• 수산해양기술연구
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• 제37권2호
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• pp.124-132
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• 2001

광 자극에 대한 향어, Cyprinus carpio [Linnaeus]의 심전도를 규명하기 위하여, 어체내에 전극을 삽입하여 3가지 광 자극 (10,100,400 lux)에 대하여 심전도를 주간과 야간으로 구분하여 60분간 연속적으로 조사한 심전도를 현황별로 분석한 심전수와 생체전위는 다음과 같다. 1. 향어는 마취후 5분 뒤에 안정상태에 도달하였고, 안정상태에서 평균심전수는 주간에 64.9 beat/min, 야간에 65.3 beat/min였고, 평균생체전위는 주간에 36.9 nV, 야간에 32.9nV로 나타났다. 2. 자극별 평균 심박수는 1) 자극상태에서, 10 lux인 경우 주간에 68.7 beat/min, 야간에 46.0 beat/min였고, 100 lux인 경우 주간에 53.4 beat/min, 야간에 44.1 beat/min였으며, 400 lux인 경우 주간에 53.2 beat/min, 야간에 40.1 beat/min로 나타났고, 2) 회복상태에서, 10 lux인 경우 주간에 67.9 beat/min, 야간에 57.2 beat/min였고, 100 lux인 경우 주간에 68.8 beat/min, 야간에 61.0 beat/min였으며, 400 lux인 경우 주간에 69.6 beat/min, 야간에 63.6 beat/min로 나타났다. 3. 자극별 평균생체전위는 1) 자극상태에서, 10lux인 경우 주간에 59.1 nV, 야간에 24.0 nV였고, 100 lux인 경우 주간에 26.8 nV, 야간에 45.6 nV였으며, 400 lux인 경우 주간에 71.7 nV, 야간에 14.4 nV로 나타났고, 2) 회복상태에서, 10 lux인 경우 주간에 38.8 nV, 야간에 27.3 nV였고, 100 lux인 경우 주간에 29.0 nV, 야간에 39.3 nV였으며, 400 lux인 경우 주간에 66.1 nV, 야간에 21.4 nV로 나타났다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제10권2호
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• pp.168-175
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• 2017

본 논문에서는 PMIC 칩에 사용되는 BCD 공정기반에서 5V NMOS 트랜지스터와 기억소자인 eFuse 링크로 구성된 저면적의 5V NMOS-Diode eFuse OTP 셀을 제안하였다. 그리고 eFuse OTP 메모리 IP가 넓은 동작전압 영역을 갖도록 하기 위해서 VREF 회로와 BL S/A 회로의 풀-업 부하 회로에 기존의 VDD 파워 대신 voltage regulation된 V2V ($=2.0V{\pm}10%$)의 전압을 사용하였다. 제안된 VREF 회로와 BL S/A회로를 사용하므로 eFuse OTP IP의 normal read 모드와 program-verify-read 모드에서 프로그램 된 eFuse 센싱 저항은 각각 $15.9k{\Omega}$, $32.9k{\Omega}$으로 모의실험 되었다. 그리고 eFuse OTP 셀에서 blowing되지 않은 eFuse를 통해 흐르는 읽기 전류를 $97.7{\mu}A$로 억제하였다. 그래서 eFuse OTP 셀의 unblown된 eFuse 링크가 unblown 상태를 그대로 유지되도록 하였다. 동부하이텍 130nm BCD 공정을 이용하여 설계된 1kb eFuse OTP 메모리 IP의 레이아웃 면적은 $168.39{\mu}m{\times}479.45{\mu}m(=0.08mm^2)$이다.

• 한국세라믹학회지
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• 제34권2호
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• pp.202-208
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• 1997

Bi층 SrBi2Ta2O9(SBT)박막을 상온에서 rf magnetron sputtering에 의해 Pt/Ti/SiO2/Si기판위에 증착한 다음 산소 분위기 하에서 1시간동안 75$0^{\circ}C$, 80$0^{\circ}C$, 85$0^{\circ}C$로 열처리하였다. 타겟은 박막내의 Bi와 Sr의 부족을 보상하기 위해 20mole%의 Bi2O3와 30mole%의 SrCO3를 과잉으로 넣어 사용하였으며, 80$0^{\circ}C$로 열처리한 박막의 조성은 Sr0.7Bi2.0Ta2.0O9.0이었다. 200nm의 두께를 갖는 이 SBT박막은 치밀한 미세구조와, 1MHz의 주파수에서 210의 유전상수, 0.05의 유전손실을 나타내었고, 또한 100 kMz에서 32$0^{\circ}C$의 큐리온도를 나타냈으며 그 온도에서의 유전상수는 314이었다. 이 SBT박막의 잔류분극(2Pr)과 항전계(2Ec)값은 각각 인가전압 3V에서 9.1$\mu$C/$\textrm{cm}^2$과 85kV/cm이었고, 5V의 bipolar pulse 하에서 1010 cycle까지 피로현상이 나타나지 않았으며, 누설전류 밀도는 150kV/cm에서 7$\times$10-7A/$\textrm{cm}^2$의 값을 보였다. rf magnetron sputtering 으로 제조된 SBT박막은 비휘발성 메모리 소자에의 응용이 가능하다.

• 전기전자학회논문지
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• 제9권2호
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• pp.161-169
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• 2005

본 연구에서는 보다 낮은 트리거 전압을 갖는 새로운 구조의 LVTSCR과 Triple-well SCR ESD 보호회로를 제안 및 설계하여 나노급 회로에 적용하고자 하였다. 제안된 LVTSCR은 약 9V, 약 7mA의 트리거 전압과 전류 및 약 7mA의 홀딩전압 특성을 가지며, 0.8KV(150mA/um) 정도의 ESD 감내 특성을 나타낸다. 한편 Triple-well SCR은 6V, 40mA의 트리거 전압을 가지며, substrate 및 gate 바이어스에 의해 트리거 전압이 4-5.5V 까지 감소하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제47권9호
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• pp.24-29
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• 2010

본 논문에서는 30 nm 채널 길이와 5 nm의 채널 반지름을 갖는 실리콘 기반의 나노와이어 MOSFET의 고주파 모델링을 다루고 있다. 3차원 소자 시뮬레이션을 이용하여 실리콘 나노와이어 MOSFET의 Y-parameter와 Z-parameter를 100 GHz까지 확보하였으며 이를 이용하여 모델 파라미터에 필요한 수식을 구하였다. 모델과 파라미터 추출 수식을 이용하여 회로 검증용 tool인 HSPICE에 의하여 검증이 이루어졌으며 quasi-static 기반의 고주파 모델이 100 GHz의 높은 주파수까지도 소자의 특성을 정확히 예측함을 확인하였다. 모델 검증은 MOSFET의 포화 영역 ($V_{gs}$ = $_{ds}$ = 1 V)과 선형 영역 ($V_{gs}$ = 1 V, $V_{ds}$ = 0.5 V)의 바이어스 조건에서 이루어졌으며 두 바이어스 조건에서의 Y-parameter에 대한 모델의 오차는 약 1 %로 매우 작은 값을 보여 준다.

• 한국세라믹학회지
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• 제48권4호
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• pp.303-306
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• 2011

[ $V_2O_5$ ]doped Karrooite pigments were synthesized by the solid state method to get stabilized brown pigment in oxidation and reduction atmosphere. Optimum substitution condition and limited dopant with $V_2O_5$ for Karrooite pigment was investigated. With calcination at $1250^{\circ}C{\sim}1400^{\circ}C$, compositions were designed varying $V_2O_5$ molar ratio by increasing 0.02mole to the formula $Mg_1-xTi_2-xM_{2x}O_5$(x = 0.01~0.09 mole). Synthesized pigments were analyzed by XRD, Raman spectroscopy and UV-vis. When $V_2O_5$ was doped from 0.01 to 0.05 mole, single phase of Karrooite was observed at temperature $1300^{\circ}C$ and soaking time 4h by Raman spectroscopy. However, it was found that excess $VO_2$ peak appeared with 0.07 and 0.09 mole of $V_2O_5$ doped to $MgTi_2O_5$. This result indicated that the maximum limit of solid solution is 0.05 mole $V_2O_5$. Karrooite pigments were applied as a ceramic pigment to achieve brown colors in lime magnesia glaze and lime barium graze at both of oxidation and reduction atmosphere. CIE color coordinates are $L^*$ = 40.34, $a^*$ = 9.94, $b^*$ = 21.40 in lime magnesia glaze.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제14권2호
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• pp.97-104
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• 2003

The structural transitions of the matrix and the second phases of $Ti_{1.0}Mn_{0.9}V_{1.1}$ and $Ti_{1.0}Cr_{1.5}V_{1.7}$ alloys upon hydrogenation have been investigated at 293K. The effect of hydrogen isotope on their crystal structures has been also discussed. The crystal structures, Phase abundance and lattice parameters of the hydrides were determined by the Rietveld method using X-ray diffraction data. At the experimental temperature, the $Ti_{1.0}Mn_{0.9}V_{1.1}$ alloy and $Ti_{1.0}Cr_{1.5}V_{1.7}$ alloy revealed different structural transition processes upon hydrogenation although the crystal structures of these two alloys are both BCC at room temperature. The second phases such as Ti-rich phase with $NiTi_2$ structure and $\alpha$-Ti with HCP structure absorbed hydrogen at relatively low hydrogen pressures and the phase abundance remained almost constant. This means that it is desirable to decrease the amount of the second phases as far as possible in order to increase the effective hydrogen storage capacities of the alloys. The crystal structures of corresponding isotope hydrides, the phase abundance and the lattice parameters did not depend on the kind of hydrogen isotope, but only on the hydrogen content.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제16권1호
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• pp.5-9
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• 2015

Optical and electrical properties were studied for Antimony doped tin oxide thin films from precursors containing 10, 30, 50, and 70 atom% of Sb deposited on bare sodalime silica, barrier layer coated sodalime silica, and pure silica glass substrates by sol-gel spinning technique. The direct band gaps were found to vary from 3.13~4.12 eV when measured in the hv range of 2.5~5.0 eV, and varied from 4.22~5.08 eV when measured in the range of 4.0~7.0 eV. Indirect band gap values were in the range of 2.35~3.11 eV. Blue shift of band gap with respect to bulk band gap and Moss-Burstein shift were observed. Physical thickness of the films decreased with the increase in % Sb. Resistivity of the films deposited on SLS substrate was in the order of $10^{-2}$ ohm cm. Sheet resistance of the films deposited on barrier layer coated soda lime silica glass substrate was found to be relatively less.

• 한국진공학회지
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• 제5권3호
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• pp.213-217
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• 1996

서냉법과 용액성장법으로 HgS 및 HgS : Co 결정과 박막을 성장시켜서 결정구조를 조사하고 , 광흡수를 측정했다. 이들 결정 및 박막은 육방정계 구조로써 HgS 및 HgS : Co 결정의 격자상수는 각각 $aa_0=4.155\AA$, $c_0=9.505{\AA}$과 ao=4.148$\AA$, co=9.487$\AA$ 이었다. 또한 HgS 및 HgS박막에 대한 격자상수는 각각 $a_0=4.148{\AA}$, $c_0=9.462{\AA}$와 $a_0=4.135{\AA}$, $c_0=9.442{\AA}$으로 주어졌다. 293K에서 측정된 광학적 에너지 간격은 HgS 및 HgS : Co 결정이 2.040eV, 1.900eV 이고, HgS 및 Hgs : Co 박막은 2.440, 1.940eV 로 각각 주어졌다.

• 한국자기학회지
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• 제3권3호
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• pp.179-184
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• 1993

비정질 합금 $Fe_{78}Si_{9}B_{13}$의 구조를 X-선 회절상을 분석하여 구하였다. 계산된 동경분포함수(RDF)의 첫번째 peak는 최인접 원자의 분포를 나타내는 것으로 Gaussian 함수형태를 나타낸다. 구조분석에서 본 시료의 최인접 원자배위수는 13.5이고, 최인접 원자간 평균거리 $r_{0}$는 $2.595{\AA}$, 인접원자들의 분포를 나타내는 Gaussian 함수의 변수 ${\delta}r$은 $0.27{\AA}$이다. 저온에서의 포화자화의 온도 의존성은 spin 파로 설명할 수 있으며, 이 때에 계산된 spin파 stiffness 상수는 $117.8\;meV\;{\AA}^2$ 이다. 또한, 포화자화의 온도 의존성을 Handrich의 분자장 이론식과 맞추어 얻은 변수는 각각 S=1/2 일때 ${\Delta}=0.32$이고, S=1 일때 ${\Delta}=0.23$으로 이론식과 실험결과가 전체적으로 잘 일치한다. 구조분석 결과와 분자장 이론식에서 구한 변수를 활용하여 spin파 stiffness 상수를 계산할 수 있으며, 이로써 구한 값은 S=1/2일때 $149\;meV\;{\AA}^2$ 이고, S=1 일 때 $138\;meV\;{\AA}^2$ 이다. 또한, 평균 교환결합상수 J($r_{0}$)는 S=1/2일때 17.9 meV이고, S=1일때는 J($r_{0}$)는 6.7 meV 으로 추정된다.