In this paper, we describe a new method to form polymer thin films, in which carbon nanotubes (CNTs) are homogeneously distributed so that they can strengthen the mechanical property of resulting polymer film. To do so, we first homogeneously mixed CNTs with polymer in a DMF solvent. With the assistance of ultrasonic nebulizer, the polymer/CNT solution was then aerosolized into micro-sized droplets and finally turned into solidified polymer/CNT composite particles by gas-phase drying process. As the results of SEM and TEM analysis, CNTs were found to be homogeneously immobilized in the polymer matrix particles due to rapid drying process in the gas phase. For comparison purpose, (i) the polymer/CNTs composite particles prepared by aerosol processing method and (ii) polymer/CNTs sheets prepared by simple solution-evaporation method were employed to form polymer/CNTs composite thin films using a hot press. As the result, the aerosol processing of composite particles was found to be a much more effective method to form homogeneously distributed-CNTs in the polymer matrix thin film.
Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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2004.10a
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pp.590-595
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2004
The shape and size variations of the nanopatterns produced on a positive photoresist using a near-field scanning optical microscope(NSOM) are investigated with respect to the process variables. A cantilever type nanoprobe having a 100nm aperture at the apex of the pyramidal tip is used with the NSOM and a He-Cd laser at a wavelength of 442nm as the illumination source. Patterning characteristics are examined for different laser beam power at the entrance side of the aperture( $P_{in}$ ), scan speed of the piezo stage(V), repeated scanning over the same pattern, and operation modes of the NSOM(DC and AC modes). The pattern size remained almost the same for equal linear energy density. Pattern size decreased for lower laser beam power and greater scan speed, leading to a minimum pattern width of around 50nm at $P_{in}$ =1.2$\mu$W and V=12$\mu$m/. Direct writing of an arbitrary pattern with a line width of about 150nm was demonstrated to verify the feasibility of this technique for nanomask fabrication. Application on high-density data storage using azopolymer is discussed at the end.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.22
no.12
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pp.1009-1013
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2009
In this study, we have been synthesized the dielectric layer using pure organic and organic-inorganic hybrid precursor on flexible substrate for improving of the organic thin film transistors (OTFTs) and, design and fabrication of organic thin-film transistors (OTFTs) using small-molecule organic semiconductors with pentacene as the active layer with record device performance. In this work OTFT test structures fabricated on polymerized substrates were utilized to provide a convenient substrate, gate contact, and gate insulator for the processing and characterization of organic materials and their transistors. By an adhesion development between gate metal and PI substrate, a PI film was treated using $O_2$ and $N_2$ gas. The best peel strength of PI film is 109.07 gf/mm. Also, we have studied the electric characteristics of pentacene field-effect transistors with the polymer gate-dielectrics such as cyclohexane and hybrid (cyclohexane+TEOS). The transistors with cyclohexane gate-dielectric has higher field-effect mobility, $\mu_{FET}=0.84\;cm^2/v_s$, and smaller threshold voltage, $V_T=-6.8\;V$, compared with the transistor with hybrid gate-dielectric.
Copper-indium-diselenide (CIS) particles were prepared by the electrochemical reduction from the mixture solution of corresponding ion compounds. The prepared CIS was used as an insertion layer or a blending component in the organic photovoltaic bulk heterojunction cells composed of poly(3-octylthiophene) and fullerene. The increase of CIS content resulted in the rapid decrease of the open-circuit voltage as well as short-circuit current. The photovoltaic parameters were analyzed in relation to the structures, composition, and morphology of the photovoltaic blends.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.22
no.8
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pp.645-649
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2009
We investigated the effects of a high density $O_2$ plasma treatment on the structural and electrical properties of Ga-, B- codoped ZnO (GZOB) films. The GZOB films were deposited on polymer substrate without substrate heating by DC magnetron sputtering. Prior to the GZOB film growth, we treated a polymer substrate with highly dense inductively coupled oxygen plasma. The optical transmittance of the GZOB film, about 80 %, was maintained regardless of the plasma pre-treatment. The resistivity of the GZOB film on PC substrate decreased from 9.08 ${\times}$$10^{-3}$${\Omega}-cm$ without an $O_2$ plasma pre-treatment to 2.12 ${\times}$$10^{-3}$${\Omega}-cm$ with an $O_2$ plasma pre-treatment. And PES substrate decreased from 1.14 ${\times}$$10^{-2}$${\Omega}-cm$ without an $O_2$ plasma pre-treatment to 6.13 ${\times}$$10^{-3}$${\Omega}-cm$ with an $O_2$ plasma pre-treatment.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.29
no.7
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pp.440-444
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2016
Titanium oxide ($TiO_2$) thin films were synthesized on polymer insulator and Si substrates by atomic layer deposition (ALD) method. The surface and electrical properties of $TiO_2$ films synthesized at various ALD cycle numbers were investigated. The synthesized $TiO_2$ films exhibited higher contact angle and smooth surface. The contact angle of $TiO_2$ films was increased with the increase of ALD-cycle number. Also, the rms surface roughness of films was slightly rough with the increase of ALD-cycle number. The leakage current on $TiO_2$ film surface synthesized at various conditions were uniformed, and the values were decreased with the increase of ALD-cycle number. In the results, the performance of $TiO_2$ films for self-cleaning critically depended on a number of ALD-cycle.
Park, Hoon;Seo, Yu-Suk;Shin, Dong-Seop;Yu, Hee-Sung;Hong, Jin-Soo;Kim, Cgang-Kyo;Chae, Hee-Baik
Proceedings of the KAIS Fall Conference
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2006.05a
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pp.339-343
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2006
전기발광소자는 바이폴라소자로서 전자와 정공의 주입, 이동 및 재결합에 의하여 발광한다. 소자에 사용되는 발광층의 대표 물질인 $Alq_3$를 한층(single layer)만 사용하고 정공의 주입을 도와주기위하여 폴리테트라플로로에틸렌(테플론)층을 얇게 증착하여 두께 변화에 따른 소자의 전기적 발광 특성을 측정하였다. 테플론은 좋은 부도체 폴리머로서 정공 터널링 전류가 두께 2 nm에서 가장 크게 증가하였으며 효율도 최대에 이르렀다. 주사전자현미경을 이용하여 실리콘 기판에 증착시킨 테플론 박막의 조직을 조사한 결과 두꺼워 질수록 라멜라(섬유조직)가 발달함을 알 수 있었다. 전자 주입을 도와주는 터널링층으로서 알루미늄산화막을 $Alq_3$ 위에 3 ${\AA}$ 증착한 결과 전류와 효율이 더 증가하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.06a
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pp.228-228
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2008
CdS is II-VI semiconductor with a wide band gap of approximately 2.42 eV. CdS is the most popularly employed heterojunction partner to p-CdTe due to its similar chemical properties. In this work, to improvement of the surface properties of the CdS films, PET substrate is treated by high density $O_2$ plasma. CdS films are prepared by chemical bath deposition(CBD) method. In case of the PET substrate with plasma treatment for 2min, the crystalline orientation of CdS films exhibits a strong hexagonal(002). Grain size was increased from 300nm without $O_2$ plasma treatment to 380nm with an $O_2$ plasma treatment.
Adhesion strength of polyurethane adhesive for laminated metal plate was investigated. Also, the effect of laminating conditions on the adhesion strength was understood by measuring peel strength as a function of adhesion temperature and time. The amount of isocyanate appearing due to the unblocking of oxime in polyurethane adhesive affected the strength of adhesion with hydroxyl on the metal plate or aluminum foil and it was controlled by adhesion temperature and time. However, the excess of temperature and time in laminating process caused the lowering of adhesion strength because of the decrease of solvent content as well as thermal degradation of the adhesive.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.34
no.1
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pp.16-20
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2021
In this study, we tried finding new materials to improve the stain resistance properties of polymer insulating materials. Using the filtered vacuum arc source (FVAS) with a graphite target source, DLC thin films were deposited on silicon and polymer insulator substrates depending on their thickness to confirm the surface properties, physical properties, and structural properties of the thin films. Subsequently, the possibility of using a DLC thin film as a protective coating material for polymer insulators was confirmed. DLC thin films manufactured in accordance with the thickness of various thin films exhibited a very smooth and uniform surface. As the thin film thickness increased, the surface roughness value decreased and the contact angle value increased. In addition, the elastic modulus and hardness of the DLC thin film slightly increased, and the maximum values of elastic modulus and hardness were 214.5 GPa and 19.8 GPa, respectively. In addition, the DLC thin film showed a very low leakage current value, thereby exhibiting electrical insulation properties.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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