기존 이동 트레이의 경우 모터를 구동하기 위해 외부 전원장치가 필요하고 지속적인 유지보수가 필요한 문제점이 있다. 이를 해결하기 위해 외부 전원 장치가 아닌 발전기 바퀴를 통해 배터리를 충전하여 3배 이상 승압 가능한 Boost Converter로 모터를 구동한다. 하지만 모터 기동 시 필요한 순간적인 큰 전류를 배터리에서 공급하기 때문에 배터리의 수명이 감소되는 문제점이 있다. 본 논문에서는 3배 이상 승압이 가능하면서 배터리 부담을 줄이는 Super Cap. String을 사용하여 순간적으로 필요한 큰 전류를 공급하는 Boost Converter를 제안한다. 이를 이론적, 실험적 분석을 통해 그 타당성을 검증한다.
Lee, Tae Seung;Hwang, Dong Ok;Lee, Dong Ju;Paik, Seok Min
Proceedings of the KIPE Conference
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2015.07a
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pp.532-534
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2015
본 연구에서는 'Open Framework 기반 Smart ESS 전력제어 모듈'과 연동을 위해 설계, 제작한 3상 PCS 시제품의 동작 모드별 주요 전기적 특성을 분석하였다. 충전모드에서 운전시 PWM 컨버터의 입력역률, 입력전류 THD 및 전력변환 효율과 방전모드로 운전시 계통으로 주입되는 전류의 역률, THD 및 전력변환 효율을 각각 측정, 분석하였다. 또한 독립운전시 부하량에 따른 PWM 컨버터의 출력전압 THD 및 전력변환 효율을 측정, 분석하였다.
$Al_{2}O_{3}$ 절연막을 전하포획층으로 이용하여 Top 게이트 ZnO 나노선 전계효과트랜지스터를 제작하였고, 메모리 효과를 관찰하였다. $Al_{2}O_{3}$ 층을 게이트 절연막과 전하포획층으로 사용하였다. 대표적인 Top 게이트 ZnO 나노선 전계효과트랜지스터에 대하여 게이트 전압을 Double sweep 하였을 때의 드레인 전류-게이트 전압 특성이 반시계 방향의 히스테리시스와 문턱전압변화를 나타냈다. 펄스 형태의 게이트 전압을 1초 동안 인가한 후에, 드레인 전류-게이트 전압 특성의 문턱전압 변화가 0.3 V에서 0.8 V로 증가하였다. 이러한 특성은 게이트 전극에서 음전하 캐리어가 음의 게이트 전압에 대하여 $Al_{2}O_{3}$ 층에 충전되고, 양의 게이트 전압에 대하여 방전되는 것을 나타낸다.
Ha, Chang-Seung;Cha, Ju-Hong;Kim, Dong-Hyeon;Lee, Hae-Jun;Lee, Ho-Jun
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.157.1-157.1
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2013
외부 Ballast Capacitor를 이용한 Voltage Doubler 전원장치를 이용하여 Micro size의 대기압 플라즈마를 발생장치를 개발하였다. 2개의 외부 Capacitor를 병렬로 연결하여 충전한 다음 외부 Capacitor를 직렬로 연결하여 전압을 2배압 시킨 상태에서 방전이 일어나도록 하였다. Capacitor의 충 방전 제어는 Switch Device인 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)를 사용하였다. 개발된 대기압 플라즈마는 외부 Capacitor와 인가전압을 독립적으로 변화시킬 수 있기 때문에 방전 시 전류 전압을 독립적으로 제어할 수 있으며 용도에 따라 Glow 방전에서 Arc 방전까지 제어가 가능하다. 본 연구에서는 900 V의 1.22 nF 외부 Capacitor 방전과 400 V의 10 nF 외부 Capacitor 방전을 비교하였다. 방전 시 전압파형과 전류파형은 서로 다르지만 소비된 방전에너지는 340 ${\mu}J$로 동일하다. ICCD camera와 Spectrometer를 이용하여 비교 분석을 실시하였다. 방전 image 및 Optical Emission Spectroscopy 분석을 이용하여 플라즈마의 온도, 밀도 등을 시간적, 공간적으로 분석하였다.
MgO thin films with 1000 $\AA$ thickness were deposited on Cu substrates by using an electron gun evaporator at room temperature. A 1000 $\AA$ thick Al layer was deposited on the MgO for removing the charging effect of the MgO thin film during the measurements of the sputtering yields. A Ga ion liquid metal was used as the focused ion beam(FIB) source. The ion beam was focused by using double einzel lenses, and a deflector was employed to scan the ion beams into the MgO layer. Both currents of the secondary particle and the probe ion beam were measured, and they dramatically changed with varying the applied acceleration voltage of the source. The sputtering yield of the MgO layer was determined using the values of the analyzed probe current, the secondary particle current, and the net current. When the acceleration voltage of the FIB system was 15 kV, the sputtering yield of the MgO thin film was 0.30. The sputtering yield of the MgO thin film linearly increases with the acceleration voltage. These results indicate that the FIB system is promising for the measurements of the sputtering yield of the MgO thin film.
본 논문에서는 Li-air 배터리의 동작원리를 설명하고, 모델링을 위해 Li-air 배터리의 내부와 충전 및 방전 원리를 보여주고 SOC(State Of Charge) 추정을 위한 OCV(Open-circuit Voltage) 그래프의 분석과 회로도에 대해 설명 하였다. 더불어, 전류적산법의 원리를 적용하여 SOC 추정의 기준이 되는 값을 추출하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Industrial Safety Conference
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2003.10a
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pp.192-195
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2003
최근 첨단기술 집약형 자동화 시스템과 정보기술의 발달에 따라 산업은 고도화, 정밀화되고 있다. 특히 안전분야 중 기능성 고분자 재료의 응용 분야로서 carbon black, carbon fiber, graphite, 금속 분말 등의 전도성 충전재를 고분자 matrix에 혼입하여 전도성 복합재료를 성형가공하는 기술이 개발되고 있다. 이를 이용한 복합성형체는 과전류 차단, 회로 보호, 전자파 차폐효과 등의 특성을 이용한 electrical hazard 감소 효과, 제어설비, 자동화 설비, 제조설비 등 각종 산업설비의 정밀제어, 과전류차단 및 외란 방지 등에 다양한 용도로 활용되고 있다.(중략)
본 연구는 출력단에 패캐시터를 갖고 있는 AC 전류원으로부터, 밧데리 충전을 위한 새로운 AC/DC 컨버터 회로를 제안한다. 영전압과 영전류 스위칭을 사용하여 컨버터의 소형화 및 고효율화를 추구하였고, 풀브리지 MOSFET 정류기와 Buck-boost 컨버터가 결합된 새로운 토폴로지의 회로를 구성하였다. 제안된 컨버터의 동작원리 및 동작모드를 해석하고, PSpicc 시뮬레이션을 통해 해석결과를 검증하였다.
Proposed battery charger is a economic candidate because that is simple and small size. The circuit has linearly operational power stage. That use small size buffer with small driving current and large power MOS gate capacitance. The simulation result show that charging current is stable and has low ripple.
세계제2차대전이후, 급속도로 발전해온 전기 및 전자공학으로 말미암아 현재의 시대를 electronic시대라고 불러도 과언이 아니다. 이러한 전자공학의 발전으로 수많은 전자장치소자가 새로이 개발되었다. 그중에서 전기 및 전자회로에서 없어서는 안될 싸이리스터라는 반도체소자가 있다. 싸이리스터의 특성을 응용하여 정지스위치로서 과전압보호회로, 지연회로, 온도조절기, 전자충전용, 조정기, 변압기탭전환, 용접기의 제어회로등에 이용되며 위상제어용으로 조광회로, 전기로의 온도제어, 전동기의 속도제어, 직류전동기의 주전류제어회로에 이용되고 전류기로서 정전압전원, 정정류전원으로 이용하며 쵸퍼, 인버어터로서 직류를 단속시키며 다시 교류로 변환하여 전압을 변화시킬 수 있다. 이밖에 정류자나 부러쉬가 없는 모터를 제조할 수 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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