• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.7 no.2
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• pp.257-262
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• 2012

In this paper, transmission performance for serval VoIP traffics is meaured and analysised over MANET(Mobile Ad-hoc Networks) under some types of intrusions. VoIP simulator based on NS-2 is used for performance measure. In the simulation, MOS, network delay, packet loss rate and call connection rate is measured for transmission performance. With analysis of measued data, characteristics of each traffics for transmission performance parameters is showed on MANET under multi intrusions, As a results of this paper, some recommendation condtion for codec selection and blackhole intrusion is suggested to implement VoIP services on MANET under multi intrusions like as DDoS and blockhole intrusions.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.342-342
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• 2016

최근 반도체 제조 공정 기술이 발전함에 따라, 나노 영역에서의 열 및 전기 특성에 관련하여 깊이 있는 연구들이 많이 수행되고 있다. 그 중 반도체 기판의 표면 거칠기는 열전도도 및 전하 이동도와 밀접한 관련이 있으며 나노 소자의 특성을 결정짓는 중요한 요소가 된다. 표면이 거친 정도에 따라 포논 산란 작용이 열적 특성에 영향을 미치며 표면 거칠기와 상응하는 포논의 파장은 이를 산란시켜 열전도도를 감소시키는 것으로 보고되었다[1]. 또한, 트랜지스터의 소형화에 따라 수직 전계가 증가하며 그 결과, 표면 거칠기 성분이 표면에서의 전자 및 홀의 이동 특성에 영향을 미친다. 따라서 원자 층 두께의 표면 거칠기의 중요성이 부각되며 이에 대한 물성 연구가 수행되어야 한다. <100> 벌크 실리콘에서 약산 용액인 500-MIF를 이용하여 시간에 따라 dipping을 진행한 후 표면 거칠기의 변화를 profiler (Tencor P-2)로 측정하여 확인하였다. 거칠기는 dipping을 시작한 후 10분부터 18분까지 약 $3{\AA}/min$의 변화를 가지는 것으로 관측이 되었다. 또한 Hall measurement system으로 벌크 실리콘에서의 온도에 따른 전하 이동도를 측정하였다. 측정 결과, 300 K일 때 p-type 벌크 실리콘의 전형적인 전하 이동도 값인 약 $450cm^2/V{\cdot}s$을 얻었으며, 저온에서는 높은 이동도를 가지다가 온도가 증가할수록 이동도가 감소하는 형태를 확인하였다. 서로 다른 표면 거칠기를 가지는 반도체 기판을 저온부터 상온 이상까지 온도의 변화를 주어 그에 따른 전하 이동도를 측정하고 열전도도 및 전하 이동도의 특성을 분석하였다.

• Proceedings of the KSME Conference
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• 2004.11a
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• pp.1104-1109
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• 2004

The present study has been conducted to investigate convective heat/mass transfer inside the cooling passage with bleed holes. The rotating square channel has 40.0 mm hydraulic diameter and the bleed holes on the leading surface of the channel. The hole diameter of bleed hole is 4.5 mm and its spacing (P/d=4.9) is about five times of hole diameter. Mass flow rate through bleed holes is 10% of the main flow rate and rotation number is changed form 0.0 to 0.4. A naphthalene sublimation technique is employed to determine the detailed local heat transfer coefficients using the heat and mass transfer analogy. The cooling performance is influenced by mass flow rate through bleed holes and Coriolis force of rotating channel for fixed reynolds number. The heat transfer is enhanced around holes on the leading surface because of trapping flow by bleeding. However heat transfer on the leading surface is decreased due to Coriolis force.

• Journal of the Korean Society of Propulsion Engineers
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• v.2 no.2
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• pp.56-63
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• 1998

The present study investigated local heat transfer characteristics around a film cooling hole with variations of free stream turbulence intensity The film cooling jet is injected through a single hole inclined at $30^{\cire}$ to the surface and laterally at $45^{\cire}$ for the blowing rates of 0.5, 1.0 and 2.0. Turbulence generating grids are used at upstream of the film cooling hole to change the turbulence intensity of free stream. Free stream turbulence intensity without grids is 0.5%. Two different turbulence generating grid is installed at different at locations upstream of the film cooling hole so that turbulence intensity of free stream varies from 3% to 10%. The naphthalene sublimation technique has been employed to determine local heat/ mass transfer coefficients. With low free stream turbulence intensity, heat/mass transfer augmented area by coolant or free stream is distinguished evidently. However, when free stream turbulence intensity is high, heat transfer is enhanced in all region and heat transfer enhanced regions are not clearly divided due to vigorous mixing of coolant and free stream. The peak values of heat/mass coefficients are decreased and the distributions of heat/mass transfer coefficients are more uniform with high turbulence intensity. The effect of turbulence intensity on heat transfer characteristics is more evident as blowing rate is higher.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.283.2-283.2
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• 2016

최근 ZnO는 무독성, 저가격, 수소 플라즈마에 대한 내구성 및 열적 안정성 등의 활발히 연구되고 있으며, III족 원소(Al, Ga, In) 불순물을 도핑하여 전기적 성질의 열적 불안정성을 해결하고 전기적 성질을 향상 시키고 또한 밴드갭 에너지가 3.3 eV 이상으로 증가하여 가시광선 영역에서 광투과율이 높은 투명도 전성 재료를 제공할 수 있다. 본 연구에서는 RF Magnetron Sputtering을 이용하여 내열성과 광학적 측면에서 우수한 성능을 가지는 PES 기판에 표면 에너지를 높이고 치밀한 구조의 박막을 증착하기 위해서 $O_2$ 플라즈마 처리를 하여 ZnO계 투명 전도막을 제작함으로써 투명전극에서 요구하는 $10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$ 이하의 낮은 비저항과 80% 이상의 광투과율을 가지는 방안에 대하여 연구하였다. PES 기판 위에 고밀도 $O_2$ 플라즈마를 이용하여 전 처리를 실시한 후 4인치의 Al-doped ZnO(ZnO 98 wt% : $Al_2O_3$ 2 wt%), AZO의 타겟을 이용하여 상온에서 RF Magnetron Sputtering 법으로 AZO 박막을 증착하였다. PES 기판상의 AZO 박막 두께가(100~400nm) 증가함에 따라 캐리어 농도와 홀 이동도가 점차 증가하는 경향을 보였다. 이는 박막 두께가 증가할수록 면저항과 비저항은 감소하며 결정립 크기가 커지고 결정입계에서 산란이 줄어들기 때문에 전기적 특성이 개선된 것으로 판단된다. 고밀도 $O_2$ 플라즈마 표면처리 시간이 증가함에 따라 플라스틱 기판의 결합에너지와 부착력이 증가하여 AZO 박막의 결정립 크기를 증가시키며, 접촉각은 감소하였다. 또한 급속열처리 온도가 증가함에 따라 전기적 특성과 광학적 특성이 향상됨을 확인할 수 있었다. 제작된 AZO 박막은 급속열처리 시간 10분에서 온도 $200^{\circ}C$일 때, 캐리어 농도 $2.32{\times}10^{21}cm^{-3}$, 홀 이동도 $4.3cm^{-2}/V$로 가장 높은 것을 확인할 수 있었고, 가장 낮은 비저항 $1.07{\times}10^{-3}{\Omega}{\cdot}cm$과 가시광 영역(300 nm ~ 1100 nm)에서의 AZO 박막의 광 투과율은 약 86%를 얻을 수 있었다.

• Korean Journal of Air-Conditioning and Refrigeration Engineering
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• v.14 no.5
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• pp.365-376
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• 2002

An experimental study has been conducted to measure the local film-cooling effectiveness and the heat transfer coefficient for a single row of rectangular-shaped holes. four different cooling hole shapes such ai a straight rectangular hole, a rectangular hole with laterally expanded exit, a circular hole and a two-dimensional slot are tested. A technique using thermochromic liquid crystals determine adiabatic film cooling effectiveness values and heat transfer coefficients on the test surface. Both film cooling effectiveness and heat transfer coefficient are measured for various blowing rates and compared with the results of the cylindrical ho1es and the two-dimensional slot. The flow patterns downstream of holes are calculated numerically using a cummercial package. The results show that the rectangular hopes provide better peformance than the cylindrical holes. For the rectangular holes with expanded exit, the penetration is reduced significantly, and the higher and more uniform cooling Peformance is obtained even at relatively high blowing rates.

• Journal of the Korean Society of Propulsion Engineers
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• v.25 no.5
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• pp.65-72
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• 2021

700 W class laboratory model Hall thruster, which can be used for the orbit control or station keeping of small satellites, was developed. The size of the discharge channel was determined using a scaling law, and the magnetic field was designed to be symmetric with respect to the midline of the discharge channel and to be maximized outside the discharge channel. Base pressure of a vacuum chamber was maintained below 2.0×10^-5 Torr during experiments, and the thrust was measured by a thrust stand. The anode flow rate and coil current were varied with the fixed anode voltage at 300 V. Under the operation condition at 2.36 mg/s anode flow rate and 2.4 A coil current, performance was optimized as 38 mN thrust, 1,540 s total specific impulse, and 50 % anode efficiency at 620 W anode power.

• Journal of the Korean Society of Propulsion Engineers
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• v.26 no.2
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• pp.40-46
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• 2022

Hall thrusters are one of the electric propulsion, where ions are accelerated to generate thrust and are widely utilized in space missions due to their high specific impulses. Recently, as the utilization of small and micro satellites with the mass of similar or less than 100 kg is highly increasing, the importance of research and development of the low-power electric propulsion is also raised. In this study, we developed two sub-200 W or less class, laboratory model Hall thrusters and measured the thrust and analyzed the discharge characteristics. Consequently, we obtained 2.5-9.0 mN of thrust, 600-1,150 s of specific impulse, and 15-28% of anode efficiency at 50-175 W of anode power.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.113-113
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• 2003

ZnO 박막은 p형 도핑방법이 점차 알려 지면서 최근 차세대 발광소자 재료로서 주목을 받고 있으며, 우수한 전자 이동도, 우수한 홀 이동도, 발광 스펙트럼(PL) 피크의 날카로움, 높은 free exciton binding energy, 방사선 노출에 대한 큰 내구성, 습식 식각이 가능, 동종 기판 사용이 가능함으로써 박막의 품질을 개선할 수 있고 제조공정을 간소화할 수 있는 등의 장점을 지니고 있어 이에 관련된 많은 연구들이 진행되고 있다. 특히 ZnO 박막을 차세대 발광소자로 응용하기 위해서는 고품질의 에피탁시 박막을 성장시켜야 하며 이를 위하여 MBE, MOCVD, PLD법 등 다양한 에피탁시 박막증착이 시도되고 있다. 또한 보다 양질의 ZnO 박막을 성장시키기 위해 적절한 단결정 기판 및 버퍼층의 탐색과 각 기판에 따른 ZnO 박막의 물성평가 작업도 진행되고 있다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.2 no.3
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• pp.355-359
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• 1993

전자빔증착기를 이용하여 적외선영역에서 직접천이형 에너지갭을 갖는 III-V족 2원 화합물 반도체인 InSb 박막을 제작하여 전기, 자기적 특성을 조사하였다. 기판온도 $350^{\circ}C$에서 증착된 박막을 $425^{\circ}C$의 온도에서 30분 동안 아닐링한 박막은 In2O3 피크가 없어지고, InSb 피크만 나타났으며, 이대의 격자상수 $\alpha$0는 $6.49AA$이었다. 기판온도 35$0^{\circ}C$까지는 InSb 박막의 결정화가 일어나 전자 이동도가 증가하고 비저항은 감소하여다. 자계 0.5~9kG범위에서 van der Pauw 방법으로 홀효과를 측정하여 전기, 자기적 특성을 조사하였다. 최적의 조건에서 증착된 박막의 전도형은 n형이었고, 실온에서 캐리어 농도 및 이동도는 각각 2.55$\times$1016cm-3, 2.83$\times$104$ extrm{cm}^2$/V.sec이었다. 자계가 증가할수록 자계저항은 증가하였고, 9kG에서 자계저항은 1.98이었다.