Kim, Dae-Guk;Sin, Jeong-Uk;Lee, Yeong-Gyu;Lee, Ji-Yun;No, Seong-Jin;Park, Seong-Gwang;Nam, Sang-Hui
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.432-432
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2013
현대에 이르러 직접방식 엑스선 검출기에서는 기존의 a-Se을 주로 이용하였지만, 고전압 인가에 따른 회로 손상과 짧은 수명, 그리고 누설전류에 따른 안전의 문제 등으로 낮은 에너지 밴드갭과 높은 흡수효율, 비저항 등에 의거한 다양한 대체 물질에 대한 연구가 활발하게 이루어져가고 있다. 본 논문에서는 직접방식 엑스선 검출물질로 전기이동도와 흡수효율이 뛰어나고, 밴드갭이 낮아 태양전지분야 뿐만 아니라 최근 엑스선 검출물질로 각광받고 있는 CdTe를 선정하였다. 연구의 목적은 PVD (Physical Vapor Deposition)방식의 CdTe 검출 물질의 제작과정에서 CdTe가 기화되어 하부전극 기판에 증착될 시, 하부전극 기판 온도에 따른 CdTe의 박막형성과 전기적 측정을 실시하여 그에 따른 최적의 증착조건을 선정하는 것이다. 하부전극 기판으로는 Au/glass를 사용하였으며 증착 시, $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$, $400^{\circ}C$로 나누어 특성을 평가하였다. 시료는 파우더형태의 다결정CdTe를 120 g를 사용하여 증착완료 시, 약 $100{\mu}m$의 박막두께를 구현하였다. PVD증착의 조건으로는 Mo재질의 보트를 사용하였으며, 증착 시 진공도는 $5{\times}10^{-6}$ Torr, 보트온도는 약 $350^{\circ}C$ 소요시간은 5시간이었다. 증착이 완료된 CdTe의 표면구조와 전기적 특성평가를 위해 SEM촬영을 실시하였고, 전기적 특성 평가를 위해 CdTe표면에 Au를 PVD방식으로 증착하였다. 실험 결과 SEM촬영을 이용한 표면특성에서는 하부전극 기판의 온도가 높아질수록 표면 결정입자가 증가하는 것을 확인할 수 있었으며, 전기적 특성에서도 하부전극 기판의 온도가 증가할수록 RQA-5 조건의 70 kVp, 100 mA, 0.03 sec 엑스선에 대한 우수한 민감도와 암전류 값을 확인하였다. 이러한 결과는 증착과정에서 온도에 따른 다결정 CdTe의 표면결정 크기 증가는 동일한 면적에서 표면결정 수의 감소를 뜻한다. 이는 결정간의 경계에서 트랩 되어지는 전자가 감소하고, 전자의 이동도 또한 높은 효율을 나타냄을 확인할 수 있었다. 따라서 본 연구를 통하여 CdTe기반의 직접방식 엑스선 검출기 제작과정에서 증착 시 하부전극기판 온도가 증가할수록 결정의 크기가 증가하여 최적의 전기적 특성을 나타냄을 검증할 수 있었다.
Yoo, Hyunwoo;Yoon, Kyung Shub;Kang, Sukyung;Choi, Inji;Park, Byungseok;Kim, Il Han;Kim, Wonsoo
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.38A
no.10
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pp.874-884
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2013
This paper presents in details channel and noise characteristics over narrow bands below 500kHz based on the field tests over underground low voltage(LV) power lines in residential areas in Korean grid. We show that the channel characteristics of narrowband signals over underground LV power line are decent. We first describe methodology of channel characteristic measurements including channel frequency response, noise, and line impedance, and obtain channel characteristics over the underground LV lines in the residential areas. Also based on the measurement results, we adopt the IEEE P1901.2 standard on the FCC High band, and bring up narrow band power line communication network.
Kim, Hyun-Sik;Lee, Hae-Yon;Ji, Min-Kwon;Oh, Young-Woo;Byun, Woo-Bong
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.11a
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pp.230-230
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2007
전력선 통신(Power Line Communication)은 최근 전력선을 이용한 통신기술의 발달과 더불어 세계적으로 관심도가 높아지고 연구 개발 및 자본 투자가 활발히 진행되고 있으며, 안정적인 네트워크를 구성하기 위해서는 고주파 전력선 통신 신호를 차단하는 블로킹 필터가 반드시 적용되어야 한다. 전력선 통신용 블로킹 필터는 광대역의 주파수 특성과 높은 신호감쇄 특성 및 대전류 특성이 요구되며, 이러한 특성을 구현하기 위해서는 블로킹 필터의 핵심부품인 자심재료의 고투자율 및 대전류화가 이루어져야 한다. 따라서 본 연구에서는 우수한 전 자기적 특성이 균일하게 유지되고, 전력선에 흐르는 대전류에 의한 자심재료의 포화가 발생하지 않도륵 새로운 자심 재료를 설계하여, 전력선 통신을 적용한 홈 네트워크 구축의 핵심 부품인 광대역 블로킹 필터를 개발하고자 하였다. 2350과 0.3 T의 투자율과 포화자속 밀도를 갖는 EI 형상의 자심재료를 해석모델로 설정하고 다중 에어 갭의 위치에 따른 전류와 자속밀도 변화를 유한요소 해석법으로 분석한 결과 자심재료의 대전류 특성에 지배적인 영향을 미치는 에어 캡의 삽입 위치를 알 수 있었고, 새로운 해석 모델인 I 형상의 로드(ROD) 코어에 대해 수치해석을 수행하여, 100A의 통전 전류에서도 자기적으로 포화되지 않고 인덕턴스의 정밀 제어가 가능하고, 특성의 신뢰성과 대전류에 대한 안정성을 증가시킬 수 있는 인덕터를 설계하였다. 또한 수동소자를 이용한 LC 공진회로를 기본 구성으로 하고, 주파수 대역, 신호 감쇄율과 대전류 특성, 상용화를 고려하여 블로킹 필터 회로를 설계하였으며, 유한요소해석법을 적용한 전자장 모의해석을 통하여 최소의 크기를 갖는 I 형상의 자심재료에 $6{\Phi}$의 에나멜 동선을 6.5턴, 6턴 권선하여 2.5, $2.15\;{\mu}H$의 인덕턴스를 갖는 직렬 인덕터를 구현하였고 블로킹 필터를 구성하였다. 주파수에 따른 신호감쇄 특성을 5 Hz~1 MHz의 주파수 범위에서 측정한 결과 약 490 kHz~450 kHz의 주파수 대역에서 -70dB의 신호감쇄 특성을 나타냈다. 본 연구를 통해 개발된 100A급 광대역 블로킹 필터가 적용되어 상용화 될 수 있을 것으로 판단되며, 또한 모뎀 통신 주파수 대역에서 -70dB 이상의 높은 감쇄 특성을 갖기 때문에 신호차단 특성이 보다 우수할 것으로 사료된다.
전력선 통신(Power Lire Communication)은 홈오토메이션, 원격 검침(AMR) 분야에서 많이 사용되어진다. 전력선 통신은 많은 유용성에도 불구하고 전력선 채널에 대한 정확한 채널 모델링과 전력선 모뎀에 관해서는 많은 문제점을 나타내고 있다. 본 논문에서는 고속 전력선 통신을 위한 전송선로의 주파수에 대한 잡음과 임피던스 특성 및 전력선 채널에 OFDM 신호를 QPSK 변조기법으로 전송하였을 때의 시뮬레이션 결과와 설계된 FPGA 보드를 비교 분석 하였다. 채널 모델은 잡음과 감쇠 특성만을 고려하여 모델링 하였으며, 전력선 채널 상에서의 OFDM 기법을 적용한 모뎀의 성능을 분석하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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v.9
no.1
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pp.133-136
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2005
전력선 통신(Power Line Communication)은 홈오토메이션, 원격 검침(AMR) 분야에서 많이 사용되어진다. 전력선(Power line) 통신의 사용은 많은 유용성이 있음에도 불구하고 전력선 채널에 대한 정확한 채널 모델링과 전력선 통신용 모뎀에 관해서는 많은 문제성을 나타내고 있다. 본 논문에서는 고속 전력선 통신을 위한 전송선로의 주파수에 대한 잡음과 임피던스 특성 및 전력선 채널에 OFDM 신호를 QPSK 변조기법으로 전송하였을 때의 시뮬레이션 결과와 설계된 FPGA 보드를 비교분석 하였다. 채널 모델은 잡음과 감쇠 특성만을 고려하여 모델링 하였으며, 전력선 채널 상에서의 OFDM기법을 적용한 모뎀의 성능을 분석하였다.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.21
no.12
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pp.2241-2248
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2017
The coaxial line impedance transformer that performs impedance conversion using the coupling of two or more coaxial lines of the same length is often used for impedance matching in the low frequency region due to many advantages. This paper measures the phase and magnitude characteristics of each coaxial line in a 4:1 coaxial line impedance transformer using two 100mm coaxial lines. This experiment shows that it is more effective to make the length of the auxiliary coaxial line shorter than the main coaxial line by about 5 mm in order to realize a low loss impedance transformer. In addition, it measures the transmission characteristics by directly connecting a 4:1 impedance transformer and a 1:4 impedance transformer. This experiment shows that it is effective to connect a 1pF capacitor between the ground and the outer conductor input point of the main coaxial line in order to increase the operating frequency range.
The effect of aging on the optoelectronic properties of a single ZnO nanowire is investigated in this study. The photoluminescence (PL), photocurrent spectrum, current-voltage characteristics, and photoresponse were measured for the as-grown ZnO nanowire and for the same nanowire exposed to air for three months. For the aged nanowire, the broad PL band is weaker, the intensity of the photocurrent is strengthened, and the photoresponse is slower, compared with the as-grown nanowire. It Is suggested in this paper that the observed aging effect on the PL is due to the reduction in the number of oxygen vacancies within the nanowire and that the aging effect on the photocurrent and photoresponse originates from the formation of oxygen vacancies near the surface.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.66-66
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2010
$SnO_2$ 나노선은 n-type 반도체 특성을 띄며 트랜지스터, 가스 센서, pH 센서 등 여러 분야에 걸쳐 다양하게 사용되고 있다. $SnO_2$ 나노선은 그 자체만으로 시계방향의 전기적 히스테리시스를 보이며 이것은 나노선 표면에 흡착된 물이나 산소가 발생시키는 전자 갇힘 현상이 가장 큰 원인으로 작용한다. 특히 고분자를 게이트 절연막으로 사용할 경우 게이트 절연막의 전기적 히스테리시스가 소자 특성에 영향을 미치게 되며, 고분자 절연막의 히스테리시스는 $SnO_2$ 나노선의 히스테리시스와 반대인 반시계 방향의 특성을 보인다. 고분자 내에서 발생하는 히스테리시스는 고분자 사이에 흡착된 물 분자나 고분자의 높은 극성을 가지는 작용기 등이 원인으로 작용한다. 전기적 히스테리시스는 FET소자를 구동하는데 있어 부적절한 특성으로, 이것의 원인을 이해하는 것은 중요하며 히스테리시스의 방향과 크기를 조절할 수 있는 기술 또한 중요하다. 본 연구에서는 폴리이미드(PMDA-ODA)를 게이트 절연막으로 사용하여 플렉시블 기판을 만들고 그 위에 $SnO_2$ 나노선을 슬라이딩 전이 방식으로 정렬하여 플렉시블 FET를 제작하였다. 제작된 소자는 $0.7cm\;{\times}\;0.7cm$ 넓이 안에 300개의 FET가 존재하며 SEM 이미지를 통해 넓이 $50{\mu}m$, 길이 $5{\mu}m$의 FET채널에 약 150개의 나노선이 연결되어 있는 것을 확인했다. 이 소자의 히스테리시스는 폴리이미드의 교차결합 정도에 따라, 그리고 폴리이미드 절연막을 제작할 때의 습도에 따라 변하게 된다. 교차결합이 많아지고 습도가 낮아질수록 폴리이미드 절연막 내부에 흡착되는 물분자가 줄어들게 되고 절연막의 히스테리시스가 사라지며 시계방향의 나노선 히스테리시스가 지배적이 된다. 반대로 교차결합이 줄어들고 습도가 높아질수록 폴리이미드 절연막 내부에 물분자가 늘어 나면서 시계반대방향의 폴리이미드 히스테리시스가 FET의 전기적 특성에서 눈에 띄게 나타난다. 이 실험을 통해 고분자 절연막을 사용한 $SnO_2$ 나노선 FET의 전기적 히스테리시스를 조절할 수 있었으며, 소자의 히스테리시스를 없앨 수 있는 가능성에 대해서 논하고자 한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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