• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권9호
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• pp.718-726
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• 1998

J-E 특성 AC 임피더스 분석 그리고 주파수- 전도 특성들을 실험하여 임펄스 전류 서지가 ZnO 바리스터의 열화(degradation)에 미치는 영향을 고찰하였다. ZnO 바리스터 시편에 임펄스 전류(300A/$cm^24, 8/50$\mu s$)를 인가시킨 결과, 입계(grain boundary) 특성을 나타내는 비선형계수 $\alpha$와 E\ulcorner\ulcorner의 값은 크게 감소하였으나, 입자 특성을 나타내는 E_{100A}, E_{300A}$ 값에서는 큰 변화가 없었다. 이러한 열화 현상은 입계의 위치한 부성 전하 밀도, $N_s$의 감소에 한 쇼트키 장벽의 변화에 기인한 것으로 나타났다. 임펄스 서지에 의해 열화된 ZnO 바리스터는 AC 임피더스 분석에서 현저한 non-Debye 특성을 보이며, 이는 병렬 RC 네트워크로 모델링한 Cole-Cole 완화 관계식으로 입계의 열화 특성을 잘 설명할 수 있었다. 주파수-전도도 관계를 검토한 결과 Zno 바리스터는 호핑 전도(hopping conduction),\$sigma(\omega)\varpropto\omega^{\eta}$ 특성을 나타내면, 임펄스 서지가 인가된 이후 n 값이 감소하였다. 이는 임펄스 서지에 의해 입RP 결합 상태(defect states)가 호핑 전도가 발생하기 쉽고 다중(multiple)호핑에 의한 전도 메커니즘을 갖는 것으로 고찰되었다.

• 전자통신동향분석
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• 제16권6호통권72호
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• pp.92-100
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• 2001

본 논문에서는 국내 기술기준에서 정하고 있는 주파수 호핑 스펙트럼 확산(FHSS) 방식을 사용하는 무선기기에 대한 전파의 질 측정항목과 그에 따른 구체적인 전도성 측정절차에 관하여 서술하였다. 본문에서는 측정에 관련된 일반적인 사항으로부터 주파수 허용편차, 점유주파수대역폭, 공중선전력, 불요발사, 호핑 주파수의 체류시간, 중첩성 및 호핑의 개수 등의 항목들에 대한 세부적인 측정절차와 함께 예시로써 블루투스(bluetooth) 기기를 이용한 실제 측정결과를 함께 제시하고 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.63-63
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• 2011

비정질 반도체/절연체의 직류와 교류 전도도 스펙트럼은 주파수에 대한 거듭제곱의 법칙 (power-law)을 따르는 보편성이 있음이 확인되었다. 이러한 보편성은 다양한 비정질 반도체/절연체 물질에서 공통적으로 관찰되었으며 현재까지 이 보편성의 물리학적 원인이 정확히 규명되지 않고 있다. 이 보편성을 설명하기 위한 모델로서 비정질 반도체/절연체 내의 전자/정공의 호핑 전도기구 (hopping conduction mechanism)가 제시된 바 있으며 다양한 비정질 시스템의 전도도 스펙트럼 해석에 인용되고 있다. 그러나 직.교류 전도기구 사이의 상이함에 대한 이견이 있으며 현재까지 정확히 규명된 바 없다. 본 연구에서는 비정질 GeSe 반도성 물질의 전도도 스펙트럼을 10 Hz-1 MHz 주파수 대역에서 측정하였으며 이를 위해 백금 상.하부 전극을 갖는 크로스바(crossbar)형의 금속-절연체-금속구조의 2단자 소자를 제작하였다. 측정 스펙트럼으로부터 본 연구의 GeSe 물질이 앞서 언급한 비정질 물질의 보편성에 부합함을 확인하였으며 스펙트럼 내의 직류와 교류 성분을 명확히 분리할 수 있었다. 직.교류 전도도 스펙트럼의 명확한 기구 분리를 위하여 4개의 상이한 면적을 갖는 크로스바에 대한 측정을 실시하였으며 그 결과로 직.교류 전도도의 상이한 면적 의존성을 관찰하였고 이를 근거로 직.교류 전도도가 서로 다른 전도기구에 기인함을 간접적으로 알 수 있었다. GeSe의 전도도 스펙트럼의 온도 의존성 실험을 위해 시편의 온도를 20-300 K 범위에서 변화시키며 전도도 스펙트럼을 측정하였으며 이를 통해 교류 전도도 스펙트럼 내에 상이한 두 개의 전도 기구가 혼재해있음을 규명하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권4호
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• pp.396-403
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• 1996

In this paper, the (S $r_{0.85}$.C $a_{0.15}$)Ti $O_{3}$ of paraelectric grain boundary layer (GBL) ceramics were fabricated, and the analysis of microstructuye and the thermally stimulated current(TSC) were investigated for understanding effects of GBL's interfacial phenomenon on variations of electrical properties. As a result, the three peaks of .alpha., .alpha. and .betha. were obtained at the temperature of -20 [.deg. C], 20[.deg. C] and 80[.deg. C], respectively. The origins of these peaks are that the .alpha. peak observed at -20[.deg. C] looks like to be ascribed to the ionization excitation from donor level in the grain, and the .alpha.' peak observed at 20[.deg. C] appears to show up by detrap of the trapped carrier of border between the oxidation layer and the grain, and the .betha. peak observed at 80[.deg. C] seems to be resulted from hopping conduction of existing carrier in the trap site of the border between the oxidation and second phase. and second phase.

• 한국안광학회지
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• 제6권2호
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• pp.23-29
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• 2001

SP-계열에서도 PbO가 증가할수록 액적의 형성이 잘 되었으나, 농도가 낮은 SP-1 시료에서는 액적을 관찰할 수 없었다. 이와 같은 현상은 PbO가 망목 수식제 역할을 하여 $SiO_2$에 의한 가교가 붕괴되어 유리화에 장애를 준 것으로 생각한다. 그러나 50 mol% 이상의 PbO를 포함한 유리에서는 $Pb^{4+}$ 이온이 망목 형성제 역할을 하기 때문에 유리화가 가능하다. SP-계열 유리의 주파수에 대한 전기전도도를 해석한 결과 고온에서 전기전도는 bipolaron에 의한 것이며, 저온에서 전기전도는 single polaron hopping에 의한 것으로 생각한다. SP-계열과 BP-계열 유리에서 전기전도기구는 유리질의 무질서와 관련되는 장벽 호핑(CBH) 모델과 잘 일치하였다.