• Title/Summary/Keyword: 최대전압

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Effects of HTS Cable Applied to the Voltage Stability Limited Power System (전압 안정도 제약계통에 대한 고온초전도 케이블 적용효과)

  • Lee, Geun-Joon;Hwang, Si-Dol
    • Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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    • v.18 no.5
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    • pp.169-173
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    • 2004
  • This paper presents the basic application idea of superconductor cable for voltage stability limited power system. In bulk power system, the transfer capability of transmission line is often limited by the voltage stability, and superconductor cable could be one of the countermeasure to enhance heat transfer limit as well as voltage stability limit. Steady state voltage stability approach by P-V curve is used to calculate the maximum transfer capability of initial system and superconductor applied system. IEEE-14 bus system is used to demonstrate its applicability.

An Improved Model for Grounding System Using Examination of Dangerous Voltage (위험전압 검토에 따른 개선된 접지설비 모델)

  • Shin, Bog-Sung;Hong, Soon-Seuk
    • Journal of the Korean Institute of Illuminating and Electrical Installation Engineers
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    • v.22 no.4
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    • pp.68-77
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    • 2008
  • When we design the grounding grid, dangerous voltage IEEE Std. 80 method has been commonly used in the domestic area. However there is not appropriative examination of ground design environment. So in this paper, we examined of IEEE Std. 80 touch voltage method's marginal utility and we induced corrective factor for those problems by comparison between IEEE Std. 80 touch voltage value and simulation experimentation value. Moreover, Logistic model's corrective factor we proved the maximum accidental error has reduced less than 10[%].

Development of Highly-stabilized Power Supply for KCCH Cyclotron Magnets (KCCH 싸이클로트론 전자석용 정밀전원장치 개발)

  • 송인호;신현석;최창호;채종서;김유석;이한석;하장호
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 1999.07a
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    • pp.581-584
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    • 1999
  • 본 논문에서는 12펄스 위상제어 정류기 및 수동 필터와 능동필터로 구성된 KCCH 싸이클로트론 전자석용 고정밀, 고안정 전류 전원장치를 위한 각 구성 부분의 제어 및 설계 특징은 다음과 같다. 12펄스 싸이리스터 컨버터의 출력전압 제어를 위하여 아날로그 phase-locked oscillator 점호방식과 함께 부하에 비해 빠른 동특성을 가지는 내부 전압제어 루프를 구성하여, 입력전원과 변압기의 불평형에 의해 발생하는 저차고조파를 줄어들게 하였다. LC 수동필터와 MOSFET으로 구성된 능동필터를 직렬로 연결하여 출력전압 리플을 허용치 이하로 낮추었다. 12펄스 컨버터 출력전압 리플의 최대 peak-to-peak값이 0.1% 이하가 되도록 수동필터 값을 설계하였으며 설계과정을 제시하였다. 16bit D/A와 A/D에 의해 디지털로 제어되는 pass bank MOSFET 레귤레이터는 출력리플의 slow drift 제어와 설정치 값의 정확한 제어를 가능하게 한다. 또한 MOSFET는 전압 구동형 소자이며 turn-on 전류 도통 시에 양의 저항계수를 갖기 때문에, 첫째 전류 구동소자에 비해 간단한 구동회로를 가지며, 둘째 소자의 병렬 연결이 용이하다는 이점을 갖는다. 본 논문에서는 전류 전원장치 각 부분의 설계에 대하여 상세한 설계결과를 제시하며, 실험결과를 통하여 제안된 설계방식의 우수한 정적 및 동적 특성을 입증한다.

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A Output Voltage Linearization in Overmodulation Region of the Space Vector PWM (공간벡터 PWM의 과변조 영역에서 출력전압 선형화)

  • Bae, Jang-Ho;Kim, Yuen-Chung;Won, Chung-Yuen;Choi, Jong-Mook;Gi, Sang-Woo;Bae, Gi-Hun
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics S
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    • v.36S no.11
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    • pp.128-139
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    • 1999
  • This paper proposes a linearization technique for the space vector modulation method, which increases the linear control range of inverter up to the 6-step inverter. This method is based on fourier series expansion of the desired output voltage of the inverter to calculate the compensation angle in continuous switching mode and holding angle in discontinuous switching including the 6-step mode respectively. The approximation equation of these angles are used for compensation of fundamental voltage in overmodulation range. Therefore, it is possible to obtain the linear control and the maximized utilization of PWM inverter output voltage.

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독립전원으로 구동되는 변압기 일차측 개폐 회로를 적용한 대기전력 저감 장치에 관한 연구

  • Choe, Dae-Seop;Jeong, Chan-Ung;Park, Seong-Tae;Hwang, Min-Yeong
    • Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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    • 2008.05a
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    • pp.434-435
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    • 2008
  • 최근 국내 IT 산업의 발달에 따른 디지털화에 따라서 대기전력에 의해서 소비되는 전력소모량은 일반 가정용 전원을 기준으로 할 때 전체 사용량의 11%에 육박하는 수준까지 나타나고 있으며, 이는 다른 선진국에 비해서도 상당히 높은 수준으로 미국의 5% 수준의 2배가 넘는 수치이다. 전기, 전자제품의 디지털화 의 추세는 일반가구 및 산업시설에 공급되는 공급전압에 비해서 상당히 낮은 전압으로 제품이 동작하게 되며, 이러한 전압변환은 제품에 내장된 변압기에 의해서 수행되는데, 변압기는 전기, 전자제품이 구동하지 않는 경우에도 일차측에 인가된 전압에 의해서 발생되는 대기전력 소비량에 의해서 일정 크기의 전력소모가 지속적으로 이루어지고 있다. 본 연구에서는 대기전력에 대해서 가전제품의 대기상태를 유지하기 위한 상태에서 소모되는 전력량 및 변압기의 1차측에서 유도되나 2차측에서 전력에너지로 변화되지 못하고 소실되는 손실을 모두 포함하는 것으로 정의를 내리고, 해당 적용 제품의 비구동상태에서 독립된 전원으로 구동되어 변압기의 1차 측을 완전히 개방하여 1차 측 전압인가에서 발생되는 손실까지 모두 줄일 수 있는 회로에 대한 기술적인 구성과 적용가능성에 대하여 연구하였다.

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Analysis of Current-voltage Characteristic Curve for the Solar Cell using MicroTec Tool (MicroTec을 이용한 태양전지 전류-전압 특성곡선 분석)

  • Jung, Hak-Kee;Han, Ji-Hyung
    • Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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    • v.13 no.6
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    • pp.1045-1050
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    • 2009
  • The current-voltage characteristics of solar cell has been analyzed using MicroTec in this paper. The current-voltage characteristics represents a efficiency of solar cell. The part of metal contact is doped highly, but active region is doped lowly. We have investigated the current-voltage characteristics according to variation of doping concentration from $10^{14}cm^{-3}$ to $10^{17}cm^{-3}$. We has also determined the doping concentration to obtain the maximum efficiency of solar cell, and analyzed this current-voltage characteristics.

Battery Equalization Circuit using Charge Control Scheme (전하 제어법을 이용한 배터리 균등화 회로)

  • Chun, Chang-Yoon;Shin, Jong-Won;Kim, Jong-Hoon;Cho, Bo-Hyung
    • Proceedings of the KIPE Conference
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    • 2010.07a
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    • pp.422-423
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    • 2010
  • 직렬 연결된 배터리는 각 셀의 내부 화학적 특성 차이로 인해 동일 전류로 충전 및 방전 과정을 진행하여도 셀 간에 미세한 전압 차이가 발생한다. 이러한 셀 간 전압 불균형은 배터리 셀에 해로운 영향을 끼치게 되는데, 2차 전지의 경우 배터리 용량의 변화를 야기한다. 이러한 문제를 해결하기 위해서 배터리 운용 범위를 제한하는 보호회로가 있지만 보호회로는 직렬 연결된 배터리 셀 중 가장 전압이 높거나 가장 낮은 셀을 기준으로 충전과 방전 사이클을 종료시키므로 배터리 팩의 용량을 최대한으로 사용하지 못하게 하는 문제를 발생시킨다. 배터리 균등화 회로는 셀 간의 전압 차이를 줄여 배터리의 최대 용량을 사용하고자 하는 목적을 가진다. 저항을 기반으로 하는 수동적인 방법과는 달리 스위칭 소자를 이용하는 능동적인 방법에서는 스위칭으로 인해 입출력 전압 변동이 발생하여 컨버터 내부에 흐르는 전류가 수시로 변하는 문제가 생긴다. 위 문제를 해결하기 위한 방법으로 본 논문에서는 배터리 균등화 회로에 전하 제어(Charge control)기법을 제안하고, 그에 따른 회로 설계 요소를 제시한다.

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A Low Power SRAM Using Elevated Source Level Memory Cells (소스 전압을 높인 메모리 셀을 이용한 저전력 SRAM)

  • 양병도;김이섭
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.41 no.8
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    • pp.93-98
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    • 2004
  • A low power SRAM using elevated source level memory cells is proposed to save the write power of SRAM. It reduces the swing voltages of the bit lines and data bus by elevating the source level of the memory cells from GND to $V_{T}$ and lowering the precharge level of the bit lines and data bus from $V_{DD}$ to $V_{DD}$ - $V_{T}$. It saves the write power of SRAM without area overhead and speed degradation. An SRAM with 8K${\times}$32bits is fabricated in a 0.25um CMOS process. It saves 45% of the power in write cycles at 300MHz with 2.5V. The maximum operating frequency is 330MHz.

A Selective Voltage Balancing Scheme of a Modular Multilevel DC-DC Converter for Solid-State Transformers (반도체 변압기용 모듈형 멀티레벨 DC-DC 컨버터의 선택적인 전압 균형 제어)

  • Lee, Eui-Jae;Kim, Seok-Min;Lee, Kyo-Beum
    • Journal of IKEEE
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    • v.23 no.2
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    • pp.652-658
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    • 2019
  • This paper proposes the selective voltage balancing scheme of a modular multilevel DC-DC converter for solid-state transformers. In general, the sub-module capacitor voltage can be controlled uniformly by individual feedback controllers, however computation time increases according to the number of modules. The voltage balance control scheme in this paper can reduce the computation time by selecting and controlling sub-module of maximum/minimum voltage momentarily. The performance of the proposed selective voltage balancing scheme is verified by simulation.

LDO regulator with improved regulation characteristics using gate current sensing structure (게이트 전류 감지 구조를 이용한 향상된 레귤레이션 특성의 LDO regulator)

  • Jun-Mo Jung
    • Journal of IKEEE
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    • v.27 no.3
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    • pp.308-312
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    • 2023
  • The gate current sensing structure was proposed to more effectively control the regulation of the output voltage when the LDO regulator occurs in an overshoot or undershoot situation. In a typical existing LDO regulator, the regulation voltage changes when the load current changes. However, the operation speed of the pass transistor can be further improved by supplying/discharging the gate terminal current in the pass transistor using a gate current sensing structure. The input voltage of the LDO regulator using the gate current sensing structure is 3.3 V to 4.5 V, the output voltage is 3 V, and the load current has a maximum value of 250 mA. As a result of the simulation, a voltage change value of about 12 mV was confirmed when the load current changed up to 250 mA.