of 12.5%. In crystalline $Te_{100-x}Ge_x$ thin films of x=10, 40 at.%, the degradation degree were 12.8%, 13%, respectively. The reflectance ratio were shown above 20% in. all composition ratio. Therefore, we are expected that $Te_{100-x}Ge_x$ thin films of x=50, 60 at.% has the long life for the optical recording media.
식물의 종자발아와 유묘생장에 미치는 무기게르마늄과 유기게르마늄의 효과와 흡수특성을 조사하기 위하여, 대표적인 채소류인 갓, 배추 및 청경채를 이용하여 다양한 게르마늄농도(0, 10, 25, 50, 100 mg $L^{-1}$)를 처리하였다. 채소 종자발아는 모든 식물에서 무기게르마늄을 100 mg $L^{-1}$ 처리한 경우에만 약간의 저해를 받았고 나머지 조건에서는 거의 영향을 받지 않았다. 식물의 유묘생장에 미치는 게르마늄의 효과는 갓과 배추의 경우에는 모든 농도의 무기게르마늄($10{\sim}100$ mg $L^{-1})$에서 뿌리의 생장에 심각한 저해를 보였고 지상부 생장은 높은 농도(50, 100 mg $L^{-1}$)에서는 저해를 받지만 낮은 농도(10, 25 mg $L^{-1}$)에서는 오히려 약간의 생장 촉진효과를 보이거나 거의 차이가 없는 것으로 보였다. 유기게르마늄의 처리시에는 뿌리와 지상부의 생육이 낮은 농도(10, 25, 50 mg $L^{-1}$)의 대부분 조건에서 생장을 촉진하는 결과를 보였다. 식물체내의 게르마늄의 흡수 특성은 무기 및 유기게르마늄의 모든 조건에서 대조구에 비해 처리농도가 높아짐에 따라 점진적으로 뚜렷한 증가를 보였다 특히 무기게르마늄을 처리한 경우 보다 유기 게르마늄을 처리한 경우에 같은 농도에서 전반적으로 약 $2\sim4.5$배까지 많이 흡수되었다. 25 mg $L^{-1}$농도의 게르마늄을 처리한 경우를 보면, 유기게르마늄의 처리시 게르마늄의 흡수는 갓에서는 약 4배(무기게르마늄: 0.37 mg $g^{-1}dw$, 유기게르마늄 : 1.47 mg $g^{-1}dw$), 배추에서는 약 2.2배(무기게르마늄: 0.40 mg $g^{-1}dw$, 유기게르마늄: 0.86 mg $g^{-1}dw$) 그리고 청경채의 결우 약 2.1배(무기게르마늄 : 0.33 mg $g^{-1}dw$, 유기게르마늄: 0.70 mg $g^{-1}dw$) 정도로 무기게르마늄의 처리보다 높았다.
칼코게나이드(chalcogenide)계 비정질 반도체는 그들의 독특한 광학적, 전기적 특성 때문에 활발한 연구가 진행되고 있다. 비정질 Se는 유연한 원자구조로 인해 가장 먼저 광학적으로 상용화되었으며, 응용성이 매우 큰 반도체 재료중 하나로 Ge-Se와 같이 Se를 기본으로 한 칼코게나이드 유리 반도체가 주목받고 있다. 따라서 본 연구에서는 비정질 칼코게나이드 $Ge_xSe_{100-x}$(x=25,95) 조성에 대한 광학적 특성을 연구 하였다. 시료는 5N의 순도를 갖는 Ge, Se 물질을 준비하고 조성비에 맞추어서 석영관에 진공 봉입한 후 용융 혼합하여 $Ge_{25}Se_{75}$와 $Ge_{95}Se_5$조성의 두 가지 비정질 벌크를 제작하였다. 열증착 방법으로 유리 기판위에 박막을 제작하였고 UV-vis-NIR spectrophotometer를 사용하여 투과도를 측정하였다. 측정한 스펙트럼을 이용하여 Swanpoel method로 굴절률을 계산하고 특성을 분석하였다.
The growth of Au films grown on a Si(100)-2x1 surface and Si films on a Ge(100)-2x1 substrate is studied using Positron-annihilation induced Auger Electron Spectroscopy(PAES), Electron induced Auger Electron Spectroscopy(EAES), and Low Energy Electron Diffraction(LEED). Previous work has shown that PAES is almost exclusively sensitive to the top-most atomic layer due to the trapping of positrons in an image potential well just outside the surface before annihilation. This surface specificity is exploited to profile the surface atomic concentrations during the growth of Au on Si(100) and Si on Ge(100) and EAES provides concentrations averaged over the top 3-10 atomic layers simultaneously. The difference in the probe-depth makes us possible to use PAES and EAES in a complementary fashion to estimate the surface and near surface concentration profiles. The results show that (i) the intermixing of Au and Si atoms occurs during the room temperature deposition, (ii) the segregated Ge layer is observed onto the Si layers deposited at 300k. In addition, the prior adsorption of hydrogen prevents the segregation of Ge on top of the deposited Si and that the hydrogen adsorption is useful in growing a thermally stable structure.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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