감전보호$\cdot$누전화재보호로서 누전차단기가 일반적으로 사용되고 있는데 이 누전차단기가 누전으로 트립되었을 경우 (1) 누전트립이 재현되지 않는다. (2) 누설전류치가 고조파의 영향 때문에 측정이 곤란하다는 등의 이유로 원인조사가 어려운 경우가 많다. 그래서 누전차단기의 동작원인조사를 지원하는 기기로서 WS시리즈의 노퓨즈차단기 및 누전차단기에 각종 누설전류치의 액정표시유닛을 탑재한 $''$누설전류표시부 노퓨즈차단기$\cdot$누전차단기$''$를 제품화하였다. 이에 의하여 전로에 영상변류기(ZCT)와 계측기 등을 설치하지 않고 전로의 절연열화상태나 누전사고 상황을 간단하게 파악할 수가 있다. 또 액정표시유닛의 제어전원은 차단기 내부에 포함하고 있기 때문에 특별배선작업은 불필요하다. 이 제어전원은 차단기가 오프상태 또는 트립상태에서는 끊어지나 내부에 전기이중충 콘덴서를 내장하고 있기 때문에 각종 누설전류 정보를 표시할 수가 있다(정전보상시간 100시간). 주요특징은 다음과 같다. (1)각종 누설전류의 계측과 표시(현재치, 최대치, 이동평균치, 이동평균의 최대치, 각 최대치의 발생경과시간) (2) 누전경보의 설정 감도를 세분화하여 설정가능 또한 접점경보출력 표준탑재 (3) 누전트립 발생시의 누전사고전류치 및 누전사고 발생으로부터의 경과시간 표시(누전차단기만) (4) 미쓰비시전기 누전차단기의 액티브필터와 같은 특성의 필터를 내장하고 있으며 누전차단기의 동작특성에 맞는 누설전류치 표시가능 (5) 누전경보만으로 누전트립 동작을 하지 않는 누설전류표시부 노퓨즈차단기 라인업
본 논문에서 취급한 제동권선이 없는 철극선의 3상단락현상을 해명하는데 있어 우선 임의력율의 전류를 횡축분과 직축분으로 분리해서 취급하는 소위 Blonde의 2반작용법(two reaction method)를 썼고, 각종 Reactance를 표시하는데는 편리한 단위법(perunit notation)을 사용했으며, 전기자의 1상저항은 각종 Reactance ( $X_{x}$, $X_{q}$ )의 어느것 보담도 극소치임으로 실제계산에는 무시했으나 과도전류의 변화를 좌우하는 감쇠정수[decrement factor)에는 큰 영향을 준다는 것이 규명되었다. 해석결과로서 3상단락전류의 초기치는 특수치보다 훨씬 큰 이유로서 단락전류가 계자자속을 약하게 만들어 그 반동으로 계자회로에 일정자속을 유지하기 위하여 부문적으로 개자전류가 증대함을 알게되었고, 단락전류의 직축분과 횡축분의 구성분이 규명검토되었고, 발전기의 돌발단락저류는 일반적으로 직류분, 기본파교류분 및 제2조파등을 포함하나 그 전부가 시정수의 역수인 감쇠정수에 지배되어서 지수함수곡선에 따라 감쇠되어 결국에는 지속단락전류에 귀착한다는 사실과 3상단락은 평형단락사고임으로 영상전류는 영이며 각상과도전류의 위상차가 120.deg.라는 것엔 변함이 없다는 것과 끝으로 철극기를 정격속도로 운전해 놓고 이것을 여자해서 무부하전압을 수기시켜 그의 3상전단자를 돌연 단락해서 그의 과도전류의 파형을 Oscillograph로 촬영하면 본론에서 해석한 결과식의 그것과 일치하게 됨을 알 수 있을 것이다.것이다.
본 논문에서는 전류 모드 다치 논리 CMOS 회로를 이용하여 4치-2치 논리 복호기, 4치 논리 전류 버퍼 4치 논리 전가산기를 제안하였다. 제안한 전가산기는 15개의 트랜지스터를 사용하여 기존의 2치 논리 CMOS 형태의 전가산기와 Current의 전가산기에 비하여 소자수가 각각 60.5%와 48.3% 감소되었으며, 이로 인해 면적 및 내부 노드수가 감소되었다. 본 논문의 회로들은 HSPICE를 사용하여 시뮬레이션 하였고 그 결과를 통하여 각각의 회로들이 정확하게 동작함을 확인하였다. 시뮬레이션 결과, 제안한 전가산기는 1.5ns의 전달 지연과 0.45mW의 전력소모 특성을 갖는다. 또한 전가산기는 본 논문에서 설계한 복호기 및 4치 논리 전류 버퍼를 사용하면 기존의 2치 논리에 쉽게 적용할 수 있다.
본 논문에서는 전류모드 CMOS에 의한 2변수 3치 가산기 회로와 승산기 회로를 구현하였다. 제시된 전류모드 CMOS에 의한 3치 가산기 회로와 승산기 회로는 전압 레벨로 동작하며, HSpice 시뮬레이션을 통하여 이 회로들에 대하여 동작 특성을 보였다. 제시 된 회로들은 $0.180{\mu}m$ CMOS 표준 기술을 사용하여 HSpice로 시뮬레이션 하였다. 2 변수 3치 가산기 및 승산기 회로의 단위 전류 $I_u$는 $5{\mu}A$로 하였으며, NMOS의 길이와 폭 W/L는 $0.54{\mu}m/0.18{\mu}m$이고, PMOS의 길이와 폭 W/L는 $1.08{\mu}m/0.18{\mu}m$이다. VDD 전압은 2.5V를 사용하였으며 MOS 모델은 LEVEL 47으로 시뮬레이션 하였다. 전류모드 CMOS 3치 가산기 및 승산기 회로의 시뮬레이션 결과에서 전달 지연 시간이 $1.2{\mu}s$이며, 3치 가산기 및 승산기 회로가 안정하게 동작하여 출력 신호를 얻는 동작 속도가 300MHz, 소비 전력이 1.08mW임을 보였다.
본 논문에서 3치가산기와 승산기(multiplier)는 전류모드 CMOS에 의해서 구현된다. 첫째, 3치 T-gate를 집적회로 설계의 유효 가용성을 갖고 있는 전류모드 CMOS를 이용하여 구현한다. 둘째, 3치 T-gates를 이용해 회로가 유한체 GF (3)에 대하여 2변수 3치 가산표 (2-variable ternary addition table) 및 구구표 (multiplication table)가 실현되도록 구현한다. 마지막으로, 이러한 동작 회로들은 1.5 CMOS 표준 기술과 $15{\mu}A$ 단위전류(unit current) 및 3.3V 소스 전압 (VDD voltage)에 의해 활성화 된다. 활성화 결과는 만족할 만한 전류 특성을 나타냈다. 전류 모드 CMOS에 의하여 실행되는 3치가산기 및 승산기는 단순하며 와이어 라우팅(wire routing)에 대하여 정규적이고, 또한 셀 배열 (cell array)과 함께 모듈성 (modularity)의 특성을 갖고 있다.
본 논문에서는 CMOS 다치 논리회로를 이용한 고성능 곱셈기를 제안하였다. 이 곱셈기는 Modified Baugh-Wooley 곱셈 알고리즘과 전류모드 4치 논리회로를 적용하여 트랜지스터의 수를 감소시키고 이에 따른 상호연결 복잡도를 감소시켜 곱셈기 성능을 향상시켰다. 제안한 회로는 전압모드 2진 논리신호를 전류모드 4치 논리신호로 확장하는 동시에 부분 곱을 생성하고 4치 논리 가산기를 통해 가산을 수행 후 전류모드 4치-2진 논리 변환 디코더를 이용하여 출력을 생성한다. 이와 같이 곱셈기의 내부는 전류모드 4치 논리로 구성하였으며 입출력단은 전압모드 2진 논리회로의 입,출력을 사용함으로써 기존의 시스템과 완벽한 호환성을 갖도록 설계하였다. 이 곱셈기는 6.1mW의 소비전력과 4.5ns의 전달지연을 보였으며, 트랜지스터 수는 두 개의 비교 대상 회로에 비해 60%, 43% 노드 수는 46%, 35% 감소하였다. 설계한 회로는 3.3V의 공급전원과 단위전류 5uA를 사용하여, 0.35um 표준 CMOS 공정을 이용하여 구현하였으며, HSPICE를 사용하여 그 타당성을 입증하였다.
트란지스타 단일안정 멀티바이부래타(monostable multi-vibrator)와 시리콘턴넬 다이오드 (T.D)로써 구성된 전류파 파고변별기를 설계하여 그 특성을 조사하였다. 피측정 전류액의 범위는 50㎂-5.23mA이며, 이 범위에 있어서 측정된 최대비직선도는 ±0.75% 이었다. 이 변별기의 전류액 분해능은 T.D를 통하여 흐르는 편의전류에 따라서 약간 달라지며 역방향 편의전류가 3 mA 일때, 만일 5%의 과잉파고를 주용한다면 그 분해시간은 2μS이다. 다음에 이 변별기의 임계치 안정도는 주로 T.D의 턴넬전류의 최대치 1 의 안정도에 의하여 좌우되며 환경온도의 변화범위가 0℃∼50℃일때는 최대비직선도 즉 ±0.75T 보다 더큰 임계치변화는 관측되지 않았다.
누전차단기 설치 상태에서도 전기화재가 지속적으로 발생함에 따라 전기화재의 원인이 되는 전기 아크에 대한 관심이 증가하고 있는 실정으로 본 논문에서는 UL1699의 아크 저해시험(inhibition tests)에서 제시하고 있는 직렬 아크코장시험(Arc generator test)을 실시하고, 아크고장전류 분석방법으로 최근에 많이 사용되고 있는 이산 웨이블렛 변환을 이용한 3가지 분석방법에 대하여 아크고장전류 검출 확률을 분석하였다. 분석결과, (1) 근사계수 분석에 의한 최대치 변화율 실효치 변화율 분석방법은 46%의 검출 확률을 얻을 수 있었고, (2) 상세계수 분석에 의한 최대치 변화율 실효치 변화율 분석방법은 62%, (3) 근사계수 분석에 의한 잡음량 변화율 shoulder 변화율 분석방법은 100% 검출 확률을 얻을 수 있었다.
본 연구에서 제시하는 기공세라믹(Porous Ceramic)에 의한 누설전류 측정법은 기공 사이즈가 일정한 Open Pore Cell내에서 도전성 물질 및 이온화된 물질이 기공 사이에 침투되었을 때 외부에서 전계를 가하므로 써 이들 이온화 된 물질이 chain처럼 배열되어 전기적 병렬회로를 구성시켜 미세한 누설전류를 흐르게 한다. 이 누설전류법에 의한 도전성분 검출을 여러 환경 배출가스에 대한 모의실험을 실시한 결과 기공세라믹인 센서 자체의 누설전류는 가스 온도 150 ($^{\circ}C$) 이상에서 급격한 변화를 보이고 200($^{\circ}C$)에서 센서 자체의 전류치와 가스를 주입하였을 때의 전류치와는 상당한 격차를 두고 변화됨을 알 수 있었다. 그리고 공장연돌이나 자동차 배기관에서 방출되는 가스 중 HC, CO, NO, $CO_2$, $SO_2$, $N_2$ 등에 대한 센서 특성이 각각 달리 나타남을 알 수 있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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