Abstract
Barium ferrite thin films were reactively deposited with Fe and BaO composite targets by a facing tergects sputtering unit. When thermally oxidized silicon wafers were used as substrates, minimum substrate heating of $750^{\circ}C$ was necessary for the perfect c-axis alignment in barium ferrite films. To lower the critical substrate temperature for the good c-axis alignment, such seed layers as ZnO, ${\alpha}-Fe_{2}O_{3}$ and ${\gamma}-Fe_{2}O_{3}$ were tested. The excellent c-axis algnment of BaM was obtained at a substrate temperature of $600^{\circ}C$ on ZnO seed layer whose (002) plane was parallel to the substrate surface. The magnetic properties of the BaM film showed saturation magnetization of 295 emu/cc, perpendicular coercivity of 1.7 kOe and squareness of 0.75. Optimum deposition rate of $230\;{\AA}/min$ was obtained with the composite target and this was 5 to 20 times higher than those of other investigators with oxide targets.
대향타겟형 스파터기에서 철과 BaO 복합타켓트를 사용한 반응성 스파터링 방법으로 고밀도 수직자기기록용 바륨훼라이트박막을 제조하였다. 표면 열 산화된 규소 웨이퍼를 기판으로 사용한 경우 바륨훼라이트박막의 c축이 기판에 완전히 수직으로 배열하기 위해서는 $750^{\circ}C$의 기판가열이 필요 하였다. 기판가열온도를 낮추기 위하여 ZnO, ${\alpha}-Fe_{2}O_{3}$와 ${\gamma}-Fe_{2}O_{3}$ 씨앗층을 사용한 결과 바륨훼라이트와 같은 육방결정구조이면서 (002)면이 기판에 평행하게 배향된 ZnO 씨앗층을 사용하였을 때 $600^{\circ}C$에서 c축배향이 우수한 바륨훼라이트박막을 성막시킬 수 있었다. 바륨훼라이트의 포화자화값은 295 emu/cc 수직보자력은 1.7kOe 각형비는 0.75 이었다. 복합타켓트를 사용하여 $230\;{\AA}/min$의 피착속도로 바륨훼라이트박막을 피착시킬 수 있었는데 이것은 지금까지 발표된 산화물 타켓트를 사용한 경우보다 5-20배 빠른 것이다.