• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2013.05a
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• pp.49-49
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• 2013

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2000.11a
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• pp.30-31
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• 2000

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2000.11a
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• pp.73-74
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• 2000

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2003.05a
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• pp.9-10
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• 2003

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2003.05a
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• pp.83-84
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• 2003

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2006.04a
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• pp.45-45
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• 2006

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.26 no.1
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• pp.35-39
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• 2015

Polyvinylchloride (PVC) thin films having a microporous structure could be prepared by using the solubility difference in solvents. PVC thin film with a water contact angle of $150^{\circ}$ or more was obtained from the PVC solution consisting of the mixture of tetrahydrofuran as a solvent and propanol as a non-solvent. In the drying process of dip-coated PVC film, the increase of drying temperature reduced the tendency of roughened surface, which led the decrease of surface hydrophobicity. As the addition of propanol in the solution with 1 wt% PVC increased, the uniformity of surface roughness was improved. In the case of oxygen plasma treatments, even though the surface structure of PVC thin film was not notably changed, the surface property of the film was changed from the super-hydrophobicity to hydrophilicity as a function of the plasma exposing time.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.260-260
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• 2012

최근 IT산업의 급속한 발달로 모바일 제품과 반도체 및 IC 패키지 등의 전자제품의 소형화, 경량화 및 고성능화되어 가고 있다. 따라서 반도체 공정에서 단위소자의 고속화를 구현하기 위한 금속배선공정에 사용되는 금속재료가 최근에 최소 선폭을 갖는 디바이스에서는 구리를 배선 재료로 전환하고, 향후에는 모든 디바이스가 구리를 주요 배선재료로 사용할 것으로 예측되고 있다. 반도체 소자 공정 중 시료 표면 위에 형성되는 오염물은 파티클, 유기오염물, 금속 불순물 그리고 자연 산화막으로 나눌 수 있다. 구리 표면에 생성되는 부식생성물의 종류에는 CuO, $Cu_2O$, $Cu(OH)_2$, $CuCO_3{\cdot}Cu(OH)_2$와 같은 생성물들이 있다. 이러한 부식생성물이 구리박막 표면에 형성이 되면 성장된 구리박막의 특성을 저하시키게 된다. 이러한 다양한 오염물들을 제거하기 위해서 여러 가지 전처리 공정에 대한 연구가 보고되고 있다. 본 연구에서, 스퍼터 방식으로 구리를 증착한 웨이퍼 (Cu/Ti/Si) 를 대기 중에 노출시켜 자연 산화막을 성장시키고, 이 산화막과 대기로부터 흡착된 불순물을 제거하기 위해 계면 활성제인 TS-40A와 $NH_4OH$ 수용액을 사용하여 이들 수용액이 구리 표면층에 미치는 영향에 대해 조사 분석하였다. 사용된 TS-40A는 알칼리 탈지제로서 웨이퍼 표면의 유기물을 제거하는 역할을 하며, $NH_4OH$는 구리를 제거하는 부식액으로 산업현장에서 널리 사용되고 있다. 다양한 표면 전처리 조건에 따른 구리박막 표면의 형상 및 미시적 특성변화를 SEM과 AFM을 이용하여 관찰하였고, 표면의 화학구조 및 성분 변화를 관찰하기 위해 XPS를 측정하였으며, 전기적 특성변화를 관찰하기 위해 4-point prove를 사용하여 박막의 면저항을 측정하였다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.11 no.11
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• pp.110-117
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• 1998

고온초전도체의 마이크로파 특성에 대한 이해는 고온초전도체를 이용한 고주파소자의 설계 및 제작된 소자의 특성을 이해하는데 있어서 매우 중요하다. 본문 중에는 고온초전도체의 고주파특성 중 초전도박막의 표면저향과 전자파침투깊이의 측정방법이 기술되었으며 지금까지의 연구결과 밝혀진 고온초전도박막의 표면저항의 온도 및 rf 자기장애의 의존성에 대한 내용이 기술되었다.

• Proceedings of the Korea Association of Crystal Growth Conference
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• 1997.10a
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• pp.135-144
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• 1997

표면 활성효과에 대한 비정질 규소 박막의 고성결정화 특성을 연구하였다. 증착된 비정질 규소 박막에 macro한 방법으로 wet blasting을, micro한 방법으로 자기이온주입으로 표면 활성화 처리를 행한 후 열처리를 하여 결정립의 결정화 특성을 보았다. 열처리는 관상로를 이용한 저온 열처리와 RTP를 이용한 급속 열처리의 두 가지 방법으로 하였다. 결정화의 기준으로 XRD분석을 통해 얻은 (111) 피크 강도를 이용하였으며, 결정의 품질을 비교하기 위해 Raman 분석을 하였다. 기계적 damage를 이용한 표면 활성화는 결정화를 촉진함을 확인하였으며 활성화 방법에 따른 결정화 영향 변화정도는 열처리 온도가 증가함에 따라 감소하였다.