대기압 하에서 정상적으로 저온 플라스마가 발생 가능한 장치를 개발했다. 개발한 장치는 접지전극을 유전체로 피복한 용량결합형 전극구조로 되어 있다. rf(13.56 M Hz)을 여기 원으로서 사용한 아르곤(Ar) 또는 헬륨(He)은 플라스마 가스로서 사용했다. 발생한 플라스마는 발광분광법, 플로브 진단법에 의해 특성을 검토했다. 그 결과 전자온도>여기온도>가스온도 관계에 있는 비평형 상태의 플라스마였다. 본 장치를 사용하여 발생한 플라스마에 반응가스(CF4)을 첨가해서 대기 개방 계에서 Si(100)식각($1.5{\mu}m$/min)에 적용하여 높은 처리속도를 실현했다.
대기압 저온 플라스마를 사용하여 산화아연 박막의 건식 식각 가능성을 연구했다. 플라스마로부터 $H_\alpha^*$과 $CH_^*$ 라디컬 발생을 확인하였고, 라디컬 발생 능력은 광학 발광 스펙트럼 및 플라스마 임피던스 분석에 의해 캐소드 전극에 의존하는 것을 알았다. 식각능력은 플라스마 I-V커브에 의한 임피던스와 발광강도에 의해 계산되었다.
플라스마 표면처리는 전체적인 물성은 유지하고 표면의 특성만을 변화시킨다고 전해지고 있다. 이번 연구에서는 플라스마 처리에 의해 높은 발수성을 나타내는 나일론 6 섬유로의 개질을 시도하였다. 발수성을 나타내는 나일론 섬유는 가스 종류, 처리시간, 인가 파워를 변수로 하여 RF 진공 플라스마 시스템에서 처리되었다. 플라스마 처리된 섬유의 표면을 scanning electron microscopy(SEM)과 atomic force microscopy(AFM)으로 모폴로지 변화를 살펴보았으며, 기계적 특성과 고분자 고유의 특성을 인장강도와 Differential scanning calorimetry(DSC), thermo-gravimetric analysis (TGA)로 각각 분석하였다. 또한 나일론 섬유의 발수성 평가는 물방울 흡수시간으로 테스트를 실시하였다. 이러한 결과들은 플라스마 표면처리로 인해서 나일론 섬유의 발수성이 향상됨을 나타내었다.
플라스마 표면처리는 접착력, 친수성, 소수성 등과 같은 고분자의 표면 특성을 개질시키기 위하여 사용되고 있다. 플라스마를 이용하여 표면을 처리하게 되면 고분자의 전체적인 물성은 유지한 채 표면의 특성만을 변화시키는 장점을 가지고 있다. 본 연구에서는 다양한 가스를 사용한 플라스마를 이용하여 상업용 Polyarlide66 (PA66) /polyphenylene(PPE) 고분자의 표면의 접착력 향상을 위해 표면 유기물 제거와 친수성으로 개질을 시도하였다. 플라스마 처리 공정 변수인 공정 파워, 처리 시간, 가스 종 들을 변화시키면서 표면을 개질하였으며 PASS/ PPE 고분자의 친수성 개질을 확인하기 위하여 접촉각 및 표면 자유에너지 변화를 측정하였다. 또한 유기물 제거를 FTIR 분석을 통하여 확인하였다. 플라스마를 이용한 표면처리 결과, 공정 파워 100 W, 처리 시간 2분, 아르곤/산소 공정가스에서 가장 낮은 접촉각(73도에서 14도)과 가장 높은 표면 자유에너지 ($44.20 mJ/m^2$에서 $50.03 mJ/m^2$)를 나타내었다.
상업용 폴리우레탄(PU) 필름의 표면 개질 목적으로 대기압에서 플라스마를 발생시키기 위한 dielectric barrier discharge(DBD) 구조의 평판형 플라스마 반응기 내에서 이온화된 아르곤 플라스마를 사용하였다. 플라스마 처리 공정변수인 처리 시간, 처리 RF-power, 아르곤 가스 유속을 변화시켜가며 접촉각을 측정하여 젖음성과 표면 자유 에너지 변화를 알아보았고, 필름 표면 위에 과산화물을 최대로 도입시키기 위해 플라스마 처리 공정변수를 최적화하였다. 대기압 플라스마 처리 시간 70초, RF-power 120 W, 아르곤 가스유속 6 liter per minute(LPM)에서 가장 높은 젖음성과 표면 자유 에너지 값을 보였고, 1,1-diphenyl-2-picrylhydrazy(DPPH) 법을 사용하여 PU 필름의 표면에 생성된 과산화물의 농도를 정량한 결과, 처리 시간 30초, RF-power 80 W, 아르곤 가스유속 6 LPM의 플라스마 처리 조건에서 최대 2.1 nmol/$\cm^{2}$의 과산화물이 생성되었다.
대기압의 공기 중에서 코로나 방전 플라스마에 대한 특성을 연구하기 위해 wire-cylinder 형태의 반응로에서 FCT(flux-corrected transport) 알고리즘과 FEM(finite element method) 방법을 적용한 자체 모순이 없는 1차원 수치적 모델을 사용하였다. 코로나 방전 반응로에 펄스 전압과 직류 전압을 인가하였을 때, 플라스마 밀도의 분포를 계산하여 전압의 변화에 따른 플라스마 특성의 변화를 연구하였으며, 또한 반응로의 크기 변화에 따른 플라스마의 특성 변화를 연구하였다. 이 결과로 얻어지는 활동 반경(active radius)의 변화를 Peek의 실험값과 비교해 보았다. 이와 같은 코로나 방전 플라스마에 대한 수치적 계산 결과는 방전 과정에서 일어나는 물리적 특성을 잘 설명하여 환경오염 물질 제거를 위한 반응로의 최적 설계를 위해 유용하게 쓰일 수 있을 것이다.
Plasma ignition method has been applied in various fields particularly to the rocket propulsion, pyrotechnics, explosives, and to the automotive air-bag system. Ignition method for those applications should be safe and also operate reliably in hostile environments such as; electromagnetic noise, drift voltage, electrostatic background and so on. In the present study, a semiconductor bridge (SCB) plasma ignition device was fabricated and its plasma characteristics including the propagation speed of the plasma, plasma size, and plasma temperature were investigated with the aid of the visualization of micro scale plasma $(i.e.,\;\leq\;350\;{\mu}m)$, which generated from a Micro-Electro-Mechanical poly-silicon semiconductor bridge (SCB).
유도결합 플라스마 공간내의 전자밀도를 측정하였다. 전자밀도의 측정시 유도결합 플라스마의 작동조건은, (1) 냉각기체만 사용할 때, (2) 냉각기체와 운반기체만을 사용할 때, (3) 보통의 작동조건은, 즉 에아로졸을 포함한 운반기체를 사용할 때, (4) 약 88%의 에아로졸을 제거시켰을 때, 그리고 (5) 과량의 리튬을 주입시켰을 때로서 분류하였다. 보통의 작동조건에서 플라스마의 낮은 부분에서는 전자밀도가 상당히 감소하여 플라스마내의 가장 전자밀도가 큰 곳보다 약 80배 감소하였다. 이온화 방해영향을 일으키는 알칼리금속을 과량으로 넣었을 때 전자밀도의 변화는 관찰되지 않았고 유도코일의 power를 증가시키면 전자밀도도 증가하였다.
점착성과 소수성을 제거함으로써 실리콘 EVD 튜브의 성능을 향상시키기 위하여 저온 플라스마 공정을 이용한 실리콘 고무의 표면개질을 시도하였다. 고분자를 형성하지 않는 플라스마를 이용한 표면처리와 고분자를 형성하는 플라스마를 이용한 박막코팅 방법을 시도하였다. 박막코팅을 할 경우에 점착성이 특히 크게 줄어들었으며, 결과적으로 실험실 환경에서의 오염 정도를 줄일 수 있었다. 산소를 포함한 플라스마를 이응할 경우 튜브의 외부뿐만 아니라 내부의 표면을 친수성으로 개질시킴으로써, 결과적으로 수력학적 초기 저항을 줄일 수 있었다. 대부분의 경우에 있어서, 이러한 표면개질은 실리콘 튜브의 기계적 물성에 아무런 악영향을 끼치지 않았으며 영율, 인장강도, 인장율 등의 물성은 오히려 향상되었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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