• Title/Summary/Keyword: 1차 빔

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Simulation of a Electron Beam-produced Plasma (전자빔에 의해 생성된 플라즈마에 관한 시뮬레이션 연구)

  • Bae, Hyo-Won;Shim, Seung-Bo;Hwang, Seok-Won;Song, In-Cheol;Lee, Hae June;Lee, Ho-Jun;Park, Chung-Hoo
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2009.07a
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    • pp.1431_1432
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    • 2009
  • 본 연구에서는 전자빔에 의해 생성되는 저온 플라즈마의 특성을 시뮬레이션을 통해 알아보았다. 전자빔 소스에서 전자를 생성하여 가속 전압을 인가하여 챔버로 보내고, 챔버 속의 Argon 중성 기체와 전자가 충돌하여 2차 방전을 일으킴으로써 저온 플라즈마가 생성된다. 이 때 중성기체의 압력과 가속전압의 변화에 따라서 플라즈마 밀도와 온도가 변하는데, 어떠한 특성을 가지는지 알아보기 위해 Particle-In-Cell(PIC) 시뮬레이션을 이용하였다. 챔버 내부에서 전자빔과 중성기체에 의한 변화를 관측했고, 이 때 전자빔 소스에서 Negative Acceleration Voltage는 10V~40V, 챔버 내부의 Argon 중성 기체의 압력은 1mTorr~20mTorr 조건하에서 시뮬레이션을 수행하였다. Electron Energy Distribution function (EEDF)을 관찰한 결과, 가속전압이 높을수록 낮은 에너지를 가지는 전자의 수가 증가하여 전자 밀도는 증가하며, 가스 압력이 높을수록 EEDF의 기울기가 커지면서 전자온도는 감소함을 알 수 있었다.

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Research on the penetration depth of low-energy electron beam in the PMMA-resist film using Monte Carlo numerical analysis (Monte Carlo 수치해석법을 이용한 PMMA resist에서의 저 에너지 전자빔 투과 깊이에 관한 연구)

  • Ahn, Seung-Joon;Ahn, Seong-Joon;Kim, Ho-Seob
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.8 no.4
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    • pp.743-747
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    • 2007
  • There has been steady effect for the development of the electron-beam lithography technologies for the circuit patterning of the future semiconductor devices. In this study, we have performed a Monte-Carlo simulation whore $1{\times}10^4$ electrons with various kinetic energies (100eV, 300eV, 500eV, 700eV, and 1000eV) were shot into polymethyl methacrylate(PMMA) resist of 100-nm thickness. The penetration depth of each electron beam in the resist layer were analyzed using Gaussian analysis method.

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가스장 이온 소스(Gas Field Ionization Source)기반의 이온총 개발과 특성

  • Park, In-Yong;Jo, Bok-Rae;Han, Cheol-Su;Heo, In-Hye;Kim, Yeong-Jun;An, Sang-Jeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.254.1-254.1
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    • 2013
  • 현재의 나노기술 및 부품은 나노미터 이하의 초고분해능을 요구하면서도 나노미터 이하의 정확도로 가공할 수 있는 기술을 요구하고 있다. 이온현미경은 위 두 요구조건을 만족하는 차세대 현미경으로써 초고분해능 이미징과 함께 기존의 갈륨이온을 사용하는 집속이온빔 장치보다 네온가스등을 이용하여 더 정밀하게 에칭 및 스퍼터링을 할 수 있다. 이온현미경은 전자현미경에 비해 더 깊은 초점심도를 갖으며, 색수차와 구면수차에 비교적 둔감하고 전자에 비해 무거운 이온의 무게 때문에 짧은 파장을 갖는 특징을 가지고 있다. 이와 같은 특징을 이용하면 전자현미경과 다른 여러 특징과 장점을 갖는 고분해능의 현미경을 제작할 수 있다. 이와 같이 차세대 현미경으로 주목받는 이온현미경의 중요한 부분인 이온총은 현재 가스장 이온 소스 방법으로 대부분 개발되고 있다. 가스장 이온 소스는 1950년대에 E. W. Muller에 의해 개발된 전계 이온 현미경(Field Ion Microscope)에서 응용된 방법으로 뾰족한 탐침에서의 가스 이온화를 기반으로 한다. 가장 보편적으로 사용되는 재질은 텅스텐으로 수십 nm 정도의 곡률 반경을 갖도록 제작하고 초고진공에 설치하여 강한 양전압을 인가함과 동시에 가스를 팁 주변에 넣어주면 팁표면에서 이온빔이 발생하게 된다. 본 연구에서는 위와 같이 차세대 나노장비로써 주목받는 이온현미경의 특징에 대해 소개하고, 특히 이온현미경의 이온총 원천기술 개발을 위해 연구하고 있는 가스장 이온 소스의 특성에 대해 소개한다. 수소, 네온, 헬륨의 전계 이온현미경과 함께 생성된 이온빔의 안정도 및 각전류 밀도를 계산하여 실제 이온총으로의 적용 가능성에 대해 보여준다.

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The Design of Microstrip Array Antenna Depend on Patch Size (패치크기에 의존하는 마이크로스트립 어레이 안테나 설계)

  • 고영혁;이종악;정의붕
    • The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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    • v.16 no.11
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    • pp.1063-1070
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    • 1991
  • A microstrip array antenna are designed to depend on the size of rectangular microstrip patch for the relative current destribution to be 1:2:2:1 or 1:1:2:2:1:1 using Tchebyscheff polynominals, and it consist of sharp beam pattern. Gain difference between the main lobe and sidelobe is calculated for theoritical values of 21.97 db or 29.54 db. The designed microstrip array antenna are measureed various characteristics, such as return loss, resonant frequency, radiation pattern, bandwidth, beamwidth, and agreed with each other and theoretical value. Also it is presented a process of phase variation of patch array antenna depend on relative current distribution for beam scanning.

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Cavity-type Beam Position Monitors for Future Accelerators (차세대 가속기용 공동형 빔위치 측정기 개발)

  • Kim S.H.;Park Y.J.;Hwang W.H.;Huang J.Y.;Honda Y.;Inoue Y.
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.15 no.4
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    • pp.331-337
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    • 2006
  • Cavity-type beam position monitors were developed in collaboration with KEK to use for the future accelerators such as international linear collider (ILC) or x-ray free electron laser (XFEL) in PAL. BPM components such as BPM cavity, beam tubes, waveguides and feedthroughs were assembled by brazing at the same time to reduce mechanical errors during the fabrication. There are four screwed pins around outer rim of the cavity for the tuning of cavity frequency and x-y isolation. The resonance frequency of BPM is 6.422 GHz, the inner diameter of cavity is 53.822 mm, and the range of mechanical adjusting is $+ / - 250{\mu}m$. The x-y isolation was measured better than -40 dB after tuned. Test results of signal forms, x-y isolations, sensitivities are satisfied within requirements for the KEK ATF2 beam line.

Rapid crystallization of Cu-In-Ga-Se precursors by electron beam irradiation (전자빔 조사를 이용한 CIGS 박막 결정화 특성)

  • Im, Seon-Gyeong;Kim, Yeong-Man;Jeong, Chae-Hwan
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2015.11a
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    • pp.278-279
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    • 2015
  • CIGS 전구체는 각각 DC와 RF power로 셀레늄(Se)이 포함된 CuSe 타겟과 $(In,Ga)Se_2$ 타겟을 이용하여 스퍼터링 기법으로 증착한 후에 고속결정화 특성을 위해 전자빔을 조사하였다. 전자빔의 가속 전자의 강도(DC power)는 2.5~3.5keV로 조정하고 조사시간은 300초, RF power는 200W로 고정하였다. SEM image에서 전구체의 두께가 가속 전자의 강도에 따라 100~200nm의 손실됨을 확인할 수 있었다. XRD data 결과에서 3keV에서 조사된 샘플에서 가장 높은 (112) 피크의 특정 배양성을 보여 높은 결정화특성을 나타내었다. 조성비간의 변화를 보기 위해 XRF data 분석결과 전구체와 샘플간의 조성비의 차이는 그리 크지 않으나 I/III 족 비가 3 keV에서 가장 이상적인 비율이라 알려져 있는 1.0을 보였다.

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The fourth-order interference between entangled state photon pairs with different frequencies (진동수가 서로 다른 얽힘상태 광자쌍의 4차 간섭)

  • Kim, Heon-Oh;Ko, Jeong-Hoon;Kim, Tae-Soo
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.13 no.4
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    • pp.308-313
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    • 2002
  • One of the nonclassical effects in two-photon interference experiments, spatial quantum beating, is observed in fourth-order interference with pairs of photons produced by a spontaneous parametric down-conversion process. When photon pairs in different frequencies $\omega1$ and $\omega2$ are mixed together, and directed to two detectors, the coincidence counts exhibit a cosine modulation with difference frequency | $\omega1$- $\omega2$|. The measured coincidence counts turned out to have an interference pattern with periodicity of 10.45 ㎛ in position or 34.82fs in time delay, which corresponds to the period 2$\pi$/| $\omega1$- $\omega2$| for the beat frequency of 0.29${\times}10^{14}$Hz.

Design and Implementation of 60 GHz Wi-Fi for Multi-gigabit Wireless Communications (멀티-기가비트 무선 통신을 위한 60GHz Wi-Fi 설계 및 구현)

  • Yoon, Jung-Min;Jo, Ohyun
    • Journal of the Korea Convergence Society
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    • v.11 no.6
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    • pp.43-49
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    • 2020
  • In spite of the notable advancements of millimeter wave communication technologies, the 60 GHz Wi-Fi is still not widespread yet, mainly due to the high limitation of coverage. Conventionally, it has been hardly possible to support a high data rate with fast beam adaptation while keeping atmospheric beamforming coverage. To solve these challenges in the 60 GHz communication system, holistic system designs are considered. we implemented an enhanced design LDPC decoder enabling 6.72 Gbps coded-throughput with minimal implementation loss, and our proposed phase-tracking algorithm guarantees 3.2 dB performance gain at 1 % PER in the case of 16 QAM modulation and LDPC code-rate 3/4.

IGZO 박막 표면의 수소 이온 빔 처리 효과

  • Lee, Seung-Su;Min, Gwan-Sik;Yun, Ju-Yeong;O, Eun-Sun;Jeong, Jin-Uk;Kim, Jin-Tae
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.154.1-154.1
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    • 2014
  • Indium gallium zinc oxide (IGZO)는 차세대 디스플레이 평판 패널에 사용되는 반도체 화합물의 일종으로 최근 주목받고 있는 물질의 하나이다. 기존의 IGZO를 사용하여 박막을 증착한 뒤 표면 처리를 통해 박막의 특성 변화에 대한 연구들이 진행되어 왔으며, 기존의 연구들은 plasma 환경에 노출을 시켜 간접적인 plasma treatment를 통해 박막의 특성을 향상시켜 왔다. 본 연구에서는 기존의 plasma treatment에서 발견된 방식인 ion beam treatment를 통해 플라즈마를 직접적으로 표면에 조사하여 박막의 특성 변화를 알아보았다. 한국표준과학연구원에서 자체 제작한 chamber를 이용하여 RF sputter로 Si wafer 위에 IGZO 박막을 증착하고 수소 ion beam treatment를 한 뒤, SEM과 XPS를 사용하여 박막 표면의 물성 변화를 분석하였다. 실험에 사용된 chamber에는 sputter gun과 ion beam이 함께 장착되어 있으며, scroll pump와 TMP를 사용하여 pressure를 유지하였다. 실험 시 base pressure는 $1.4{\times}10^{-6}Torr$였다. RF power 150 W. ion beam power 2,000 V에서 실험을 진행하였다.

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Focusing Geometry Dependence of Single Pass Raman Shifer (단인 통과 라만레이저의 집속 조건에 따른 출력 특성)

  • 고춘수
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.4 no.4
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    • pp.434-441
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    • 1993
  • Focusing geometry dependence of output Stokes energy in single pass methane Raman shifter is investigated. The experimental result shows that the threshold energy decreases as confocal parameter increases. This result can be explained by gain suppression caused by Stokes - anti-Stokes coupling. In this paper, we give simple analysis for the focusing geometry dependence of Stokes - anti-Stokes coupling and present the criterion of confocal parameter to reduce the gain suppression. Focusing geometry dependence of stimulated Brillouin scattering is measured and the result is in good agreement with theoretical prediction.

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