• Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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• v.34 no.4
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• pp.391-398
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• 2010

In this paper, we propose a sensor design by using a polysilicon strain gauge bonded to a metal diaphragm. The fabrication process of the thin polysilicon strain gauges having thicknesses of $50\;{\mu}m$ was established using conventional MEMS technologies; further, the technique of glass frit bonding of the polysilicon strain gauge to the stainless steel diaphragm was established. Performance of the polysilicon strain gauge bonded to the metal cantilever beam was evaluated. The gauge factor, temperature coefficient of resistance (TCR), nonlinearity, and hysteresis of the polysilicon strain gauge were measured. The results demonstrate that the resistance increases linearly with tensile stress, while it decreases with compressive stress. The value of the gauge factor, which represents the sensitivity of strain gauges, is 34.0; this value is about 7.15 times higher than the gauge factor of a metal-foil strain gauge. The resistance of the polysilicon strain gauge decreases linearly with an increase in the temperature, and TCR is $-328\;ppm/^{\circ}C$. Further, nonlinearity and hysteresis are 0.21 % FS and 0.17 % FS, respectively.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.06a
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• pp.101.3-101.3
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• 2010

Glass frit은 실리콘 태양전지의 Ag/Si contact을 위해 필수적이다. 태양전지의 고효율 특성 구현 때문에, Contact resistance(Rc)가 우수한 Pb-frit의 사용이 불가피한 상황이다. 본 연구는 기존의 Pb계를 무연화함과 동시에 동등수준의 효율을 목표로 하였다. Ag 분말 size 및 glass frit의 열적 거동 특성이 SiNx 코팅층 침투와 Ag re-crystallites에 미치는 영향에 대해 평가하였다. 6 inch 다결정 실리콘 웨이퍼를 사용하였으며, softening temperture(Sp)별로 4종의 Bi계 glass frit을 제조 하였고, 분말 size가 다른 3종의 Ag powder를 선정하였다. Glass frit Sp가 $460^{\circ}C$ 이상의 경우에는 효율이 10% 미만이였으나 Sp $460^{\circ}C$ 이하에서는 16% 수준의 효율을 확인할 수 있었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2000.07b
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• pp.1264-1266
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• 2000

본 논문에서 비교하는 두 시스템은 모두 전력계통에서 발생할 수 있는 고조파 전류를 효과적으로 보상할 수 있는 시스템이다. 전력계통에서 고조파전류는 계통전압에 장해를 주기 때문에, 프릿카나 각종 전력용기기의 발열 진동, 소음 혹은 유도잡음 장해등의 원인이 된다. 따라서, 이에 대한 대책이 중요한 문제가 되고 있다. 본 논문은 이러한 고조파보상 시스템의 새로운 형태로써, 플라이휠에 의해서 만들어지는 에너지 저장시스템에, 전압형 PWM 인버터를 병용하여 순시제어가 가능한 시스템을 설계하는 것이다. 그리고 여기에 사용되는 회전기로 각각 권선형과 농형을 사용하여 시스템을 구성하고 그 특징과 장/단점을 비교 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2004.05a
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• pp.234-239
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• 2004

본 연구에서는 마이크로파용 유전재료로서 널리 사용되고 있는 BNT($BaO-Nd_{2}O_{3}-TiO_{2}$)계 세라믹스를 기본조성으로 하고, 저융점의 phoshpate계 유리 프릿의 첨가를 통해 LTCC(Low Temperature Cofired Ceramic)에 적용 가능한 유전율을 가진 조성을 개발 하고자, $70P_{2}O_{5}-5B_{2}O_{3}-(25-x)BaO-xNa_{2}O$ 유리를 제조 및 특성을 평가하였다. 또한, BNT계 세라믹스에 glass frit을 5 - 15 wt% 범위에서 첨가하고, $800 - 950^{\circ}C$의 온도범위에서 소결하여 제조된 유리-세라믹 복합체의 소결특성 및 유전특성을 조사하였다.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2001.07a
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• pp.413-416
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• 2001

본 논문에서 비교하는 두 시스템은 모두 전력계통에서 발생할 수 있는 고조파 전류를 효과적으로 보상할 수 있는 시스템이다. 전력계통에서 고조파전류는 계통전압에 장해를 주기 때문에, 프릿카나 각종 전력용 기기의 발열, 진동, 소음 혹은 유도잡음 장해등의 원인이 된다. 따라서, 이에 대한 대책이 중요한 문제가 되고있다. 본 논문은 이러한 고조파보상 시스템의 새로운 형태로써, 플라이휠에 의해서 만들어지는 에너지 저장시스템에, 전압형 PWM 인버터를 병용하여 순시제어가 가능한 시스템을 설계하는 것이다. 그리고 여기에 사용되는 회전기로 각각 권선형과 농형을 사용하여 시스템을 구성하고 그 특징과 장/단점을 비교 분석하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2003.11a
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• pp.364-367
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• 2003

[ $(Ba_{0.93}Ca_{0.07})_{1.009}(Ti_{0.82}Zr_{0.18})O_{2.}$ ] 이고 첨가제로 $MnO_2$ 0.2wt%, $Y_2O_3$ 0.18wt%, $SiO_2$ 0.15wt% 유리프릿으로 $(Ba_{0.4}Ca_{0.6})SiO_3$ 1 wt%를 첨가한 조성을 이용하여 각 공정별 최적화를 통해 고 신뢰성이면서 고용량 MLCC를 제작하였다 고 신뢰성 MLCC 제작에서 있어 최적의 소성온도를 확인 할 수 있었으며 외부 전극을 통한 도금액 침투를 방지하여 절연저항 특성을 향상할 수 있음을 확인하였다. 또한 1608 크기의 1.13uF의 용량을 가지는 고 신뢰성 MLCC를 제작하였다.

• Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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• v.27 no.6
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• pp.32-38
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• 2010

Laser material processing technology is adopted in several industry as alternative process which could overcome weakness and problems of present adopted process, especially semiconductor and display industry. In semiconductor industry, laser photo lithography is doing at front-end level, and cutting, drilling, and marking technology for both wafer and EMC mold package is adopted. Laser cleaning and de-flashing are new rising technology. There are 3 kinds of main display industry which use laser technology - TFT LCD, AMOLED, Touch screen. Laser glass cutting, laser marking, laser direct patterning, laser annealing, laser repairing, laser frit sealing are major application in display industry.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.40 no.1
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• pp.98-103
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• 2003

The effect of glass addition on the low-temperature sintering and microwave dielectric properties in $BaO-Nd_2O_3-TiO_2$ dielectric ceramics were studied. When 10~30 wt% of alkali lithium borosilicate glass was added, the sintering temperature decreases from $1300^{\circ}C$;to;1000^{\circ}C$ and the relative density more than 95% was obtained. When the added amount of glass increased above 10 wt%, the density as well as dielectric properties changed, which was attributed to the second phase formation. When the sample was sintered at 100$0^{\circ}C$ with l0wt% of glass, the dielectric properties of $Qxf_o{ge}2800,;{varepsilon}_r{ge}65;and;{ au_f=+55 ppm/^{\circ}C$ were obtained.

• The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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• v.48 no.7
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• pp.525-529
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• 1999

The influence of ambient gases on field emission performance of Mo-field emitter array(FEA) in the frit-sealing step of field emission display(FED) packaging process was investigated. Mo-tip FEA was mounted on the glass substrate having a surrounded frit(Ferro FX11-137) and fired at $415^{\circ}C$ in the ambient gases of air, $N_2$ and Ar. The Ar gas was proved to be most proper ambient among the used gases through evaluating the turn-on voltage and field emission current of the fired Mo-tip FEA devices. It was confirmed that the Mo surface fired in Ar ambient was less oxidized when compared with another ones annealed in air and Ar ambient by the AFM, XPS, AES and SIMS analysis. Finally, the 3.5 inch-sized Mo-tip FED, which was packaged using frit-sealing process in the Ar ambient, was proposed.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.06a
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• pp.61.2-61.2
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• 2010

Ag thick-film has usually been used for the front electrode of Si solar cells with the outstanding electrical properties. Ag paste consists of Ag powers, vehicles, frits and additives. Ag paste has broadly been screen-printed on the front side of Si wafer with the merits of low cost and simplicity. The optimal contact formation between Ag electrodes and Si wafer in the front electrode during a fast firing has been considered as the key factor for high efficiency. Although the content of frit in Ag pastes is less than 5wt%, it can profoundly influence the contact formation between Ag and Si under the fast firing. In this study, the effects of lead-free frits on the contacts between Ag and Si were studied with the thermal properties and compositions of various frits. Our experimental results showed that the electrical properties of cells were related to the interface structures between Ag and Si. It was found that current path of electrons from Si to Ag would be possible through the tunneling mechanism assisted by tens of nano-Ag recrystals on $n^+$ emitter as well as Ag recrystals penetrated into $n^+$ emitter layers. These preliminary studies will be helpful for designing the proper frits for the Ag pastes with considering the properties of various Si wafers.