• Journal of Yeungnam Medical Science
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• 제13권1호
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• pp.116-133
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• 1996

생체합금의 생체적합성을 검증하기위해, 표면처리가 되지 않은 타이타늄 봉과 표면처리를 시행한 타이타늄 봉을 실험용토끼의 대퇴골 근위부에 삽입하여 6주, 12주 및 26주후 방사선 관찰 후 광학현미경적 검사를 통한 골 반응을 비교 관찰하였다. 전 례에서 부식에 의한 반응은 관찰되지 않았으며, 신생골의 증식은 타이타늄의 삽입 후 26주까지 경도의 골증식이 관찰되었으나, 표면처리여부에는 관계가 없었다. 표면처리를 시행하지 않은 타이타늄의 삽입한 11례 중 1례의 경우 삽입 후 12주에 경도의 골괴사반응이 관찰되었으며 표면처리를 시행한 타이타늄을 삽입한 후 전 례에서 골괴사가 관찰되지 않았다. 이는 수술적 조작에 의한 것으로 사료되었다. 섬유원세포의 증식은 시기에 관계없이 전 례에서 관찰되었으며, 표면처리 여부 혹은 시간의 경과 정도와 관계가 없었다. 표면처리를 시행하지 않은 타이타늄의 삽입 후 6주에는 침윤정도 및 조직반응정도는 표면처리한 타이타늄의 삽입에 비해 통계적으로 유의하게 증가하였다. 그러나, 12주 및 26주 후에는 유의한 차이가 없었다. 다중회귀분석법의 단계별 투입방식을 이용하여 세포의 침윤율을 시간의 경과와 표면 처리여부에 따라 상관관계를 분석한결과, 세포 침윤율은 시간의 경과 및 표면처리를 하게 됨에 따라 감소하는 경향이 있었다. 조직 반응율의 정도도 침윤율과 유사한 양상을 나타내었다. 이상의 결과, 생체합금의 표면처리에 따라 골반응의 정도가 유의한 차이가 있었으므로 내고정 기구의 제작을 위해서는 보다 생체 적합성이 양호한 제작방법의 개발이 요구될 것으로 사료되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.202-202
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• 2009

대전제어제를 이용하여 전하량을 가지는 토너 입자를 제조하고, 입자의 유동성을 부여하기 위하여 입자의 표면처리를 하였다. 제조된 토너 입자의 크기는 약 $8{\mu}m$정도이며, 표면 처리를 위해 크기가 약 14nm 정도인 nano-silica를 사용하였다. 대전제어제가 첨가된 토너 입자의 평균 전하질량비는 30.9uC/g이고, 표면처리를 한 입자의 전하질랑비는 외첨 시간이 증가함에 따라 점차적으로 감소하는 것을 관찰 할 수 있었다. 또한 표면처리가 된 입자의 유동성은 표면처리를 하지 않은 입자 보다 우수하다는 것을 관찰 할 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.289-289
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• 2013

CRFP (carbon fiber reinforced plastics)는 탄소섬유 직물에 수지를 함침시켜 만들어지며, 고강도, 고탄성을 지니면서도 가볍고 밀도가 낮기 때문에 항공우주, 스포츠 용품 등 다양한 분야에서 활용되고 있다. 탄소섬유와 수지의 결합력을 증가시키기 위해 사이징, $HNO_3$ 산화, 전기화학적 산화, 플라즈마 처리 등의 다양한 탄소섬유 표면처리 방법이 개발되고 있다. 본 연구에서는 복합재의 강도향상을 위해 탄소섬유 직물을 마이크로웨이브 알곤 플라즈마로 처리하여 강도변화를 관찰하였다. 플라즈마 처리된 직물은 열가소성수지인 CBT와 함침시켜 탄소섬유 복합재로 제조하였다. 그 결과 플라즈마 처리한 복합재의 강도 향상을 확인할 수 있었고, SEM(scanning electron microscope)을 통해 복합재의 표면이 거칠어진 것을 관찰할 수 있었다. 플라즈마로 인해 직물의 표면적이 증가하여 직물의 표면과 수지의 결합력이 증가한 것으로 판단된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 하계학술대회 논문집 Vol.5 No.2
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• pp.989-992
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• 2004

PEMBE(plasma enhanced molecular beam epitaxy)방법으로 성장된 GaN 박막의 초기 거동현상을 실시간 X-선 산란을 이용하여 관찰하였다. 표면이 원자 계단(atomic step)을 이루고 있는 사파이어 기판 위에 성장하는 GaN 박막은 layer-by-layer 모드로 성장 후 3D 모드로 성장을 하였다. 거친 표면을 가진 사파이어 기판 위에 성장하는 GaN 박막은 성장 초기는 표면을 평평하게 만든 후, 3D 모드로 성장하였다. 플라즈마로 생성된 이온화된 질소는 표면의 에너지를 변화시켜 GaN 박막의 증착을 증진시키고, 표면의 coverage를 증가시킨다.

• 한국표면공학회지
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• 제31권4호
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• pp.199-208
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• 1998

자벽고착 개념에 기초를 둔 새로운 조화센서는 다음과 같이 설명되어진다. 2단계 열처리된 Co계 비전질 percursor은 특이한 signal을 유발시키는데 이는 자속의 단계적인 변화를 나타내는 hystresisloop에 기인한다. 자장하에서의 1단계 열처리는 M-H loop에서 일축유도 자기이방성을 발생시킨다. 2단계 무자장하의 열처리는 고착된 자벽의 stepped hystresis의 특성을 나타내는데 이로인해 유용한 marker로서의 특징을 가지게 된다. 열처리동안 비정질재료의 표면과 내부에서 상당량의 산화와 결정화 과정을 거치는 것이 관찰되었다. 이오인한 표면 자벽 고착 모델의 제안은 자벽의 고착이 비정질부분과 semi-hard Co 층간의 접합면에서 가장 효과적으로 얻어지다는 것으로써 확신되어진다. 또한 자벽 고착 자장과 결정화된 Co층의 두께간의 상당한 연관성도 관찰되었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.164-165
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• 2007

Si(중간층)/DLC(diamond-like carbon)막은 스퍼터와 이온소스(ion source)법에 의한 복합방식(hybrid method)을 이용하여 3mTorr의 반응가스 벤젠($C_6H_6$)분위기에서 Si wafer에 기판온도 $130^{\circ}C$로 180분간 증착하였다. 평가는 표면과 단면에 대해 주사전자현미경(scanning electron microscopy, SEM)과 투자전자현미경(trasmission electron microsope, TEM)으로 관찰하였다. 경도와 마찰계수는 나노인텐터(nanoindetor)와 마모시험기를 이용하였으며, 박막의 구조는 라만스펙트럼으로 분석하였다. 그 결과 박막의 두께는 약 $0.9{\mu}m$, 표면조도는 약 $0.34{\sim}1.64nm$로 평탄한 표면을 가지며 경도는 약 $35{\sim}37GPa$, 마찰계수는 약 $0.02{\sim}0.07$로 관찰되었다. 라만분광법과 전자회절패턴에 의해 IG/ID의 함량비는 $0.54{\sim}0.59$로 $sp^2$와 $sp^3$가 혼재된 전형적인 비정질 구조임을 확인하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.93-94
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• 2007

DC 마그네트론 스퍼터링법에 의하여 전도성이 다른 타겟을 사용하여 non-alkali glass 기판위에 실온에서 ITO 박막을 증착하였다. 전도성 향상 타겟을 사용하여 증착한 ITO 박막의 경우, 최저 비저항은 2.9 ${\times}$ $10^{-4}{\Omega}cm$로 산소첨가량 0.5%에서 얻어졌다. 이것은 타겟 표면의 노듈에 의하여 발생하여 박막물성을 저하시키는 마이크로 아킹의 감소 및 플라즈마 임피던스의 감소에 의한 방전 안정성의 증가에 기인한다고 생각된다. 한편 AFM에 의한 박막표면의 관찰결과, 산소첨가량에 따라 박막표면의 거칠기는 증가하는 것으로 나타났다. 이결과는 산소의 증가에 따른 박막의 부분적인 결정화에 기인한다고 생각되어진다. 그러나 XRD 관찰 결과 산소첨가에 따른 박막의 미세구조의 변화는 확인 할 수 없었다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 춘계학술발표회 논문집
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• pp.335-335
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• 2012

금속 박막과 PI film 과의 접촉력을 증가시키기 위하여 remote - type modified dielectric barrier discharge (DBD) module을 이용하여 대기압 플라즈마 표면 처리를 실시한 결과, 접촉각이 매우 낮게 형성됨을 관찰 할 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제3권2호
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• pp.186-189
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• 1994

Si(111)-7x7 표면에 Sn을 증착시킬 때 기판온도와 증착량에 따른 표면구조의 변화를 RHEED상 (pattern)과 RHEED상의 회절반점(spot) 강도변화를 관찰하여 조사하였다. Si(111) 기판오도를 $ 400^{\circ}C$로 유지하면서 Sn을 증착시킬 때{{{{ SQRT { 3}$\times$ SQRT { 3} 구조가 관찰되었으며 기판온도 $200^{\circ}C$ 이하에서는 증착량에 따라 {{{{ SQRT { 3}$\times$ SQRT { 3} }}, {{{{2 SQRT { 3} $\times$2 SQRT { 3} }}, 구조들이 관찰되었다. RHEED 반점의 강도변화를 이용하여 Si(111)-Sn {{{{ SQRT { 3}$\times$ SQRT { 3} 서의 Sndnjs자의 이탈과정을 조사한 결과 이탈에너지는 $3.3pm$0.1 eV로 조사되었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 춘계학술대회 논문집 전기설비전문위원
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• pp.185-187
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• 2008

ACSR-OC 전선은 알루미늄, 아연 및 철 등 세 가지 금속이 서로 접촉되는 이질구조이므로 도체 내에 전해질의 수용액이 존재할 경우 전해부식이 일어나기 쉽고 표면이 손상되었을 경우는 서지의 고정점으로 작용하여 단선될 우려가 있다. Al 절연전선이 염분에 의해 발생되는 변화를 살펴보았다. 시료는 10년이상 현장에서 사용한 후 천거한 전선과 신품에 대해 기계적 강도시험(KSC 3113의 5.4.3 (인장하중시험)), 소선의 성분분석(SEM) 및 현미경 관찰을 실시하였다. 실험결과, 철거전선 표면에서는 알루미늄 외 산소, 염소(Cl), 나트륨(Na) 등이 관찰되었으며 소선은 부식 또는 진행 중이어서 전선의 인장력이 저하되어 있었다. 또 표면이 손상된 전선에 대해 파괴시험, 현미경 관찰 등을 실시하여 절연에 미치는 영항을 조사하였다.