PECVD에 의해 Burried gate 비정질 실리콘 박막트랜지스터를 제작하여 포화 전압 대 전류 특성에 대하여 새로운 해석을 하였고 해석 결과는 실험적으로 증명되었다. 본 연구의 결과 실험된 전달특성과 출력특성을 모델화 하였는데 이 모델식은 I$_{D}$와 V$_{G}$의 실험결과에서 얻어지는 3가지 함수를 기본으로 모델화 되었다. 포화 드레인 전류는 V$_{G}$가 증가할수록 증가되었고 디바이스의 포화는 드레인 전압이 커질수록 증가되었으며 문턱전압은 감소됨을 보였다.
본 논문에서는 발전기의 특성을 보다 정확히 해석하기 위해 발전기의 상세모델에 동일축 전류성분에 의한 포화특성과 교차자화에 의한 포화특성을 고려한 상태방정식을 발전기의 전류모델에 대하여 제시하였다. 발전기의 포화특성을 종래의 동일축성분 전류에 의한 포화특성 뿐만 아니라 교차자화 효과에 의한 포화특성까지도 고려할 수 있도록 각 경우의 자속쇄교수와 전류의 관계를 나타내는 인덕턴스 행렬의 표현식을 보였으며, 발전기를 해석하기 위한 기준 좌표계로 발전기의 d축이 q축보다 위상이 $90^{\circ}$앞서는 좌표계를 사용하여 관계식을 재정립함으로써 정태안정도 해석에 사용하던 기존의 발전기모델과 일치하도록 한였다. 사례연구를 통해서 보다 정확한 안정도 해석을 위해서는 교차자화 효과를 고려한 발전기 모델이 계통해석에 사용되어야 함을 입증하였다.
이 연구에서는 지하 이상체와 배경매질의 전기전도도 대비가 큰 경우 측정 겉보기비저항이 일정한 값에 수렴하는 전류포화현상에 대하여 이론적 고찰을 수행하였다. 이를 위하여 몇 가지 간단한 지하구조 모형에 대한 이론해를 통하여 표면전하의 거동을 살펴보았으며, 이들 표면전하가 전류포화를 일으키는 원인 및 겉보기비저항에 미치는 영향을 고찰 하였다. 결과적으로 전기비저항 탐사에서 측정하는 겉보기비저항 이상의 크기는 포화현상에 따라 일정값에 수렴하게 됨을 확인하였으며, 실제 겉보기비저항 이상의 크기는 이상체가 완전도체 혹은 부도체일 경우보다 작다는 것을 입증하였다. 또한 대개 전기전도도 대비가 100배 이상이 될 경우, 전류포화현상이 발생하는 것으로 해석된다.
다양한 LDD(lightly doped drain)에 따른 n-channel poly-Si TFT (thin film transistor)에 대하여 보고한다. 유리 기판 위에 ELA를 이용하여 만들어진 Polycrystalline silicon (poly-Si)은 TFT-LCD의 응용을 위한 재료로써 우수한 특성을 갖는다. 제작된 n-channel TFT는 절연층으로 $SiN_x$, $SiO_2$의 이중 구조를 갖는다. 다양한 LDD에 따른 n-channel poly-Si TFT의 문턱전압($V_{TH}$), ON/OFF 전류비 ($I_{ON}/I_{OFF}$), 포화전류($I_{DSAT}$)는 TFT의 보다 좋은 성능을 위해 연구된다. 짧은 LLD 길이를 가진 n-channel poly-Si TFT의 문턱전압은 작고, 포화전류의 값은 크다. 또한 긴 LLD 길이를 가진 n-channel poly-Si TFT는 작은 kink effect를 가진다.
전력계통에서 전류를 측정하는 변류기는 주요 전력 설비와 연계되어 보호 및 감시에 있어 중요한 역할을 수행한다. 그러나 기존방식의 전류 변성기는 자기포화에 의한 파형 왜곡과 써지나 잡음 등의 전기적 장치가 갖는 구조적 문제점을 가지고 있다. 이러한 문제점을 개선하기 위한 방법으로 전류에 의해 형성된 자계에 의해 광신호의 편광(polarization) 회전을 발생시키는 Faraday 효과를 가지는 광센서를 이용하여 보호계전 분야에 적용 가능한 전류계측기술을 개발하였다. 본 논문에서는 기존 전류변성기의 계통 보호에서 발생하는 문제점을 PSCAD/EMTDC 시스템을 이용하여 시뮬레이션 하였으며, 아울러 동일 조건에서 광 CT의 동작 특성을 산출하여 기존 전류변성기와 비교 분석하였다. 분석 결과들로부터 광 CT는 기존 전류변성기가 자기포화되는 상황에서도 정확한 1차 전류의 측정이 가능함을 보였다.
플라즈마 진단법 중 내부에 삽입하여 측정하는 단일 랭뮤어 탐침법은 플라즈마 특성을 정확하게 측정할 수 있다. 탐침에 (-)극을 걸어서 들어오는 전류를 통해서 이온포화 전류밀도를 측정할 수 있다. 본 연구에서는 유도결합플라즈마에 흐르는 가스와 압력에 따라서 변화를 확인하였다. $H_2$, Ar, $CF_4$ gas로 10 mTorr, 70 mTorr, $CF_4$ 주입위치의 조건으로 플라즈마 밀도를 구하였다.
단일 종모드로 동작하며, 10mW의 출력을 가지는 AlGaAs 반도체 레이저를 이용하여 Fabry-Perot 공진기형 레이저 증폭기 시스템을 구성하고 비포화 신호이득(unsaturated signal gain), 신호이득 대역폭(signal gain bandwidth), 포화출력(saturation power)을 측정하였다. 증폭기 레이저의 펌핑전류에 따른 비포화 신호 이득은 발진 문턱 전류 근처에서 $0.7\mu\textrmW$의 레이저 출력을 증폭기 레이저에 입사시켰을 때 최대 25dB을 얻었으며 이때 신호이득의 대역폭이 3 GHz 정도임을 확인하였다. 또한 입력 세기(input power)에 따른 비포화 신호이득의 변화를 측정하고 이때의 포화출력을 측정하였다.
본 논문에서는 저전력 스위치에 사용되는 소자의 포화전압 특성을 개선하기 위해 새로운 구조의 BJT를 제안하고 있다 기존에 사용되던 finger transistor(FT)의 경우 포화전압이 높아 저전력 소자의 특성을 만족하지 않아 multi base island transistor(MBIT)로 구조를 변경함으로써 저전류 영역에서의 포화전압은 충분히 낮아 저전력용 소자의 특성을 만족하지만, 이 역시 고전류 영역에서는 여전히 포화전압이 높아져 저전력용 소자의 특성을 만족하지 못하는 문제가 발생한다. 이에 본 논문에서는 folded back electrode를 이용한 새로운 구조의 BJT(FBET)를 제안하여 그 특성을 조사하였다. 새로운 구조의 트랜지스터를 적용함으로써 MBIT 구조에 비해 에미터 면적은 35 % 증가하고 접촉창의 면적이 92 % 증가하여, 저 전류 영역에서의 포화 전압은 30 % 감소하였고 고 전류 영역에서의 포화 전압은 에미터 면적 증가와 에미터 접촉 창 면적 증가에 의해 각각 30 %와 7 %씩 감소하여 전체적으로는 37 %가 감소하는 특성을 나타내었다.
한국초전도학회 1999년도 High Temperature Superconductivity Vol.IX
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pp.401-404
/
1999
본 논문은 고온초전도한류기가 투입된 회로에 사고가 발생했을 경우 사고각에 따른 사고전류의 패턴에 관한 연구이다. 계통에 심각한 영향을 끼치는 이러한 사고전류의 순간 특성을 해석하기 위해 유도형 고온초전도한류기를 직접 제작하였으며 임의로 다른 각도에서 사고를 발생시켜 실험하였다. 임의의 사고각을 위해 triac으로 구성되어있는 위상각제어 및 사고 발생기를 부하와 직렬로 연결하였다. 또한, 순간적으로 큰 사고전류의 유입은 철심을 포화시키기에 충분하며 철심의 포화로 인해 상대투자율이 작아짐으로서 고온초전도한류기의 임피던스가 작게 발생하게 된다. 본 논문에서는 이러한 영향으로 인한 사고전류의 패턴에 관하여 연구하였다.
본 논문은 과전류 경고회로의 신호를 나타내는 변류기를 설계하기 위해 관통형 변류기의 특성을 분석하고 손실을 고려한 최적 설계를 수행하였다. 관통형 변류기 코어의 크기는 2차측의 코일 턴수에 따라 결정된다. 우리는 코어에 코일을 감는 턴수에 따라 다르게 나타나는 전류 파형을 분석하였으며, 변류기 코어의 자속포화에 의한 비정현적인 파형을 개선하고자 2차측 코일 턴수와 부하저항과의 관계를 확인하였다. 또 코어의 외경은 유지하면서 내경 및 적층을 변화시켜 정밀도 개선 및 최적설계를 하였고, 이를 통하여 과전류 경고회로의 동작에 필요한 전류 값을 도출하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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