본 논문에서는 Ka-밴드 위성통신 송신주파수대역(30.085∼30.885 GHz)의 대역통과 필터를 유도성 fin-line 구조를 이용하여 분석, 설계 및 제작하였다. 도파관내의 공진기들이 전계면에 수직한 금속 fin으로 구성된 구조를 해석하는데 가장 적합한 모드정합법을 사용하여 설계하였다. 제작된 필터는 마이크로파대역 뿐만 아니라 밀리미터파대역의 주파수에서도 우수한 필터특성을 갖는다는 특징을 가지고 있으며, 상업용 도파관을 사용하는 대신에 가격이 저렴하고 가공이 용이한 알루미늄을 사용함으로써 대량생산이 가능하다. 또한 도파관내 금속삽입형태에 의한 대역 통과 필터의 구현이 아닌 유한한 두께를 갖는 포토-에칭된 유전체 기판을 삽입함으로써 제작성의 어려움을 해결하였다. 설계, 제작된 필터의 측정결과 통과대역내에서 1.6dBal만의 삽입손실과 18dB이상의 반사손실을 갖는 응답특성을 얻었으며 이론에 의한 계산치와 측정치와의 비교를 통해 본 논문에서 제안된 설계방법의 타당성을 입증하였다.
본 논문에서는 EM 시뮬레이터를 이용하여 LTE2300 대역의 마이크로스트립 라인 대역여파기를 설계하고 시편을 제작하였다. 중심주파수 2300MHz, 대역폭 350MHz, 삽입손실 1.5dB, 감쇄는 1930MHz와 2690MHz에서 15dB 이상, 1000MHz에서 60dB 이상으로 설계하였다. 또한 반사손실은 15dB로 설계하였다. 구현은 유전율 9.8인 알루미나 유전체에서 하였으며, 전송선로와 접지는 silver paste를 사용하였다. EM 시뮬레이션을 통해 얻은 결과값과 이를 통해 실제 제작된 시편의 보정값을 얻어 data base화 하였으며, 좋은 재현성을 얻을 수 있음을 확인하였다. 특히 일반적으로 마이크로스트립 라인 필터의 제작에 적용되는 에칭 또는 포토리소그라피 대신 레이저를 이용하여 패턴을 구현하였으며, 이 또한 우수한 특성과 재현성을 보여주었다.
A photoetching process is widely used for small and high precision parts in machinery, electronic and semi-conductor industries. One of the high precision parts, grid is very important part of digitron which use electron display, and it is fabricated by only photoetching process because of high precision. In this study, to develop high precision digitron grid, characteristics of etching solution were investigated with electrochemical test, that was potentiodynamic test and immersion test in the ferric chloride solution and added some additives. Based on the electrochemical etching test, grid was fabricated by continuous photoetching process at various etching condition. From the result of measured line width and etching depth under-cut and etching factor were calculated. For the fabrication of 25$\mu\textrm{m}$ line width, optimal etching condition was etching temperature 40~$45^{\circ}C$, spray pressure 1.5kg/$\textrm{cm}^2$ and etching time 3~4min.
본 연구에서는 반도체용 Si wafer에 마스크 공정 및 slit etching 공정을 적용하여 목표인 30um 이하의 Probe unit을 개발하기 위해 Deep Si Etching(DRIE) 장비를 이용하여 식각 공정에 따른 특성을 평가하였다. 마스크는 Probe block 조립에 적합한 패턴으로 설계 하였으며, slit의 에칭된 지점에 pin이 삽입될 수 있도록 그 폭을 최소한으로 설계하였다. 30um pitch와 20um pitch의 마스크를 각각 설계하여 포토공정에 의해 마스크패턴을 제작하였으며, 식각공정 결과 식각율 5um/min, profile angle $89^{\circ}{\pm}1^{\circ}$로 400um wafer의 양면관통 식각을 확인하였으며, 표면 및 단면 식각특성을 조사하였다.
최근 IT산업으로 대표되는 광통신 및 광신호 전달에 이용되는 광 반사경 및 렌즈어레이, 광가이드 판넬(BLU, FLU)등 광부품의 수요가 급증하고 있고, 이의 생산을 위한 다양한 제조공정이 연구 개발되고 있다 근년까지 이러한 마이크로 광부품의 제조방법은 포토리소그래피, 에칭기술을 베이스로 한 MEMS 기술, PDMS를 이용한 복재기술에 크게 의존하고 있다. 기계적 가공법으로는 오래전부터 초정밀 경면 선삭이나 연삭에 의한 마이크로 렌즈와 미세 패턴의 금형가공이 이루어져 왔다.(중략)
고온 초전도 YBCO 박막을 Nd:YAG 레이저를 이용하여 MgO 기판에 증착시켰다. 박막을 마이크로스트립형 통신소자로 제작하기 위해 포토리스그래피 방법으로 습식 에칭을 시켰다. 제작된 박막에 접지면을 입히기 위해 스퍼터링 방식으로 Ti 충을 30 nm 증착하고, 열 증발기로 Ag를 $2{\mu}m$ 정도로 증착을 시켰다. 소자의 주파수 응답을 측정하기 위해 캐비티를 제작하여 측정하였다. 제작된 필터의 중심 주파수는 14 GHz이다. 박막을 냉각시켜며 그 중심 주파수를 측정하여 임계 온도를 측정할 수 있었다. 필터는 두 가지 디자인을 이용하였으며, 임계 온도에서의 중심주파수가 일정하게 이동함을 관찰할 수 있었다.
It is very important to obtain the knowledge of loads and flow patterns in most processes because these information are the fundamental data of die design and process design. The objective of present study is to investigate loads and metal flow patterns for various process conditions in flat die extrusion of square-bars from circular billets. For analyzing the metal flow patterns of the billets photo etching is used on sections of split specimen. From this method metal flow patterns are analyzed for various area reductions friction factors and punch stroke through the process from initial-stage to final-stage. Experiments are carried out with hard solder billets at room temperature.
고순도의 알루미늄 호일은 전기화학적 에칭을 통해 표면적을 증가시킨 후 전해 커패시터의 양극으로 사용된다. 그러나 산화 피막의 결함 및 에치 피트의 불규칙 생성에 의해 성장된 에치 피트의 분포는 불균일하며 이러한 불균일 형태는 알루미늄 넓은 표면적 분포에도 불구하고 여러 형태의 적용을 어렵게 만든다. 본 연구에서는 알루미늄의 선택적 에칭을 위해 포토리소그래피 방법으로 제작된 패턴 마스크를 사용하여 알루미늄 표면에 균일성을 갖는 보호층을 형성시켰다. 균일한 패턴을 갖는 알루미늄을 용액의 온도 및 전류밀도 등의 조건을 변경하여 실험하였고, 알루미늄 표면에 다양한 크기($2{\sim}5{\mu}m$)의 균일성을 갖는 에치 피트의 형성을 확인할 수 있었다.
2세대 고온초전도 선재는 전기적, 기계적 특성이 1세대 고온초전도 선재보다 더 우수하지만, 1세대 고온초전도 선재보다 더 높은 교류손실 밀도를 발생시킨다는 단점이 있다. 본 논문에서는 2세대 초전도 선재인 박막형 YBCO CC(Coated Conductor)에서 발생하는 교류 손실을 감소하기 위한 방법으로 선재의 초전도층을 분할하여 단면의 종횡비를 줄이는 방법을 제안하였으며, 실제로 제작 및 특성 측정을 통해 제안된 방법의 타당성을 보였다. 박막형 선재의 초전도층을 분할하기 위해 포토마스킹을 이용한 에칭 방법을 이용하였다. 샘플의 제작을 위해 안정화층이 없는 폭 12mm 의 YBCO CC를 사용하여 샘플의 길이는 15cm로 하고 선재의 분할수를 다르게 하여 각 샘플에 대한 자화 손실과 각 소선의 임계전류를 측정한 후 선재의 전기적 특성 변화를 알아보았다.
본 논문에서는 금형의 형상과 단면 감소율등이 이에 미치는 영향을 조사하였 다. 이론과의 비교를 위해서 풀림처리된 특수강 소재인 SCM4로 실험을 행하였다. 압출하중은 로드셀(loadcell)로 측정하였으며 수치계산에서 구해진 속도장과 실제속도 장의 차이를 살펴보기 위해서 시편단면에 포토에칭(photoetching)한 압출시킬 시편의 그리드변형을 강소성유한요소법으로 계산한 그리드패턴과 비교 검토하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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