• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.41 no.8
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• pp.1-8
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• 2004

Experimental results are presented for gate oxide degradation, such as SILC and soft breakdown, and its effect on device parameters under negative and positive bias stress conditions using n-MOSFET's with 3 nm gate oxide. The degradation mechanisms are highly dependent on stress conditions. For negative gate voltage, both interface and oxide bulk traps are found to dominate the reliability of gate oxide. However, for positive gate voltage, the degradation becomes dominated mainly by interface trap. It was also found the trap generation in the gate oxide film is related to the breakage of Si-H bonds through the deuterium anneal and additional hydrogen anneal experiments. Statistical parameter variations as well as the “OFF” leakage current depend on both electron- and hole-trapping. Our results therefore show that Si or O bond breakage by tunneling electron and hole can be another origin of the investigated gate oxide degradation. This plausible physical explanation is based on both Anode-Hole Injection and Hydrogen-Released model.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.21 no.5
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• pp.67-78
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• 1984

EAROM device is an n-channel MOS transistor with a control gate stack ed on the floating gate. On account of channel injection type, channel lengths are designed 4-8 $\mu$m and chinnel widths 5-14 $\mu$m. These devices which have fourstructures of different type control gate are designed by NMOS 5 $\mu$m design rule and fabricated by double polysilicon gate NMOS Process. Double ion implantation is applied to increase punchthrough voltage and gate-controlled channel breakdown voltage. The drain and gate voltage for programming was 13-17V and 20-25V, respectively. EPROM cell fabricated could be erased not by optical method but by electrical method. The result of charge retention test showed decrease in stored charges by 4% after 200 hours at 1$25^{\circ}C$.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1999.07a
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• pp.131-131
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• 1999

비정질 카본 박막은 다이아몬드와 유사한 높은 경도, 내마모성, 윤활성, 전기절연성, 화학적 안정성, 그리고 광학적 특성을 가진 재료로서 플라즈마 CVD를 이용한 합성방법으로 제조된 박막이 주로 연구되고 있다. 본 연구에서는 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 다양한 조건의 카본 박막을 제조하였다. 카본 박막의 제조는 이온빔이 장착된 고진공 증착 장치를 이용하였고 시편의 청정시 사용된 이온빔의 조건은 빔 전압이 500V, 빔 전류는 0.1mA/cm2로 기판 청정을 거친 후 DC 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 흑연을 증발시켜 박막을 제조하였다. 기판과 타겟의 거리는 13cm로 고정시킨 후 타겟 전류는 1A로 유지하면서 30분간 증착하였다. 기판은 Si-wafer와 glass를 주로 사용하였으며 기판 인가전압, 아세틸렌 유량, 기판 온도등을 변화시켜가면서 각각 카본 박막을 제조하였다. 비정질 카본박막의 막은 평균 두께는 0.4~1.2$\mu\textrm{m}$이며 SEM을 이용하여 단면의 성장구조를 관찰하였다. 라만 분광분석과 FTIR 분광분석을 통하여 비정질 카본 박막의 결합특성을 조사하였고 scratch tester를 이용하여 박막의 밀찰력을 관찰하였다. 제조된 박막의 두께는 아세틸렌 가스 이용시 1$\mu\textrm{m}$ 이상의 박막의 제조가 가능하였으며 카본 박막의 라만 분광특성은 고체 탄소 물질의 S와 G-peak으로 구성되어 있으며 기판 인가전압, 아세틸렌 가스 유량 변화에 따른 peak의 위치 이동 및 FWHM의 변화를 관찰하였다. RFIR 결과는 아세틸렌 가스의 유량이 증가에 따라 C-H 결합 분포가 증가며 기판 인가 전압이 증가할수록 C-H 결합분포가 감소하는 경향이 나타냈다. 이는 이온 충돌 효과에 따라 결합력이 약한 C-H 결합이 우선적으로 파괴되는 현상으로 생각되어 진다. Scartch tester 측정 결과 박막의 밀착력은 실험조건에 따른 경샹성은 보이고 있지 않으나 10N 정도이며 60N 이상의 강한 밀착력을 가진 박막도 제조되었다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2017.10a
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• pp.61-62
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• 2017

In this study, we introduce some main functions and specifications of a recently commercialized potable compact high voltage generator. USB killer has been designed to test surge protection circuitry of electronic equipments using USB ports. USB killer transforms 5V DC power supplied by USB port into a sufficiently high voltage over 200V DC through oscillator, transformer, voltage multiplier, and rectifier. The power charged in a high-capacity condenser can be applied back into the electronic equipments as an electric shock to destroy them or test protection circuits. USB killer is a readily available item, and one can test a variety of electronic equipments. We introduce some test results known over the internet and those obtained from our tests.

• Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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• v.21 no.8
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• pp.64-70
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• 2007

The electrical accident results from an insulation blackdown by over-voltage, an overheating by the excess of allowable current, a deterioration performance by the passage of time, and so on. This paper discusses how to improve the power control system of PCB in water purifier. The protecting device of present power supply control system in water purifier is composed of the varistor device which acts only for impulse-type surges. So the present system can not be protected others except the surge of impulse-type. The newly-suggested power control system in this paper is designed to protect the system by disconnecting power supply through SSR(Solid State Relay) if the value of input voltage is exceeded the setting value.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.8 no.7
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• pp.1429-1435
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• 2004

In this work, high performance broadband amplifier MMIC including all the matching and biasing components, and electrostatic discharge (ESD) protection circuit was developed for K/Ka band applications. Therefore, external biasing or matching components were not required for the operation of the MMIC. STO (SrTiO3) capacitors were employed to integrate the DC biasing components on the MMIC, and miniaturized LC parallel ESD protection circuit was integrated on MMIC, which increased ESD breakdown voltage from 10 to 300 V. A pre-matching technique and RC parallel circuit were used for the broadband design of the amplifier MMIC. The amplifier MMIC exhibited good RF performances and good stability in a wide frequency range. The chip size of the MMICs was $1.7{\pm}0.8$ mm2.

• The Transactions of the Korean Institute of Power Electronics
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• v.11 no.4
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• pp.340-348
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• 2006

This paper proposes an inrush current control technique of matching transformer for configuration of dynamic voltage restorer(DVR). The DVR system consist of PWM inverter to inject arbitrary voltage, LC low pass filter as harmonic eliminator and matching transformer for isolation. However, the matching transformer has an excess of inrush current by magnetic flux saturation in the core. Due to this inrush current, the rating of matching transformers is double for needed nominal rating for protection of DVR. Therefore, in this paper, the modeling method of magnetic flux saturation is used to analyze a magnitude of inrush current, and additional current controller is used for PWM inverter output regulation. Simulation and experimental results are provided to demonstrate the validity of the proposed control method.

• 전자공학회논문지 IE
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• v.49 no.1
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• pp.18-23
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• 2012

In this paper, a potable device application for DC-DC converter was designed for voltage protection circuit. Voltage protection circuit to offer the under voltage lock out and over voltage protection consists of a comparator and bais circuits were implemented using. XFAB 1um CMOS process, SPICE simulations was confirmed through the characteristics. Simulation results, under voltage lock out input voltage is 4.8 V higher when the turn-on and, 4.2 V less when turn-off. When the input voltage is low voltage is applied can be used to prevent malfunction of the circuit. Over voltage protection is 3.8 V reference voltage when the output voltage caused by blocking circuit prevents device destruction can be used to improve the stability and reliability. The virtual control circuits of the DC-DC converter connected. According to the results of the abnormal voltage, voltage protection circuit behavior was confirmed. The proposed voltage protection circuit of the DC-DC converter cell is useful are considered.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2004.07c
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• pp.1685-1687
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• 2004

초고압 케이블의 절연물질로 널리 사용되고 있는 가교 폴리에틸렌의 전기적 특성은 라멜라 결정 조직의 밀도와 라멜라 조직의 성장방향과 밀접한 관련이 있는 것으로 알려지고 있다. 본 연구에서는 반도전 물질에 계면활성제를 첨가하고, 제조 온도를 제어하여 폴리에틸렌의 미세 조직을 변화시킴으로써, 라멜라 조직이 전기적 특성에 미치는 영향을 분석하였다. 전기적 특성은 절연파괴 전압을 측정하였고, TEM 분석을 통하여 폴리에틸렌의 모폴러지 분석을 하였으며, XRD 분석을 통하여 라멜라 조직의 밀도를 분석하였다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1998.10a
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• pp.659-662
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• 1998

전자부품이나 설계된 회로시스템에 납땜을 하기 위해 인두를 사용하는데 누설전류, 서지전압, 정전기, 적절하지 못한 온도 등 여러 가지 악조건으로 인해 부품의 파괴를 가져온다. 특히 C-MOS로 설계된 소자의 경우는 다른 전자부품 보다 더 민감하기 때문에 파괴될 경우가 다발적으로 발생된다. 따라서 절연저항이 높고, 사용자가 적절한 온도로 제어할 수 있는 인두조절기 설계가 활발히 진행되고 있다. 본 논문에서는, 인두 히터에 센서를 삽입하여 이 저항의 변화율에 따라 온도를 감지하고, 주파수 방해를 최소화할 수 있는 Zero Voltage Switch IC를 사용하여 히터의 온도를 제어하였다. 또한, 사용자가 온도 변화를 알 수 있도록 A/D 변환기를 사용하여 시그먼트로 표시하였다. 기존에 설계된 시스템은 온도를 감지하는 센서가 민감하며 센서에서 감지된 신호가 비교기를 통해서 직접 히터의 온도를 제어하였기 때문에 온도 변화율이 매우 심하고, 이두팁이 분리되어있지 않기 때문에 절연저항이 매우 낮았다. 본 논문에서는, 이러한 문제점을 해결하기 위해 센서의 민감성을 최소화하고, Zero Voltage Switch IC를 사용하여 히터의 온도를 정밀하게 제어하였으며, 절연저항을 높이기 위해 인두팁의 중간에 세라믹을 삽입하여 팁에 온도만 전달될 수 있도록 용접을 하여 기존의 문제점을 개선하였다.