Ha, Kee Soo;Shin, Jung Yeon;Hwang, Mi Jung;Choi, Young Ok;Shin, Dong Han;Jang, Gi Young;Choi, Byung Min;Yoo, Kee Hwan;Hong, Young Sook;Son, Chang Sung
Clinical and Experimental Pediatrics
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v.49
no.8
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pp.902-905
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2006
We report a case in which routine chest roentgenograms of an 840 g infant led to the belief that the peripherally inserted central catheter (PICC) was appropriately positioned within the superior vena cava when, in actuality, it was within the azygous arch. Although many cases of pleural effusions have been reported to be caused by a central venous catheter, a right-sided hydrothorax caused by azygous vein rupture from the use of a PICC is an extremely rare complication. Sudden changes in the condition of a preterm infant with PICC should raise the suspicion of a catheter-related problem.
Kim, Dong-Hyeon;Gang, Tae-Uk;Kim, Sang-Won;Gong, Dae-Yeong;Seo, Chang-Taek;Kim, Bong-Hwan;Jo, Chan-Seop;Lee, Jong-Hyeon
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.245-245
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2010
최근에 반도체 소자 및 마이크로머신, 바이오센서 등에 사용되는 미세 부품에 대한 연구 개발이 활발히 진행되고 있다. 미세 부품을 제작하기 위한 MEMS 공정은 대표적으로 화학용액을 이용한 습식식각, 플라즈마를 이용한 건식식각 등이 주를 이룬다. Micro blaster는 경도가 강하고 화학적 내성을 가지며 용융점이 높아 반도체 MEMS 공정에 어려움이 있는 기판을 다양한 형태로 식각 할 수 있는 기계적인 식각 공정 기술이라 할 수 있다. Micro blaster의 식각 공정은 고속의 날카로운 입자가 공작물을 타격할 때 입자의 아래에는 고압축응력이 발생하게 되고, 이 고압축 응력에 의하여 소성변형과 탄성변형이 발생된다. 이러한 변형이 발전되어 재료의 파괴 초기값보다 크게 되면 크랙이 발생되고, 점점 더 발전하게 되면 재료의 제거가 일어나는 단계로 이루어진다. 본 연구에서는 micro blaster 장비를 반도체 MEMS 공정에 적용하기 위한 식각 특성에 관하여 확인하였다. Micro blaster 장비와 식각에 사용한 파우더는 COMCO INC. 제품을 사용하였다. Micro blaster를 $Al_2O_3$ 파우더의 입자 크기, 분사 압력, 기판의 종류, 노즐과 기판과의 간격, 반복 횟수, 노즐 이동 속도 등의 공정 조건에 따른 식각 특성에 관하여 분석하였다. 특히 실제 반도체 MEMS 공정에 적용 가능한지 여부를 확인하기 위하여 바이오 PCR-chip을 제작하였다. 먼저 glass 기판과 Si wafer 기판에서의 식각률을 비교 분석하였고, 이 식각률을 바탕으로 바이오 PCR-chip에 사용하게 될 미세 홀과 미세 채널, 그리고 미세 챔버를 형성 하였다. 패턴을 형성하기 위하여 TOK Ordyl 사의 DFR(dry film photoresist:BF-410)을 passivation 막으로 사용하였다. Micro blaster에 사용되는 파우더의 직경이 수${\mu}m$ 이상이기 때문에 $10\;{\mu}m$ 이하의 미세 채널과 미세홀을 형성하기 어려웠지만 현재 반도체 MEMS 공정 기술로 제작 연구되어지고 있는 바이오 PCR-chip을 직접 제작하여 micro blaster를 이용한 반도체 MEMS 공정 기술에 적용 가능함을 확인하였다.
The Journal of the Convergence on Culture Technology
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v.6
no.3
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pp.449-456
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2020
When you move to a new home, or when you change the wallpaper or flooring of your home, office, etc., you can enjoy the joy of opening your new home with the sick house syndrome, such as the stinging smell and stinging eyes that may appear after the interior work. It is only a moment. Volatile organic compounds from building materials, adhesives, wallpaper, and paints used in new buildings or new furniture cause residents' health and discomfort in indoor life. These volatile organic compounds include benzene, toluene, acetone, and styrene, as well as the representative formaldehyde, and these substances are slowly released over a long period of time, causing acute or chronic diseases to residents. As a method for removing organic volatile substances, physical methods using adsorption, chemical methods for converting volatile substances to other substances, or a mixture of the two are mainly used. In this paper, a sustained release chlorine dioxide gel pack obtained by a method for controlling the reaction rate of a reactant and the release of a product is mixed with a zeolite adsorbent having an optimized hole diameter to adsorb and decompose and remove formaldehyde suspended in the air. I would suggest an effective method.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.449-449
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2013
최근 반도체 소자의 집적회로는 점점 복잡해지고 있는 반면, 소자의 크기는 작아지고 있으며 그로 인해 패드의 크기가 작아지고 패드사이의 간격 또한 협소해지고 있다. 따라서 웨이퍼 단계에서 제조된 집적회로의 불량여부를 판단하기위한 검사 장비인 프로브카드(Probe Card)의 높은 집적도가 요구되고 있다. 하지만 기존의 MEMS 공법으로 제작되는 프로브 빔은 복잡한 제조 공정과 높은 생산비용, 낮은 집적도의 문제점을 가지고 있다. 본 연구에서는 이러한 문제점을 해결하기 위하여 간단한 제조 공정과 낮은 생산비용, 높은 집적도를 가지는 프로브 빔을 개발하기 위하여 절연절단 방식으로 BeCu (Beryllium-Copper) 프로브 빔을 제작하였다. 낮은 소비 전력으로 우수한 프로브 빔 어레이를 제작하기 위해서 가장 고려해야할 대상은 프로브 빔의 재료와 구조(형상)이다. 절연전단 방식으로 프로브 빔을 형성할 때 요구되는 Fusing current는 프로브 빔의 구조(형상)에 크게 영향을 받는다. 낮은 Fusing current는 소비 전력을 줄여주고, 절연절단으로 형성되는 프로브 빔의 단면(끝)을 날카롭게 하여 프로브 빔과 집적회로의 패드 간의 접촉 저항을 감소시킨다. 프로브 빔의 제작은 BeCu 박판을 빔 형태로 식각하여 제작하였으며, 실리콘 비아 홀(Via hole) 구조의 기판위에 정렬하여 soldering 공정을 통해 실리콘 기판과 BeCu 박판을 접합시켰다. 접합된 프로브 빔의 끝부분을 들어 올린 상태로 전류를 인가하여 stress free 상태로 만들어 내부 응력을 제거하였으며, BeCu 박판에 fusing current를 인가하여 BeCu 박판 프레임으로부터 제거를 하였다. 제작된 프로브 빔의 길이는 1.7 mm, 폭은 $50{\mu}m$, 두께는 $15{\mu}m$, 절단부의 단면적은 1$50{\mu}m^2$로 제작되었다. 그리고 프로브 빔의 절단부의 길이는 $50{\mu}m$ 부터 $90{\mu}m$까지 $10{\mu}m$ 증가시켜 제작되었다. 이후에 절연절단 공정에 요구되는 Fusing current를 측정하였고, 절연절단 후의 절단면의 형상을 SEM (Scanning Electron Microscope)장비를 통하여 확인하였다. 절단부의 길이가 $50{\mu}m$일 때 5.98A의 fusing current를 얻었으며, 절연절단 후 절단부 상태 또한 가장 우수했다. 본 연구에서 제안된 프로브 빔 제작 방법은 프로브카드 및 테스트 소켓(Test socket) 생산에 응용이 가능하리라 기대한다.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.21
no.2
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pp.110-120
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2010
In this paper, we propose a tunable SIW(Substrate Integrated Waveguide) using dielectric screws for eliminating the phase imbalance of large size power distribution networks(PDN). Alumina screws partially inserted into several through holes of the tunable SIW section effectively change the phase shift without S-parameter degradation. ${\pm}33.9^{\circ}$ measured phase imbalance of a large conventional 9 GHz SIW-PDN of $370\;mm{\times}195\;mm$ size has been greatly reduced to ${\pm}4.65^{\circ}$. We expect that the proposed tunable SIW plays an important role for a light-weight, high performance substrate integrated phased array system(Si-PAS) and large size SIW circuit applications.
In order to extend a hot gas parts replacement cycle of a gas turbine, blade row 1 from low pressure turbine, which has a significant impact on the cycle, has been selected from stored set after one cycle use. Taking into account the status of the first stage moving blade in LP turbine operated more than 27,000 equivalent operating hours(EOH) and the replacement cycle in the same type of gas turbine, the replacement of the high temperature components installed on the GT, a study subject, can be extended from 24,000 to 27,000 EOH.
Kim, Jeong-Hwan;Lee, Seong-Jin;Choi, Yong-geon;Han, Seong-Gye;Kwon, Se-Ik;Kim, Nam-Ho
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2017.05a
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pp.499-502
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2017
The needs of efficient electricity use and current measurement for electrical safety have been increased. Hence, the current sensor is used, especially non-contact current sensor which can measure the current without blocking the circuit using hall effect. However, the accurate measuring of the current sensor is inhibited due to the inflow of various noises in this current sensor. In this article, a stronger current sensor against the noise is proposed using low pass FIR filter to the existing current sensor. FIR filter was designed to block the range over the certain frequency at the output of the current sensor to eliminate the external noises, and so on. As a result, more accurate and close measurements were possible.
Adhesion of CVD W to the TiN glue layer in the blanket W process which is a promising candidate for filing contact holes in subhalfmicron ULSIs has been investigated. The adhesion was enhanced with increasing the W film thickness due to the decrease of the TiN film stress. The adhesion strength was increased by the sputter etching of the TiN surface prior to the W deposition owing to the removal of contaminants and the increase of the surface roughness. The adhesion of the W film to the TiN glue layer property was also improved by Ar ion implantation of the TiN surface owing to the activation of the TiN surface.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.220.2-220.2
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2014
플라즈마 질화 기술은 기존의 침탄 혹은 고주파 표면 경화 기술 대비 낮은 온도에서 열처리 공정이 진행됨에 따라 열 변형을 최소화 시킬 수 있으며, 후 가공을 간소화 시킬 수 있다는 장점으로 인해 자동차 부품 및 기타 응용 산업 분야에 있어 큰 관심을 받고 있다. 그러나 공정 진행에 장시간이 소요되고 복잡한 형상 및 홀 가공에 의한 기능부, 특히 내경부에 대한 균일 질화 처리가 어려워 실제 응용분야 확장에 큰 제약이 따르고 있다. 이를 해결하기 위해 본 연구에서는 일반 글로우 방전 대비 플라즈마 밀도가 10배 이상 높은 공공 음극 방전(Hollow Cathode Discharge, 이하 HCD) 현상을 이용하여 고속 고균일 질화공정을 개발하고자 하였으며, 상용화 적용을 위한 연구를 함께 진행하였다. 사용된 시료로는 실제 자동차 부품으로 사용되는 SCM415 소재의 ring gear와 slip yoke pipe를 사용하였으며, HCD 형성을 위해 특화된 플라즈마 질화장비를 활용, 공정 압력 및 인가 전력 등을 변수로 실험을 진행 하였다. 그 결과 질화 처리 속도에 있어 기존 글로우 방전 플라즈마 질화 대비 1/4 이하 수준으로 그 소요 시간을 단축시킬 수 있었으며, 다량 장입된 시료의 내경 기능부에 있어서도 높은 균일도를 갖는 질화표면이 형성됨을 확인할 수 있었다. 또한 기능부 표면에 형성된 HCD 현상을 열원으로 사용함으로써 외부가열 장치를 사용하지 않으면서도 기존의 hot wall 방식보다 높은 질화 균일도 구현이 가능하였으며, 소요 자원 및 전력 사용 측면에 있어서도 공정 시간 단축 및 외부 가열 공정 제거에 의한 높은 수준의 에너지 절약이 가능하였다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.395.2-395.2
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2014
백색유기발광소자는 낮은 구동전압, 낮은 소비전력, 높은 명암비, 넓은 시야각과 높은 박막 특성으로 친환경 에너지와 관련해 주목을 받고 있어 연구가 활발하게 진행되고 있다. 백색 유기발광소자는 주로 R-G-B 영역의 발광층을 적층하여 제작한다. 하지만 전압의 변화에 따라 재결합 영역이 변화되면서, 색 안정성이 불안정한 문제점을 가지고 있다. 본 연구에서는 높은 색 안정성을 나타내는 백색 유기발광소자를 제작하기 위해 저분자와 고분자 혼합 발광층 구조를 사용하였다. 두 가지 이상의 고분자 혼합물을 스핀코팅하여 박막을 형성한 후, 열처리에 의한 상분리 현상을 이용하여 선택적으로 한가지 고분자 물질을 제거하여 적색 다공성 고분자 발광층을 형성하였다. 적색 다공성 고분자 발광층 위에 저분자 발광물질을 적층하여 홀주입을 향상하여 청색 발광층을 형성한다. 적색 다공성 고분자 발광층 물질과 혼합되는 고분자 물질의 혼합 비율과 혼합 층 두께에 따른 적색 고분자 다공성 박막의 변화를 원자힘 현미경을 통하여 관찰하였다. 혼합된 두 고분자 물질의 분자량의 차이에 의한 응집도의 차이로 인하여 혼합물 박막의 두께가 얇아지면서 미세구조의 경사도가 높아지고, 적색 다공성 고분자 발광층의 미세구조의 형태는 두 가지 고분자 혼합물의 혼합 비율의 변화에 따라 미세구조의 밀도가 높아진다. 본 연구 결과는 저분자와 고분자 혼합 발광층 구조를 사용하는 백색 유기발광소자의 색 안정성과 효율 향상에 대한 기초자료로 활용할 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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