고온용 전기.열 절연재의 유리모재로 사용하기 위한 산화크롬함유 인산염 유리 복합체의 소결거동, 물성, 그리고 미세구조변화를 연구하였다. 단미의 유리는 점성유동에 의한 1단계 소결수축을 보이나 복합체는 점성유동 및 반응 액상소결에 의한 2단계 수축을 보였다. 단미 유리는 소결온도 증가에 따라 재기공율이 감소하고 기공크기가 작아지지만 93$0^{\circ}C$ 이사에서는 폐기공이 생성되면서 기공이 성장함을 보였다. 복합체 소결밀도는 산화크롬 증가에 따라 감소하였으며, 특히 산화크롬 40% 이상에서는 percolation에 의해 소결수축율이 급격히 저하하였다. 복합체의 곡강도는 산화크롬 증가에 따라 거의 직선적으로 감소한 반면 열팽창율은 오히려 급속히 증가함을 보였다.
니켈과 크롬은 대부분의 교정장치를 제작하는데 사용되는 합금을 구성하는 주요한 금속이다. 그러나 이들 금속은 과민반응, 피부염, 천식 등의 주요한 원인이 되며, 이들 금속의 우발적인 흡입에 의해 암이 유발될 수 있음이 보고된 바 있다 이에 하악 standard edgewise브라켓을 이용한 사분악의 교정장치를 $37^{\circ}C,\;,0.05\%$ NaCl용액에 저장하여 교정장치의 부식에 의해 유리된 니켈과 크롬을 Inductively Coupled Plasma(ICP) spectroanalyzer를 이용하여 측정하였다. 교정장치로부터, 1일 평균 $9.83-70.0{\mu}g/day$의 니켈이 유리되었으나, 크롬은 10ppb 측정한계에서 측정불가능 하였다. 니켈 유리량은 제품에 따라 유의한 차이를 가져왔다 Galvanic조건이나 Sand blasting처리는 니켈 유리량에 증가를 가져왔으나 통계학적으로 유의하지 않았다.
한국표면공학회 2011년도 춘계학술대회 및 Fine pattern PCB 표면 처리 기술 워크샵
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2011
크롬대체도금으로 개발 추진되고 있는 전기Ni-W합금도금피막은 경질크롬 도금피막보다도 고온에서 경도 및 내 산성이 우수하고, 유리성형용 금형으로 사용되고 있다. 최근 일본에서는 지금까지의 무전해Ni-W-P합금피막에 비해서 텅스텐, 인의 함유율이 높고, 질산 이외의 염산, 황산의 산성 환경과 암모니아, 수산화나트륨 등의 알칼리성 환경에서도 부식이나 변색이 생기지 않는 무전해Ni-W-P합금도금기술을 크롬도금을 대체하는 도금으로서 개발하고 있다.
사진식각 공정으로 종횡비가 매우 큰 유리 미세구조물을 제작하였다. 미세구조물의 제작에는 압축응력에 강하고 전기적 절연체인 감광성 유리를 사용하였다. 감광성 유리는 석영기판 위에 크롬이 패턴된 마스크를 사용하여 파장이 312nm인 자외선에 노광되었다. $500^{\circ}C$ 이상의 열처리공정을 거친 후 초음파 분위기에서 10%의 불산용액으로 식각함으로써 유리 미세구조물을 제작하였다. 미세구조물의 최종 형상은 감광성 유리의 두께, 마스크 패턴, 자외선 노광조건 및 식각조건에 크게 의존하였으며, 종횡비가 30이상인 스트라이프 구조의 유리 미세구조물을 제작할 수 있었다.
試藥겔 粒子를 채운 마이크로分析컬럼을 사용하여 水溶液중의 ppm레벨 이하의 크롬(VI)이온의 簡易分析法을 開發하였다. 115∼150 mesh의 XAD-2 樹脂를 실온에서 10분동안 에탄올에 膨潤시킨 다음, 유리관(안지름 1.5 mm, 길이 65 mm)에 채워 넣고 $2.0{\times}10^{-3}M$ diphenylcarbazide(DPC)-에탄올용액 1ml를 20분 동안에 흘려 분석컬럼을 만든다. 이 컬럼에 크롬(VI)이온을 포함한 황산산성의 試料水(pH 1) 0.5 ml를 40분 동안에 흘리면 컬럼의 위 끝으로부터 DPC겔의 흰색은 赤紫色으로 변색된다. 着色帶의 길이는 컬럼을 통과한 試料水중의 크롬(VI)濃度에 比例하므로 일정량의 試料水를 흘린 다음, 着色帶의 길이를 측정하여 미리 작성한 檢量線으로부터 크롬(VI)이온의 濃度를 구할 수 있다. 이 법으로 0.1∼0.8 ppm의 크롬(VI)이온을 ${\pm}5{\sim}{\pm}15{\%}$의 相對誤差로 정량할 수 있다. 본법은 妨害이온의 영향이 적기 때문에 가리움劑로 EDTA를 써서 크롬(VI)이온 (0.6 ppm)의 100배량의 철(III)이온과 50배 양의 구리(II)이온을 음폐시킬 수 있으며, 工場廢水중의 크롬(VI)이온의 分析에 應用하여 만족한 결과를 얻었다.
크롬염 안료제조공장 근로자를 대상으로 크롬 폭로와 말초혈액 림프구의 8-OH-dG 농도의 상관성을 직접 관찰함으로써 크롬의 암 발생기전에 산소유리기(oxygen free radical)가 관여하는지 여부와 크롬폭로에 따라 자매염색분체교환 빈도가 증가하는지를 밝힐 목적으로 본 연구를 수행하였다. 안료공장에 1년 이상 근무한 근로자 38명을 대상으로 설문지를 통하여 근무기간, 연령, 성, 크롬 폭로와 관련된 자각적 증상 등을 조사하였으며, 이들의 크롬 폭로 수준을 평가할 수 있는 생물학적 지표로서 혈중 및 크레아티닌 보정 요중 크롬 농도를 측정하였다. 크롬에 의한 생물학적 영향지표로서 말초혈액 림프구로 부터 dG에 대한 8-OH-dG의 몰 농도비를 측정하였으며, 분열 중기의 세포 30개를 관찰하여 세포당 자매염색분체교환 빈도를 계수하여 염색체 46개당 평균 자매 염색분체교환 빈도로 환산하였다. 분석결과 현재 크롬 폭로 수준을 판단하는 생물학적지표로 가장 많이 사용되는 크레아티닌 보정 요중 크롬 농도와 림프구에서의 dG에 대한 8-OH-dG의 물 농도비는 유의한 상관관계(r=0.47, p<0.01)를 보이는 것으로 분석되었으며, 현재의 흡연수준을 보정하고 분석한 결과에서는 상관계수가 증가하는 결과(r=0.62, p<0.05)를 나타내었다. 한편 자매염색분체교환 빈도와 크롬 폭로수준간에는 유의한 상관관계가 관찰되지 않았다. 이러한 결과는 크롬의 발암성에 DNA 부가체(adduct)의 형성이 중요한 기전일 수 있다는 기존의 연구결과와 일치하며, 따라서 8-OH-dG는 크롬에 의한 발암성을 예측할 수 있는 생물학적 영향지표로서 활용될 수 있음을 시사한다고 할 수 있다.
대학이 신입생을 선발하는 기준은 해당전공을 공부하는데 적합한 지원자를 선발하는 것이며, 해당모집단위에 많이 지원하게 하여 신입생 충원을 용이하게 하는 것 등이다. 대학은 입학전형을 거쳐서 신입생을 선발하게 되며, 선발기준으로 전형요소를 활용하게 된다. 전형요소 활용방법은 신입생 선발에 영향을 주기 때문에 전략적으로 중요하다. 2005학년도 신입생 선발에는 고등학교 7차 교육과정을 이수한 지원자들이 지원하게 되므로 전형요소에 있어서 변화가 있다. 대학입학수학능력 시험의 체제는 수험생들이 영역이나 과목을 선택하여 응시하는 방향으로 변화한다. 즉, 수리 영역을 가형 및 나형으로 응시하고, 하나의 탐구영역을 응시하되 사회탐구영역 및 과학탐구영역은 4과목 이내에서 선택하여 응시한다. 또한 수학능력시험의 성적표는 각 영역별 및 과목별 표준점수, 백분위점수 및 등급을 표시하여 통지한다. 본 연구는 변화된 수학능력시험의 체제와 고등학교 교육과정을 어떠한 방법으로 반영하여 학생을 선발하는 것이 바람직한가에 대한 전략을 도출하는 틀을 제시하고, 각 전형요소 활용의 대안과 문제점을 도출하고자 한다. 2005 수능시험 결과는 표준점수로 통지하기 때문에 만점 개념을 적용하기 어렵고, 표준점수를 전형요소로 활용할 때 전형총점 개념을 도입하기 어렵다. 또한 복수영역 및 과목의 선택에서 유리함과 불리함이 나타나게 된다. 과거의 수능시험결과를 분석하여 전형총점개념 도입의 방법과 불리함을 보정하여 주는 방법을 제시하고, 신입생을 선발하는 목적에 적합한 전형요소 결정전략을 도출하고자 한다.2; Learning Decisions, 2001) 연구모형을 설정하고 이를 근거로 실증연구를 수행 중에 있다.7.2 $e^{0.101}$x/, y = 70.01 $e^{0.030}$x/, 반감기는 12.0, 6.86, 23.0 일이고 폐장, 간장, 신장의 회복기간(x)별 크롬농도(y)의 소실속도 상관계수 (노출농도 0.50 mg/㎥군의 경우)는 y = 1808 $e^{0.004}$93x/, y = 12.02 $e^{0.029}$7x/, y = 67.61 $e^{0.029}$2x/ 반감기는 140.6, 23.3, 23.7 일로 평가되었다. 4. 고찰 : 실험동물의 전혈, 혈청, 뇨에서의 크롬농도와 시험물질 노출농도는 밀접한 상관을 가졌으나 농도에 정비례하지는 않았다. 뇨 중 흡수된 크롬의 경우 회복기간 초기 (12시간 내)에 대부분 배설이 일어나는 것으로 나타났다. 폐장이 간장, 신장 등 다른 장기에 비해 높은 축적량을 보였으며 축적된 크롬농도가 높을수록 크롬의 소실속도는 현저히 저하하는 경향을 보였다. 노출농도가 높을수록 각 장기조직 내 크롬의 소실속도 (clearance)는 크게 감소경향이 있었으며 이는 체내 과부하시 자정작용이 감소하는 것으로 판단되었다. 본 연구 결과 SD rat를 이용 반복흡입노출의 경우 생체의 무유해영향농도 (NOAEL)는 0.2mg/㎥이하이며 발암물질을 감안하여 안전계수를 100으로 할 경우 사람에 대한 NOAEL은 0.002mg/㎥이하로 판단되
함금속 염료는 이들 염료들의 우수한 일광견뢰도 때문에 섬유산업에서 광범위하게 사용되고 있다. 함금속 염료에 사용되는 금속으로는 크롬, 코발트 및 구리 등이 이용되고있다. 금속 착물은 주로 안료뿐만 아니라 산성, 직접 및 반응성 염료에서 사용하고 있다[1,2] 섬유 염색에서 중요한 부분으로는 염색폐수의 방출에 있다 [3]. 특히, 몇몇 염료들의 발암성물질과, 환원에 의한 아조 그룹의 파괴 등으로 발성하는 아민류가 심각한 환경문제로 관심을 갖고있다[4]. (중략)
본 연구에서는 고밀도로 백색 발광다이오드를 웨이퍼 상에 제작하기 위한 제조공정에 필요한 포토마스크를 제작하는 연구를 수행하였다. 발광다이오드 한 개의 패턴을 웨이퍼상에 연속적으로 배열하여 이를 병렬로 연결하는 금속배선을 고려하였다. AutoCAD의 DWG 파일로 캐드작업을 수행하여 이를 DXF 파일로 변환하였으며, 레이저빔으로 스켄하여 소다라임 유리판 위에 크롬을 식각함으로써 포토마스크를 제작하였다. 이는 기존에 제작된 개별칩 형태의 발광다이오드 제작공정을 집적공정화함으로써 웨이퍼상에서 전면 발광하는 조명광원의 구조를 갖는다. 또한 이를 활용하여 백색 발광다이오드 집적칩을 제작하려 한다.
반도체 산업에서 유기물질의 응용에 많은 관심을 나타내고있으며, 그 응용의 예로는 발광 다이오드(light emitting diode)와 박막트랜지스터(thinfilm transistor)가 주를 이루고 있다. 이러한 유기 물질을 이용하면 소자의 제작 공정의 단순화와 제작 가격을 낮출 수 있는 이점을 기대할 수 있다. 본 연구에서는 유리 기판 위에 pentcence 다이오드를 제작하였다. 유리 기판 위에 silicon dioxide를 PECVD으로 성막하였다. 전극으로는 Ohmic contact를 이루기 위해 금(Au)을 사용하였으며 schottky contact을 이루기 위해서 알루미늄(Al), 인듐(In), 크롬(Cr), 은(Ag), 금(Au)을 각각 사용하였다. 소자의 활성 층으로는 pentcene을 가장 단순한 열 증착법으로 성막하였고, 진공도는 10-8Torr를 유지하였으며 성막 속도는 0.3 $\AA$/sec로 성막하였다. 제작된 소자들은 $\alpha$-step, I-V, C-V, AFM, IR등을 이용하여 측정, 분석하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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