• Proceedings of the Korean Society of Propulsion Engineers Conference
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• 2002.04a
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• pp.73-76
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• 2002

본 연구에서는 기존의 추력측정 방법보다 간단한 추력측정 방법으로서 피토 압력을 이용한 방법을 제안하였고, 이의 검증을 위해 소형 추력측정기를 제작하였다. 추력측정기를 이용하여 모델로켓 모터 및 초음속 풍동의 추력측정을 통하여 그 가능성을 확인하였고 본 연구의 목표인 피토압력과 추력측정기를 이용한 측정 추력의 비교연구가 계획되어 있다.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2003.10b
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• pp.385-387
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• 2003

하드웨어 비중이 큰 임베디드 시스템 특성상, 하드웨어 중심적인 품질 측정 및 평가가 이루어져 왔으나, 소프트웨어 규모 증가로 인해 임베디드 시스템에서도 소프트웨어 품질에 대한 체계적인 관리의 필요성이 대두 되고 있다. 이에 본 연구에서는 임베디드 시스템 소프트웨어 측정을 위한 품질 특성을 조사 하였으며, LG산전 인버터 시스템에 대한 품질 메트릭 추출을 통해 임베디드 시스템 제품의 품질 측정 가능성을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Society of Fisheries Technology Conference
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• 2001.05a
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• pp.35-36
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• 2001

본 연구는 해저지형 측정시스템을 이용하여 인공어초가 설치된 통영항 근처의 해저지형을 측정하였다. 인공어초는 해저의 지형 및 저질을 파악한 후 적정위치에 설치되어져야 한다. 본 조사에서는 이미 인공어초가 설치되어진 지역의 해저지형을 조사하여 인공어초가 측정되어진 해저지형에 대해 어떠한 형태로 설치되어져 있는지 조사하였다. 향후 인공어초 설치 시 적정지점을 정하는데 주요한 초기 기초 조사 방법으로써 본 해저지형시스템 사용의 가능성을 제시하고자 한다. (중략)

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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• v.17 no.7
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• pp.63-76
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• 2016

Most previous studies found a positive relationship between the value of a firm and its R&D investments. This research measures the impact of the timescale of the R&D investment of a firm on its value using panel vector autoregression. By measuring the time required for R&D to impact the value of a firm, this study demonstrates that the lead time is an essential factor in the analysis of the effect of R&D investment on a firm's value. Our study finds that the length of the lead time varies according to the firm's size, industry concentration, and book to market ratio. Firms with a higher industry concentration show a shorter lead time. Also, firms with a larger size and higher book to market ratio generally show a shorter lead time.

• Proceedings of the Korean Society of Near Infrared Spectroscopy Conference
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• 2000.06a
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• pp.49-49
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• 2000

• Proceedings of the Korean Institute of Landscape Architecture Conference
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• 2018.03a
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• pp.9-12
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• 2018

• Proceedings of the Korean Society of Postharvest Science and Technology of Agricultural Products Conference
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• 1998.09a
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• pp.67.2-68
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• 1998

• Proceedings of the KGS Conference
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• 2001.05a
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• pp.69-74
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• 2001

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.250.2-250.2
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• 2015

결정질 태양전지의 변환효율은 이미 이론적 한계에 가까워져, 최근 산업에서는 이 대신 제조공정 단가를 낮추려는 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 태양전지 도핑공정에 대기압 DBD 플라즈마를 응용하여 저렴하게 태양전지를 제작할 수 있는 방법을 모색한다. 대기압 DBD 플라즈마를 발생시키기 위해 DC-AC 인버터 구조의 전원을 사용하여 수십 kHz의 주파수, 수 kV의 전압을 인가하여 $5cm{\times}1cm$ 직사각형 모양의 아노다이징된 알루미늄 전극을 사용하였다. 전극과 Ground 사이에 Argon 가스를 주입하여 플라즈마를 발생시켰으며, 출력전류는 수십 mA의 전류가 측정되었다. $3cm{\times}3cm$의 P-type wafer에 스핀코팅 방식으로 H3PO4를 도포한 후, Wafer 표면에 플라즈마를 조사하여 대기압 DBD 플라즈마를 이용한 태양전지 도핑 가능성을 확인하였다. 플라즈마 출력 전류와 플라즈마 조사시간을 변수로 도핑된 Wafer의 특성을 확인하였다. 도핑 프로파일은 SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry)를 통해 측정하였으며, 전기적인 특성은 4 point probe로 면저항을 측정하였다. 대기압 DBD 플라즈마를 이용해 도핑된 wafer에 전극을 형성하여, 같은 도펀트를 사용하여 Furnace로 열 확산법을 이용해 도핑 공정을 진행한 wafer와 변환효율(Conversion efficiency)을 측정하여, 대기압 플라즈마를 이용한 도핑 가능성을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 1995.02a
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• pp.057-58
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• 1995

극소전자 디바이스의 고집적화에 의해 박막배선의 선폭은 0.5$mu extrm{m}$ 이하로 축소되고 있고 상대적으로 높은 전류밀도가 흐르게 된다. 높은 전류밀도하에서는 현재 일반적으로 사용되고 있는 Al을 기본으로 하는 박막배선에서의 electromigration에 의한 결함 발생 그리고 비교적 낮은 전기전도도가 심각한 문제점으로 제기된다. 본 연구에서는 Al과 고전기전도도 물질인 Ag, Cu, 그리고 Au 박막배선에 대해 electromigration에 대한 저항성, 즉 activation energy를 측정 비교함으로써 차세대 극소전자 디바이스를 위한 박막배선재료로서의 가능성을 알아보고자 한다. Electromigration test 및 activation energy를 구하기 위해 순수 Ag, Cu, Al, Au 박막배선을 0.05$\mu\textrm{m}$ 두께, 100$\mu\textrm{m}$ 선폭, 그리고 5000$\mu\textrm{m}$ 길이로 SiO2 열산화막 처리된 pp-Si(100) 기판 위에 진공 증착시켰다. 가속화 실험을 위해 인가된 d.c. 전류밀도는 2$\times$106A/$ extrm{cm}^2$ 이었고, Al과 Au에서는 6$\times$106A/$\textrm{cm}^2$이었다. 실온에서 24$0^{\circ}C$까지의 온도범위에서 d.c.인가후의 저항변화를 측정하여 Median-Time-to-Failure(MTF)를 구한 후 Black 방정식을 이용하여 activation energy를 측정하였다. Activation energy는 Cu가 1.34eV로서 가장 높게 나타났고 Au가 1.01eV, Al이 0.66eV, Ag가 0.29eV의 순으로 측정되었다. 따라서 Cu와 Au 박막배선의 경우 Al보다 electromigration에 대한 저항력이 강한 고활성화에너지 특성을 갖는 고전기전도도 재료로서 차세대 극소전자 디바이스를 위한 대체 박막배선재료로서의 가능성을 보인다.