In this study, nanostructured Fe-Ce powder with grain size of 10nm was produced by MA (mechanical alloying) process and was consolidated by PECS (pulse electric current sintering) process for the fabrication of bulk nanostructured Fe-Co softmagnetic alloy. PECS process was performed at 700, 800, 900 and $^1000{\circ}C$ with holding time ranging from 0 to 15min. The effectiveness of PECS Process to Produce nanostructured bulk specimens was estimated. The optimal PECS process condition for nanostructured Fe-Co powders was found through observing the change of relative density and microstructure with sintering temperature and holding time. The magnetic properties of the sintered specimens were evaluated through the measurement of coercivity and saturation magnetization.
BaM thin films were prepared by using RF magnetron sputtering system at room temperature, and then successively annealed to crystallize at 850$\^{C}$ using RTA. The structure and magnetic properties of post-annealed BaM films have been investigated using XRD and VSM, respectively. The dependences of partial oxygen gas pressure (Po2) on the characteristics of BaM films were investigated. Although mixing of spinel and BaM phase only was identified in 0.5 mTorr oxygen partial pressure, BaM phase only was identified in the range from 1 to 3 mTorr oxygen partial pressure. The saturation magnetization and perpendicular coercivity of BaM thin films decreases with increase of Po2 in the range of Pot between 0.5 and 3 mTorr.
Barium ferrite thin films were reactively deposited with Fe and BaO composite targets by a facing tergects sputtering unit. When thermally oxidized silicon wafers were used as substrates, minimum substrate heating of $750^{\circ}C$ was necessary for the perfect c-axis alignment in barium ferrite films. To lower the critical substrate temperature for the good c-axis alignment, such seed layers as ZnO, ${\alpha}-Fe_{2}O_{3}$ and ${\gamma}-Fe_{2}O_{3}$ were tested. The excellent c-axis algnment of BaM was obtained at a substrate temperature of $600^{\circ}C$ on ZnO seed layer whose (002) plane was parallel to the substrate surface. The magnetic properties of the BaM film showed saturation magnetization of 295 emu/cc, perpendicular coercivity of 1.7 kOe and squareness of 0.75. Optimum deposition rate of $230\;{\AA}/min$ was obtained with the composite target and this was 5 to 20 times higher than those of other investigators with oxide targets.
We have investigated the effects of deposition angle on magnetic and magneto-optic properties in Co/Pt multilayer thin films. which were prepared bye-beam evaporation on tilted substrates. with varying tilt angle from $0^{\circ}$ to $60^{\circ}$. The structure of the specimens was examined by x-ray diffractometer and scanning electron microscope. and the magnetic and magneto-optical properties were measured by VSM, torque magnetometer, and Kerr loop tracer. X-ray diffractometry revealed that all of the specimens had multilayer structure and growth orientation of column followed the tangent rule but the crystallograpic orientation, <111>, was slightly deviated from the substrate normal even though the deposition angle was increased up to $60^{\circ}$. A decrement of the magnetization and Kerr angle with the deposition angle was related with that of the film density due to increasing porosity. The perpendicular mag¬netic anisotropy was also decreased with increasing the deposition angle.
We have investigated the effects of sputtering Ar gas pressure on magnetic and magneto-optical properties in compositionally modulated Co/Pd superlattice thin films. The samples were prepared by dc magnetron sputtering from 2-in.-diam Co and Pd targets by alternately exposing the substrates to targets. Sputtering Ar gas pressure was varied from 2 to 30 mTorr. All samples had same bilayer thicknesses composed of 2-$\AA$-thick Co and 9-$\AA$-thick Pd sublayers. It was observed that the colum-nar structure was more distinctively developed with increasing Ar gas pressure. We observed that the intrinsic uniaxial anisotropy energy, magnetization and polar Kerr rotation were decreased with increasing Ar gas pressures. Large coercivity and perfect squareness were attained by the deposition at the high Ar gas pressure. We believe that the results are mainly ascribed the variation of micro-structure with sputtering Ar gas pressure.
The effects of SrTiO$_3$ addition and sintering temperature on the microstructure and magnetic properties of yttrium iron garnet (YIG) were investigated. The lattice Parameter increasing of sintered YlG with small amount of SrTiO$_3$ addition was supposed to be substituted $Y^{+3}$, Fe$^{+3}$ ions to Sr$^{+2}$,Ti$^{+4}$ ions which are relatively large in ionic ranius. A YIG specimen sintered at 142$0^{\circ}C$ with 0.2mol% SrTiO$_3$ showed above 98% densification of theoretical density. Saturation magnetization (M$_s$) at room temperature decreased a little bit with increasing SrTiO$_3$, addition but no great chance. In addition, the coercivity (H$_c$) was almost not changed by sintering temperature.
Kim, Tae-Hyun;Lee, Seoung-Won;Sohn, Jeong-Soo;Kang, Jin-Gu;Shin, Shun-Myung
Resources Recycling
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v.17
no.1
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pp.66-72
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2008
Fundamental studies for the synthesis of Mn-Zn ferrite powder were investigated using a series of leaching and coprecipitation processes from spent alkaline manganese batteries. Zinc and Manganese dissolution rates obtained at the reaction conditions of 100g/L pulp density, 3.0M $H_2SO_4$, $60^{\circ}C$ and 200 rpm with 30 ml $H_2O_2$ as a reducing agent were more than 97.9% and 93.9% and coprecipitation of Mn-Zn ferrite powder was performed according to various reaction conditions such as temperature, time and amount of $O_2$ gas injection using the leaching solution. As a result of coprecipitation, Mn-Zn ferrite could be synthesized directly at low temperature in the reaction condition pH 12, $80^{\circ}C$, $O_2$ 1.3 L/min. and 400 rpm. The synthesized Mn-Zn ferrite powder was spherical powder of $0.143{\mu}m$ particle size and had a saturation magnetization about 80 emu/g.
The magnetic thin films can be prepared without vacuum process and under the low temperature ( < $100^{\circ}C$) by ferrite plating. We have performed ferrite plating of $Fe_{3-x}Mn_{x}O_4(x=0.0~0.023)$ films on glass plate at $80^{\circ}C$. We got the film $9000\AA$ in thickness, having a mirror-like luster. The composition parameter, x, in the $Fe_{3-x}Mn_{x}O_4$ films is much smaller then the corresponding on, x', in the reaction solution(x/x'=O.04). The saturation magnetization($M_{s}$) of $Fe_{3}O_{4}$ ferrite film as measured by a VSM was $M_{s}$=480 emu/cc which agrees with $Fe_{3}O_{4}$ bulk samples.
The temperature-dependent magnetization curves of amorphous Fe-Co-(Nd, Sm, Gd, Tb)-B alloys were measured using a vibrating sample magnetometer from 77 K up to 900 K. The spin wave stiffness constants and the range of the exchange interaction were calculated from the saturation magnetization values at 0 K. Curie temperatures and the Bloch coefficients estimated from the saturation magnetization curves. The low temperature dependence of magnetization is in good agreement with Bloch relation, $M_{s}(T)=M_{s}(O)(1-BT^{3/2}-CT^{5/2})$. The spin wave stiffness constant and the range of exchange interaction are decreased by substitution of heavy rare earth (Tb, Gd).
Kim, Choong-Sik;Jeong, Jong-Han;Bae, Seok;Ruy, Sung-Ryong;Kim, Hyung-June
Proceedings of the KIEE Conference
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2000.07c
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pp.1679-1681
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2000
휴대 전화 및 캠코더 등의 휴대기기의 보급이 급격히 확산됨에 따라 기기의 소형화와 경량화가 제품 개발의 가장 큰 과제로 떠오르게 되었다. 특히 전자기기들은 기능이 다양해질수록 필요로 하는 부품이 늘어나게 되고, 그 결과로 불가피하게 일차로 공급되는 단일 저압의 전원으로는 구동시킬 수 없는 부분이 생기게 된다. 따라서 그들 개별 소자 또는 부품들이 구동되기 위해서는 그에 필요한 전력이 공급되어야 한다. 이러한 역할을 담당하는 것이 SMPS이며 본 연구에서는 SMPS의 전원 안정화를 담당하는 인덕터의 평면화를 구현하고자 고주파 대역에서 우수한 자기적 특성 및 높은 포화 자화 값으로 소자의 load current를 증가시킬 수 있는 PeTaN 자성 박막과 전기 저항을 낮추기 위한 MEMS 기술을 응용한 높은 aspect을 지닌 Cu 코일부, 전기적 절연을 담당하는 절연막을 사용한 평면형 인덕터를 제조하였으며, 인덕터의 특성인 인덕턴스는 약 5MHz까지 1.5${\mu}H$를 나타내며 낮은 전기 저항($2\Omega$)을 보여주었다. 특히 최근 사용되어지는 전자 부품들의 저전력, 저전압, 높은 구동전류의 실현을 위해서는 높은 load current를 지녀야 한다. 측정된 인덕터의 load current에 따른 효율은 약 200mA까지 78%의 효율을 보여 주었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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