Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD (대한전자공학회논문지SD)

The Institute of Electronics and Information Engineers (대한전자공학회)
권호 표지

The Modeling of the Transistor Saturation Current of the BJT for Integrated Circuits Considering the Base

베이스 영역의 불순물 분포를 고려한 집적회로용 BJT의 역포화전류 모델링

  • 이은구 (인하대학교 전자공학과) ;
  • 김태한 (인하대학교 전자공학과) ;
  • 김철성 (인하대학교 전자공학과)
  • Published : 2003.04.01
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Abstract

The model of the transistor saturation current of the BJT for integrated circuits based upon the semiconductor physics is proposed. The method for calculating the doping profile in the base region using process conditions is presented and the method for calculating the base Gummel number of lateral PNP BJT and vertical NPN BJT is proposed. The transistor saturation currents of NPN BJT using 20V and 30V process conditions obtained from the proposed method show an average relative error of 6.7% compared with the measured data and the transistor saturation currents of PNP BJT show an average relative error of 6.0% compared with the measured data.

반도체 소자이론에 근거한 집적회로용 BJT의 역포화 전류 모델을 제시한다. 공정 조건으로부터 베이스 영역의 불순물 분포를 구하는 방법과 원형 에미터 구조를 갖는 Lateral PNP BJT와 Vertical NPN BJT의 베이스 Gummel Number를 정교하게 계산하는 방법을 제시한다. 제안된 방법의 타당성을 검증하기 위해 20V와 30V 공정을 기반으로 제작한 NPN BJT와 PNP BJT의 역포화 전류를 실측치와 비교한 결과, NPN BJT는 6.7%의 평균상대오차를 보이고 있으며 PNP BJT는 6.0%의 평균 상태오차를 보인다.

Keywords

References

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