• Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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• 2004.06a
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• pp.226-227
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• 2004

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.40 no.4
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• pp.13-20
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• 2003

The model of the transistor saturation current of the BJT for integrated circuits based upon the semiconductor physics is proposed. The method for calculating the doping profile in the base region using process conditions is presented and the method for calculating the base Gummel number of lateral PNP BJT and vertical NPN BJT is proposed. The transistor saturation currents of NPN BJT using 20V and 30V process conditions obtained from the proposed method show an average relative error of 6.7% compared with the measured data and the transistor saturation currents of PNP BJT show an average relative error of 6.0% compared with the measured data.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.404-404
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• 2016

태양전지 제작 시 표면에 피라미드 구조를 형성하면 입사되는 광의 흡수를 높여 광 생성 전류의 향상에 기여한다. 일반적인 KOH를 이용한 습식 표면조직화 공정은 평균 10%의 반사율을 보였으며, 유도 결합 플라즈마를 이용한 RIE 공정은 평균 5.4%의 더 낮은 반사율을 보였다. 그러나 RIE 공정을 이용한 표면조직화는 낮은 반사율과 서브 마이크론 크기의 표면 구조를 만들 수 있지만 플라즈마 조사에 의한 표면 손상이 많이 발생하게 된다. 이러한 표면 손상은 태양전지 제작 시 표면에서 높은 재결합 영역으로 작용하게 되어 포화 전류(saturation currents, $J_0$)를 증가시키고 캐리어 수명(carrier lifetime, ${\tau}$)을 낮추는 결함 요소로 작용한다. 이러한 플라즈마에 의한 표면 손상을 제거하기 위해 HF, HNO3, DI-water를 이용하여 DRE(Damage Remove Etching) 공정을 진행하였다. DRE 공정은 HF : DI-water 솔루션과 HNO3 : HF : DI-water 솔루션의 두 가지 공정을 이용하여 공정 시간을 가변하며 진행하였다. 포화전류($J_0$), 캐리어 수명(${\tau}$), 벌크 캐리어 수명(Bulk ${\tau}$)을 비교를 하기위해 KOH, RIE, RIE + DRE 공정을 진행한 세 가지 샘플로 실험을 진행하였다. DRE 공정을 적용할 경우 공정 시간이 지날수록 반사도가 높아지는 경향을 보였지만, 두 번째의 최적화된 솔루션 공정에서 $2.36E-13A/cm^2$, $42{\mu}s$의 $J_0$, Bulk ${\tau}$값과 가장 높은 $26.4{\mu}s$의 ${\tau}$를 얻을 수 있었다. 이러한 결과는 오제 재결합(auger recombination)이 가장 많이 발생하는 지역인 표면과 불균일한 도핑 영역에서 DRE 공정을 통해 나아진 표면 특성과 균일한 도핑 프로파일을 형성하게 되어 재결합 영역과 $J_0$가 감소 된 것으로 판단된다. 높아진 반사도의 경우 $SiN_x$를 이용한 반사방지막을 통해 표면 반사율을 1% 이내로 내릴 수 있어 보완이 가능하였다. 본 연구에서는 RIE 공정 중 플라즈마에 의해 발생하는 표면 손상 제거를 통하여 캐리어 라이프 타임의 향상된 조건을 찾기 위한 연구를 진행하였으며, 기존 RIE 공정에 비해 반사도의 상승은 있지만 플라즈마로 인한 표면 손상을 제거하여 오제 재결합에 의한 발생하는 $J_0$를 낮출 수 있었고 높은 ${\tau}$값인 $26.4{\mu}s$의 결과를 얻어 추후 태양전지 제작에 향상된 효율을 기대할 수 있을 것으로 기대된다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.750-751
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• 2008

본 논문은 컨버터용 변압기의 여자전류 해석을 통해 DC 성분 유입시 자속밀도-여자전류 곡선 그래프를 도출하여 철심포화 여부를 확인하며, 철심 공극에 의해 발생되는 누설자속(Leakage Flux)으로 인한 철구조물(Lock Plate)의 와전류 손실을 계산하였다. 변압기 해석을 위해 상용 해석 소프트웨어인 Maxwell 3D를 이용하였고, 철심의 비선형성을 고려하여 해석하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2001.07b
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• pp.620-622
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• 2001

자성체 코어의 비선형 특성을 이용하여 DC와 AC 전류를 측정하는 Zero-Flux Current Transformer는 정밀 전류 측정용으로 많이 연구되고 있다. Zero-Flux Current Transformer는 DC 대전류 측정에 합당하며 저 전류 측정에 사용될 경우 소모전류, 안정되고 첨예한 필터 제작, magnetic modulator에 의한 zero point drift, 자화 전류가 비대칭일 때 출력 등과 같은 문제가 해결되어야 한다. 그리고 상용으로 사용하기 위하여 Hand-Held Type으로 제작되어야하며 동작시의 소모전류가 작고 정확도가 우수하여야 한다. 본 연구에서는 자화 전류가 비대칭일 때 출력을 zero로 만들기 위하여 사용하는 필터와 복잡한 회로로 구성된 magnetic modulator 부분을 여러개의 peak detector를 사용하여 AC와 DC를 측정하는 클램프미터를 개발하였으며 그 특성에 대한 내용을 기술하였다.

• Journal of the Institute of Convergence Signal Processing
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• v.19 no.2
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• pp.77-88
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• 2018

This paper proposes a RBFNN(Radial Basis Function Neural Network) based decentralized adaptive tracking control scheme using PSO(Particle Swarm Optimization) for an uncertain electrically driven robot system with input saturation. Practically, the magnitudes of input voltage and current signals are limited due to the saturation of actuators in robot systems. The proposed controller overcomes this input saturation and does not require any robot link and actuator model parameters. The fitness function used in the presented PSO scheme is expressed as a multi-objective function including the magnitudes of voltages and currents as well as the tracking errors. Using a PSO scheme, the control gains and the number of the RBFs are tuned automatically and thus the performance of the control system is improved. The stability of the total control system is guaranteed by the Lyapunov stability analysis. The validity and robustness of the proposed control scheme are verified through simulation results.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.5 no.1
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• pp.157-165
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• 2001

We analyzed the electrical characteristics of platinum silicide schottky junction to develope the voltage swing in Integrated Schottky Logic gates, and simulated the characteristics with the programs in this junctions. Simulation programs for analytic characteristics are the Medichi tool for device structure, Matlab for modeling and SUPREM V for fabrication process. The silicide junctions consist of PtSi and variable silicon substrate concentrations in ISL gates. Input parameters for simulation characteristics were the same conditions as process steps of the device farications process. The analitic electrical characteristics were the turn-on voltage, saturation current, ideality factor in forward bias, and has shown the results of breakdown voltage between actual characteristics and simulation characteristics in reverse bias. As a result, the forward turn-on voltage, reverse breakdown voltage, barrier height were decreased but saturation current and ideality factor were increased by substrates increased concentration variations.

• Journal of Korea Multimedia Society
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• v.3 no.5
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• pp.535-541
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• 2000

In this paper, we analyzed the characteristics of schottky junction to develop the voltage swing of ISL, and simulated the characteristics with the programs at this junctions. Simulation programs for analytic characteristics are the SUPREM V, SPICE, Medichi, Matlab. The schottky junction is rectifier contact between platinum silicide and silicon, the characteristics with programs has simulated the same conditions. The analytic parameters were the turn-on voltage, saturation current, ideality factor in forward bias, and has shown the results of breakdown voltage between actual characteristics and simulation characteristics in reverse bias. As a result, th forward turn-on voltage, reverse breakdown voltage, barrier height were decreased but saturation current and ideality factor were increased by substrates increased concentration variations.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.43 no.10 s.352
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• pp.61-67
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• 2006

We developed a constant current source which is insensitive to threshold voltage variation caused by irregular grain boundary distribution in polycrystalline silicon. The proposed current source has superior saturation characteristics over wide range of input voltages as well as small current error compared to the previously reported Vth compensated sources. We measured the circuit performance and error in current due to parameter variation by using HSPICE.

• Proceedings of the KIPE Conference
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• 2012.07a
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• pp.124-125
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• 2012

본 논문은 변압기나 리액터의 코어에서 국부적 자속포화 현상을 이용하여 코어에 공극(Air Gap)을 추가하는 효과와 동일한 효과를 거두는 것은 물론 자속포화를 일으키는 전류를 제어함으로써 주코일의 자속이 자속 포화 곡선상에서 선형영역과 비선형영역을 모두 포괄하여 제어할 수 있도록 함을 목적으로 한다. 제안하는 기술적 사상의 효과 및 타당성은 간단한 실험을 통해 증명하였다.