• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권6호
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• pp.423-427
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• 1998

In this paper the electron mobility in $Ga{1-X}In_xAs$alloy semiconductors is simulated by using the ensemble Monte Carlo method. The simulations for Ga\ulcornerIn\ulcornerAs with In mole fraction, doping concentration and temperature as parameters are performed. The electron mobility for alloys which perfectly orderd alloys without the alloy scattering mechanism are assumed, the results show that mobility in Ga\ulcornerIn\ulcornerAs is improved by 11%, 12% and 7% for 0.25, 0.53 and 0.75. In mole fractions, respectively, We reported the theoretical results of electron mobility in $Ga{1-X}In_xAs$alloys, so those will contribute to the research and development into materials for high-speed semiconductor devices.

• 비파괴검사학회지
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• 제20권5호
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• pp.397-401
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• 2000

화력발전 플랜트의 터빈 블레이드(blade) 재료인 12Cr 합금강의 고속 열화 시편에 대한 레일리(Rayleigh) 표면탄성파의 산란과 속도의 주파수 의존특성을 액체/고체 경계 면에서 표면파의 발생기구에 의해 나타나는 후방복사 초음파 세기의 입사각 의존성으로 간접 평가하고 부식피로 특성과 비교 분석하였다. 후방복사 현상이 발생하는 입사각 폭은 부식온도와 반비례하였으며 이는 효과적 부식층의 두께 증가로 설명되었다. 이 프로파일의 폭은 피로시험에서 균열성장 관계식인 파리스(Paris) 법칙의 지수 m과 선형적으로 반비례하여 열화시편의 부식 피로 특성의 비파괴적 평가에 있어 후방복사된 초음파를 이용한 기술이 매우 유용함을 보여 보여주었다.