5개년기획기간중 전력발전 부문에 신규로 소요되는 설비는 막대한 양으로서 약 1억 5천만불에 해당되는 양이다. 물론 후 2자 즉 배전 및 공장소요 전기기구도 등비급수적인 증가수요로 말미암아 적지 않은 양이된다. (약 6,000만불) 이들 중 국내에서 기술적으로 생산이 가능하다고 고려되는 기구, 즉 전력변압기의 일부 배전변압기, 역율개정용 축전기, 산업용 전동기의 수요를 정부가 수립한 5개년 기획기간에 맞추어 산정하고저 한다.
전기이중층 축전용량(electric double layer capacitance)과 유사축전용량(pseudo-capacitance)을 함께 갖는 하이브리드 전기화학 축전기에 대한 연구를 수행하였다. 양극은 $Ni(OH)_2$ 활성탄소가 복합된 전극을 사용하였으며 음극은 활성탄소를 활물질로 사용하므로써 비대칭 전극 구조를 갖는다. 셀 실험을 위하여 $5\times5cm^2$ 크기인 전극을 제작 사용하였다. Cyclic voltammetry측정 및 교류 임피던스 측정실험을 통하여 각각의 셀들이 갖는 전기화학적 거동을 조사하였고 충 방전 실험을 통하여 양극과 음극의 최적 질량비를 조사하였다.
현재 식각이나 증착, 이온주입 등에 반도체 공정에 플라즈마를 이용하고 있다. 이런 반도체 공정용 플라즈마 용기의 경우 플라즈마에 의한 용기의 스퍼터 등에 의해 금속 입자가 생성되어 공정중인 반도체 웨이퍼에 오염을 줄 수 있기 때문에 대부분의 공정용 용기는 아노다이징 알루미늄이나 세라믹 등을 사용한 부도체 용기를 사용하게 된다. 단일탐침법은 플라즈마내 금속 도체를 삽입한 후 바이어스 전압을 인가하여 전류-전압 특성 곡선을 해석하여 측정하는 방법이다. 하지만 플라즈마와 측정 시스템의 공통된 기준전압이 있어야만 측정이 가능하다는 단점을 가지고 있다. 따라서 일반적으로 많이 사용하는 부도체 용기내의 플라즈마는 기존의 단일탐침법으로 측정이 어렵다. 또한 높은 플라즈마 전위를 가지고 있는 플라즈마의 경우 높은 전압에서 전류-전압특성의 측정시스템을 구축하기 매우 어려운 단점을 가지고 있다. 따라서 이런 경우에도 측정이 가능하도록 축전기의 과도현상을 이용하여 탐침이 전기적으로 부유된 단일탐침법을 연구하였다. 이 방법의 타당성 확인을 위하여 금속용기에서 플라즈마를 발생시켜 기존의 단일탐침법과 부유형 단일탐침법을 비교하였다. 기존의 단일탐침법과 비교 결과는 공정조건에 관계없이 상당히 유사하였다. 따라서 이 방법으로 기존 단일탐침법을 사용할 수 없는 높은 플라즈마 전위의 플라즈마나 부도체용기내의 플라즈마의 측정에 사용할 수 있을 것으로 기대된다.
펄스형 플라즈마 전기추력기의 설계기술과 제어기법에 있어서는 과거의 기술에 비하여 많은 도약을 하였다. 그리고, 펄스형 플라즈마 전기추력기의 충전된 전기에너지는 추력기 구동시 중요한 비중을 차지함을 알 수 있다. 펄스형 플라즈마 전기추력기는 매 분사시 축전기에 충전된 전기에너지를 방전시켜 분사 시키므로서 추력을 얻는 장치이다. 따라서, 매 분사시 균일한 추력을 얻고자 할 경우에는 동작시점에서 균일한 전기 에너지가 충전되어 있어야 한다. 따라서, 본 논문에서는 매 분사시 균일한 추력을 얻기 위한 기법과 축전기와 추력기 엔진간의 기하학적 연결에 따른 안정성을 연구하였다.
압전소자에 전압을 가했을 때 길이가 늘어나며 휘어지는 것을 측정하고 보정하는 방법을 제시한다. 압전소자에 부착된 거울에서 반사되는 레이저빔의 각도 변화를 $0.36\mu$rad의 불확도로 측정하여 압전소자가 휘는 각도와 방향을 알수 있는 장치를 구성하였다. 압전소자의 전극을 세부분을 분할하고 축전기를 직렬 연결하여 하나의 전원으로도 각 전극에 인가되는 전압을 달리 조절할 수 있었다. 압전소자가 휘어지는 크기와 방향에 따라 각 전극에 연결되는 축전기의 용량을 달리함으로써 보정 전에 비해 휨을 6.3%로 줄일수 있었다. 휨이 보정된 압전소를 광자감쇠공동의 길이 변조에 이용하였을 때 압전소자가 휘기 때문에 야기되었던 감쇠시간 요동이 효과적으로 제거되는 것을 확인하였다.
고전압 펄스 플라즈마를 액체 속에서 발생시켜 수소 스펙트럼의 광학적 특성을 연구하였다. 고전압 펄스 발생 장치인 막스 제네레이터는 용량이 $0.5{\mu}F$인 축전기 5개로 이루어져 있다. 각각의 축전기는 전원 장치를 이용하여 저항을 통해 병렬로 충전되며, 방전 시에는 불꽃 방전 스위치에 의해 동시에 직렬로 연결되어 고전압을 발생시킨다. 따라서, 출력 전압과 전류는 40kV, 3 kA이며 총 에너지는 약 125 J이다. 직육면체 모양의 폴리카보네이트 용기 내부의 양쪽면에는 탐침 모양의 전극이 구성되어 있으며 전극 사이에서 고전압을 가진 플라즈마가 형성된다. 실험에서 액체로는 증류수를 사용하였다. 액체 방전 시 발생하는 수소 스펙트럼을 관측하기 위해 초점거리 30 cm의 monochromator를 이용하였고, 수소 알파선의 656.3 nm와 수소 베타선의 434.1 nm를 관측하였다. 전자 밀도의 측정법으로는 Stark broadening법을 이용하여 측정하였으며, 전자 온도는 Stark profile의 상대적인 전자 밀도의 비를 이용하여 계산하였다. 전자밀도는 실험조건에서 약 $3{\times}10^{15}cm^{-3}$, 전자온도는 약 2.5 eV가 측정되었다.
원자로 출려그이 시간적 변화는 중성자의 흡수 및 누설량의 변화의 결과로 나타나는데 6개군의 지발중성자를 고려한 원자로동특성방정식은 잘 알려져 있다. 이들 식을 간단하게 풀기는 어려우므로 전자 analog회로로서 구성되는 simulator로서 해석하는 것이다. 지발중성자방사물질의 붕괴현상은 축전기에서의 전하의 충방전현상과 흡사하며 이들을 표현하는 방정식은 회로망의 전류, 전압을 나타내는 미분방정식과 유사하므로 동일한 과도현상을 나타낸다. 그러므로 노에 대한 각 parameter를 전기적 parameter에 대응시켜서 전기적으로 적분하여 전압을 검출하면 원자로의 출력을 나타낼 수 있게 된다. 이와같은 simulator로서는 지정회로망에 의한 회로가 여러 문헌에 소개되어 있으나 본고에서는 순수한 analog전자계산기에 의한 방법을 채택하였으며 이에 소요되는 연산요소는 시중에서 구할수 있는 부분품으로 조립하였다.
A numerical method is presented for determining the static charge distribution and the capacitance of a round disk capacitor. In the employed numerical scheme annular patch subdomains are introduced to reduce the matrix size and to mprove the accuracy of the numerical calculations. The method of moments is utilized to calculate the charge distribution, and the capacitance and equipotential lines are also found from the numerically computed charge distributions. To show the validity of the results the proposed method is applied to the round disk and the dielectric filled capacitor.
보자력이 큰 강자성체의 자기이력곡선, 자기변형, 자기이방성등의 측정에 사용할수 있는 펄스전자석을 설계제작하였다. 철심의 형상이 주어졌을때 권선의 회수에 따른 전자석의 여러특성과 축전기 방전시의 전류진폭 감쇄비등을 계산하는 일반식을 유도하고 그것에 의하여 철심단면적 46 nm * 32 nm, 공기간격 28nm의 전자석을 설계 제작하여 20 mT/A의 기울기로 0.49 T까지 직선적인 자기장 대 전류특성을 얻었다. 이 전자석에 에너로그 적분기에 의한 자속계를 부쳐서 박막 또는 박대시료의 major 및 minor 이력곡선을 단번에 쉽게 얻을 수 있는 자기이력곡선 측정기가 구성되었다.
Surface roughness measurement system with capacitance type gap sensor. Tentative result from the calibration measurement showed the potential applicability of the sensor to the processed specimen. In order to test the sensitivity of the measurement system, several parameters including valley depth, width of the specimen have been changed. Effect of the charge area between sensor and specimen surface has been also analyzed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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