Kim, Eun-Gyeong;Park, Jae-Yeong;Choi, Seon-Woo;Jin, Jhang;Kim, Sang-Seop
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2009.10a
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pp.141-141
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2009
EHD(electrohydrodynamic) 증착법을 적용하여 코팅층 표면복합구조제어를 연구하였다. 이 방법을 이용하여 표면구조 제어를 통한 친/소수 코팅층 개발의 제반 조건들을 탐색한다. 화학적으로 안정한 코팅층을 형성할 수 있는 전구체 물질을 용매에 혼합하고, 전구체 물질의 농도를 조절하여 다양한 점도의 용액을 합성하고, 전기장을 적절한 범위에서 변화시키면서 용액의 점도와 전기장의 변화에 따른 코팅층의 표면형상을 체계적으로 조사하고, 주요 공정 변수인 용액 전구체농도와 전기장에 따른 표면형상 변화에 대한 공정 MAP을 조사하여 초친수/초발수 특성을 나타내는 최적 표면구조를 예측한다.
The influence of titania nanorods with an average diameter of 10 nm and an average length of 30 nm on the electrohydrodynamic instability of block copolymer (polystyrene-b-poly(2-vinylpyridine)) thin film was investigated in this article. The presence of titania nanorods increased the dielectric constant of the film, which resulted in a systematic reduction in the wavelength of the surface instability. Cross-sectional transmission electron microscopy analysis indicated that the migration/aggregation of titania nanorods did not occur as a result of the applied electric field. This work can provide a simple route to the pattern formation using electrohydrodynamic instability with an aid of nanoparticles.
Kim, Jong-Su;Jo, Hyeon-Jun;Kim, Jeong-Hwa;Bae, In-Ho;Kim, Jin-Su;Kim, Jun-O;No, Sam-Gyu;Lee, Sang-Jun;Im, Jae-Yeong
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.158-158
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2010
본 연구에서는 분자선 박막성장 장비를 (MBE) 이용하여 droplet epitaxy 방법으로 성장시킨 GaAs/AlGaAs 양자점구조의 표면전기장변화에 관하여 photoreflectance spectroscopy (PR)를 이용하였다. 본 실험에 사용된 GaAs/AlGaAs 양자점 구조는 undoped-GaAs (001) 기판을 위에 성장온도 $580^{\circ}C$에서 GaAs buffer layer를 100 nm 성장 후 장벽층으로 AlGaAs을 100 nm 성장하였다. AlGaAs 장벽층을 성장한 후 기판온도를 $300^{\circ}C$로 설정하여 Ga을 3.75 원자층를 (ML) 조사하여 Ga drop을 형성하였다. Ga drop을 GaAs 나노구조로 결정화시키기 위하여 $As_4$를 beam equivalent pressure (BEP) 기준으로 $1{\times}10^{-4}$ Torr로 기판온도 $150^{\circ}C$에서 조사하였다. 결정화 직후 RHEED로 육각구조의 회절 페턴을 관측하여 결정화를 확인하였다. GaAs 나노 구조를 성장한 후 AlGaAs 장벽층을 성장하기위해 10 nm AlGaAs layer는 MEE 방법을 이용하여 $150^{\circ}C$에서 저온 성장 하였으며, 저온성장 후 기판온도를 $580^{\circ}C$로 설정하여 80 nm의 AlGaAs 층을 성장하고 최종적으로 GaAs 10 nm를 capping layer로 성장하였다. 저온성장 과정에서의 결정성의 저하를 보상하기위하여 MBE 챔버내에서 $650^{\circ}C$에서 열처리를 수행하였다. GaAs/AlGaAs 양자점의 광학적 특성은 photoluminescence를 이용하여 평가 하였으며 780 nm 근처에서 발광을 보여 주었다. 특히 PR 실험으로부터 시료의 전기장에 의한 Franz-Keldysh oscillation (FKO)의 변화를 관측하여 GaAs/AlGaAs 양자점의 존재에 의한 시료의 표면에 형성되는 표면전기장을 측정하였다. 또한 시료에 형성된 전기장의 세기를 계산하기위해 PR 신호로부터 fast Fourier transformation (FFT)을 이용하였다. 특히 온도의 존성실험을 통하여 표면전기장의 변화를 관측 하였으며 양자구속효과와 관련성에 대하여 고찰 하였다.
Proceedings of the Korean Fiber Society Conference
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2001.10a
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pp.231-233
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2001
최근 나노섬유기술 (NT)과 더불어 전기방사의 중요성이 날로 증가하고 있는데, 전기방사란 고분자 용액 및 용융된 고분자에 고전압을 걸어주어 부직포를 받아주는 collector와 방사되는 tip사이에 전기장을 형성시켜 부직포를 제조하는 방법이다. 전기장의 세기가 고분자 용액의 표면 장력과 같을 경우 전하를 띤 고분자 용액은 tip부분에 맺히게 되며, 고분자가 가지고 있는 표면장력 이상의 전압을 걸어주면 하전된 고분자 방울은 안정되지 못하고 접지 방향으로 분산 (jet form) 하게 된다. (중략)
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.05a
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pp.137-141
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2004
저항특성이 다른 ITO박막의 구조특성과 표면특성을 XRD와 AFM(atomic force microscopy), SEM(scanning electron microscopy)을 이용하여 관측하였다. 접촉방식인 4단자 법을 사용하여 ITO박막의 표면전기저항을 측정하였다. 관측된 구조 및 표면특성을 바탕으로 비파괴 비접촉방식을 이용한 근접장 마이크로파 현미경을 이용하여 얻은 ITO박막의 표면저항특성과 비교 연구하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2014.11a
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pp.58-59
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2014
유연성이 우수한 전도성 고분자 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS)의 전기적 특성향상에 대한 연구를 위해, 본 연구에서는 PEDOT:PSS 박막에 전기장을 수직방향으로 인가하여 PEDOT 과 PSS 의 상분리를 형성시킨 후 기존의 공정 방식과는 다른 dynamic etching 공정 방식을 적용하여 PEDOT:PSS 박막의 표면에 존재하는 PSS를 효과적으로 제거함으로써 전기장을 인가하지 않은 PEDOT:PSS 전도성 대비 최대 50%까지 전도성을 향상 시켰을 뿐만 아니라 표면 상태 역시 RMS 2.28 nm로 smooth한 표면을 얻을 수 있었다.
In previous study, it was reported that the anomalous skin effect should be considered in the low pressure condition(<10 mTorr). However there is the problem that the filament type antenna model of which size is 0 makes the non-physical phenomena that the electric field at the antenna point is infinite. Therefore, in this work, using the surface current model the electric field in antenna region is calculated and compared with the case of filament type antenna model in various conditions.
Proceedings of the Korea Technical Association of the Pulp and Paper Industry Conference
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2001.11a
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pp.53-53
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2001
종이의 전기적 성질 가운데 유전율은 전기장에 대한 종이의 물리화학적인 반응으로 일반적으로 종이의 밀도와 종이를 구성하는 성분의 쌍극자 모멘트에 비례하며 온도에 따라서도 변화한다. 일반적으로 온도가 상승하면 열에너지를 얻게된 쌍극자가 전기장에 배열됨으로써 유전율이 상승하지만 온도가 유리전이점 이상으로 높아질 경우에는 열적 교란에 의해서 분극능력이 감소하게 되어 유전완화 현상이 나타난다. 전기절연지로 사 용될 종이의 절연특성을 이해하기 위해서는 사용환경에 따른 유전적 특성 및 tan 0에 관한 연구가 필요하며 필름형성능력이 우수한 polyvinyl a1cohoHPV A)와 acrylonitrile을 이용하여 시아노에틸화한 PYA의 표면처리에 의해 종이의 유전적 특성이 향상되었음을 기존의 연구를 통하여 확인할 수 있었다. 본 연구에서는 전기절연지가 사용되는 환경조건에서 PYA를 기본물질로하는 유전필름 의 열적 안정성을 평가하였으며, 아울러 표면사이징 공정에서의 적용성 검토를 위하여 용액의 유동특성을 분석하였다. 유전특성 향상을 위해서는 표면 사이즈제의 유도체화 과정에서 쌍극자 모벤트의 밀도 증가를 통한 유전율 향상이 요청되며 이와 동시에 네트원 구조를 통하여 전기장에 대 한 물리적 특성이 유지되어야 한다. 본 연구에서는 W AXD( wide angle x-ray diffraction)를 이용하여 시아노에틸화 반응 과 고온에서의 열화에 의한 필름의 결정화도를 평가하였으며 온도 상승에 따른 흡열 피크의 변화를 통하여 온도 변화에 따른 PYA 분자구조의 변화와 유리전이온도의 추이 를 분석하였다. 또 열화과정에서 수반되는 필름의 중량감소율을 평가함으로써 열안정성 을 평가하였다. 그 결과 시아노에틸화한 PYA가 안정된 분자구조를 유지하고 있음을 확인할 수 있었다. 시아노에틸화한 PYA용액의 점탄성 평가를 위하여 storage modulus와 loss modulus 를 분석하였다. 일반적 유변특성 평가 결과 PYA용액은 shear-thinning, pseudoplastic 한 특성을 나타내어 표면사이즈 공정에서의 적용 가능성을 확인할 수 있었다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.96-96
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2013
전기습윤이란 고체 표면에 형성된 액적에 전기장을 인가하게 되면 액적과 표면의 계면에너지 감소로 인해 접촉각이 변화되는 현상을 말한다. 이 현상은 전자종이 구현에 응용이 모색되고 있으며, 다초점 렌즈, 마이크로 프리즘, 반사형 디스플레이 등에도 응용될 수 있다. 전기습윤현상의 응용 가능성이 현실화됨에 따라 최근 여러 표면에서의 전기습윤 현상이 연구되고 있다. 예를 들면, 나노 구조로 형성된 실리콘 기판에서 molten salt (1-ethyl-3-methyl-1-H-imidazolium tetrafluoroborate)에 22 V를 인가하면 약 $180^{\circ}$에서 $110^{\circ}$로 접촉각변화를, cyclopentanol에 50 V를 인가하면 표면에 완전히 퍼지는 현상이 보고된 바 있고, 배열된 Carbon Nanotube 박막에서는 탈이온수와 0.03 M NaCl 용액에 대해서 0~50 V를 가해줌에 따라 각각 $155^{\circ}$에서 $90^{\circ}$, $130^{\circ}$에서 $50^{\circ}$로의 접촉갑 변화가 있음이 관찰되었다. 본 연구에서는 화학적으로 안정하고 그 활용도가 매우 광범위한 실리카 코팅층을 전기분무증착법(electrospray deposition)을 이용해 형성하고, 코팅층의 표면 거칠기와 구조, 전기절연층의 두께 등에 따른 전기습윤 현상 거동을 조사하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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