• 제목/요약/키워드: 표면토포그래피

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X-선 Lang 토포그래피를 이용한 사파이어 단결정 웨이퍼 결함 분석

  • 전현구;빈석민;이유민;오병성;김창수
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.371-371
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    • 2013
  • 사파이어 단결정 웨이퍼는 제조과정에서 결정 성장 조건 및 기계적 연마에 의하여 내부적인 결함이 발생할 수 있다. 사파이어 단결정은 일반적으로 LED용 기판 재료로 사용되며, 내부결함이 발생 시 기판 위의 GaN 등 layer의 결함도 함께 증가하므로 기판의 결함을 줄이는 과정이 중요한 이슈이다. 이 과정에 X-선 토포그래피는 단결정의 내부 결함을 모니터링 하는데 있어서 매우 유용한 방법이다. 이에 본 연구에서는 사파이어 단결정 웨이퍼에 내재하는 결함 형태를 X-선 Lang 토포그래피 방법(X-ray Lang Topography)으로 이미징하여 관찰, 분석하였다. Lang 토포그래피 방법은 X-선 투과법으로 넓은 부분을 우수한 강도와 분해능으로 내부 결함을 관찰할 수 있는 장점을 지니고 있다. X-선 source는 Mo $k{\alpha}$ 1을 사용하였으며, 시료는 c-plane 사파이어 웨이퍼를 사용하였다. 사파이어 웨이퍼의 (110), (102) 회절면의 X-선 토포그래피 이미지를 통해 전위 결함의 유형에 따른 이미지 패턴의 형성 메커니즘에 대해 연구하였고, 측정 회절면과 두께, 표면 데미지에 따른 전위 결함 이미지의 변화를 확인하였다. X-선 토포그래피 이미지를 통해 단결정 c-plane 사파이어 웨이퍼의 전위 결함의 형성 메카니즘 연구와 유형별 이미지와 회절면, 두께, 표면 데미지에 따른 이미지 변화 등을 확인하였다.

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대구경 사파이어 단결정 기판의 결함 평가를 위한 X-선 토포그래피 장비 구축

  • 전현구;정인영;이유민;김창수;박현민;오병성
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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    • pp.238-238
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    • 2013
  • 사파이어 단결정은 광학 투명도, 물리적 강도, 충격 저항, 마모 부식, 높은 압력 및 온도 내구성, 생체 호환성 등 다양한 특성을 가지고 있어 다양한 분야에서 사용되고 있으며, 특히 최근에는 백색 또는 청색 LED 소자 분야에서 기판으로 주로 활용되고 있다. 이러한 사파이어 단결정 기판은 공정에서 결정 성장 조건 및 기계적 연마 등의 다양한 요인으로 결정학적 결함이 발생한다. 이러한 결정학적 결함을 제어함으로서 좋은 품질의 단결정 기판을 생산할 수 있다. 이에 따라 각종 결함 제어를 위해서 X-선, EPD, 레이저 편광법 등 다양한 방법으로 결함들을 측정하고 있다. 그 중에서도 X-선 토포그래피는 시료를 비파괴적인 방법으로 단결정의 결함 밀도와 유형 등을 파악하는데 매우 유용한 측정법이며, Lang 토포그래피로 대표되는 X-선 회절 투과법은 기판과 같은 대구경의 시료를 우수한 분해능으로 내부 결함까지 관찰할 수 있는 장점을 지니고 있다. 본 연구에서는 대구경 사파이어 단결정 기판에 내재하는 결정 결함을 확인 및 분석하기 위해 X-선 Lang 토포그래피(X-ray Lang Topography) 장비를 구축하였다. 그리고 4, 6인치 c-면 사파이어 단결정 기판의 (110), (102) 회절면의 X-선 토포그래피 측정을 통해 전위(dislocation), 스크래치(scratch), 표면데미지(surface damage), 트윈(twin), 잔류 응력(strain) 등의 결함의 유형을 식별 및 분석하였으며, 각각의 결함들의 토포그래피 이미지 형성 메커니즘에 대해 분석하였다. 이를 통해 X-선 Lang 토포그래피(X-ray Lang Topography) 장비가 대구경 사파이어 단결정 기판의 결정 결함 평가에 폭넓은 활용이 가능할 것으로 예상된다.

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디스크 표면 토포그래피가 자기저항 헤드의 베이스라인 안정성에 미치는 영향 (The Effects of Disk Surface Topography on Baseline Instability of MR Head)

  • 좌성훈
    • 대한기계학회논문집A
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    • 제24권2호
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    • pp.311-318
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    • 2000
  • Several factors which influence baseline instability (BLI) phenomenon in MR drive were investigated experimentally. In particular, the role of surface topography on BLI was studied in detail. The r esults show that BLI is linearly proportional to the surface waviness with a spatial wavelength of 0.4 to 5.0 min. BLI becomes worse as the surface waviness increases. On the other hand, surface roughness which has a spatial wavelength below 25 $\mu$ m has no effect on BLI. The results further show that the effect of bias current on the BLI is amplified on the disk with worse surface waviness. The disk surface waviness is dependent on the manufacturing process and becomes an inherent surface property of media. The disk surface waviness. therefore, can not be overlooked when evaluating the media for a high-performance hard disk drive. In general, waviness is reduced mainly during grinding and polishing process during manufacturing.

복잡한 ULSI 배선 구조 생성을 위한 토포그래피 모델링 및 시뮬레이션 (Topography Modeling and Simulation for the Complex Structures of ULSI Interconnects)

  • 권오섭;윤석인;김윤태;윤임대;원태영
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제39권4호
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    • pp.26-34
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    • 2002
  • 본 논문에서는 반도체 공정 중, 토포그래피 시뮬레이션을 수행함에 있어서, 기존의 셀 모델을 수정하여, 소요되는 메모리의 양을 최소화하는 셀 전진 모델을 개발하였다. 셀 전진 모델은, 전체 시뮬레이션 영역은 물질 정보만으로 나타내지며, 표면의 셀들만으로 리스트가 구성되고, 리스트에 표면 진화 계산에 필요한 정보가 저장된다. 개발된 시뮬레이터는 해석적 모델과 몬테카를로 모델을 이용하여 식각 공정에 있어서 입사이온 분포가 계산되며, 단위 공정 뿐만 아니라 공정 순서도에 따라 적층 캐패시터 또는 디램 셀(DRAM cell) 제조 공정과 같은 통합 공정을 수행한다. 개발된 시뮬레이터를 이용하여 디램 셀 제조 공정 시뮬레이션을 수행하였을 경우에, 소요된 셀은 5,440,500(130×155×270)개였고, 메모리 양은 22MB에 불과하였다.

초음파 원자 현미경을 이용한 재료 표면의 탄성 이미지화 (Elastic Imaging of Material Surface by Ultrasonic Atomic Force Microscopy)

  • 김정석;박태성;박익근;이승석;이창준
    • 비파괴검사학회지
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    • 제29권4호
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    • pp.293-298
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    • 2009
  • 본 연구에서는 나노 표면층의 특성 평가를 위해 원자현미경에 초음파 특성을 결합하여 초음파 원자 현미경을 개발하였다. 초음파 원자 현미경은 기존의 나노 표면층에 대한 토포그래프 이미지뿐만 아니라 국부적인 이종부분으로 이루어진 표면에서의 물리적 특성차이에 의한 표면의 탄성 특성 이미지를 얻을 수 있다. 본 연구에서는 프로토타입의 UAFM 장치를 구성하고 이를 몇몇 응용분야에 적용하였다. 구축한 프로토타입의 UAFM 시스템을 이용하여 증착 실리콘 박막층과 냉간 압조용 강의 구상화 그리고 탄소 섬유 강화 복합재료의 표면에 대한 탄성 이미지를 성공적으로 얻을 수 있었다.

건식 식각 공정을 위한 초고속 병렬 연산 시뮬레이터 개발 (Development of High Performance Massively Parallel Processing Simulator for Semiconductor Etching Process)

  • 이제희;권오섭;반용찬;원태영
    • 전자공학회논문지D
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    • 제36D권10호
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    • pp.37-44
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    • 1999
  • 건식 식각 공정을 시뮬레이션하기 위하여, 플라즈마 챔버 내의 식각 이온 거동 메카니즘을 몬테카를로 수치해석 방식으로 구현하였고, 식각 이온의 거동에 의한 기판의 식각 형상을 확인하기 위하여 셀 방식의 표면 전진기를 개발하였다. 몬테카를로 수치 계산의 단점인 과다한 계산 시간을 효과적으로 감소시키기 위하여, CRAY T3E 병렬 컴퓨터와 여러대의 워크스테이션을 연결한 MPI 환경에서 몬테카를로 병렬 계산 알고리즘을 개발하였다. 본 연구에서 개발한 몬테카를로 병렬 계산 알고리즘은 95% 이상의 효율성을 보이며, 16개의 프로세서를 사용하였을 때 16의 스피드업(Speedup) 값을 얻었다. 또한 셀 방식의 병렬 연산 표면 전진기를 이용하여 토포그래피 시뮬레이션을 수행한 결과에서, 셀의 개수가 2갭만 개 일 때, 약 600Mb 이상의 메모리가 소요되므로 단일 워크스테이션 환경에서는 불가능한 계산이 본 연구에서 개발한 병렬 계산 알고리즘을 이용하였을 때 32개의 프로세서에서 15분의 계산시간이 소요되었다.

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