Migration-enhanced epitaxy 성장한 InAs/GaAs 양자점(quantum dots)의 광학적 특성을 PL (photoluminescence)과 Time-resolved PL 이용하여 분석하였다. InAs 양자점은 In을 9.3초 공급하고 5초 차단한 후 As을 3초, 4초, 6초, 또는 9초 공급하고 5초 차단하는 과정을 3회 반복하여 성장하였다. As을 3초 공급한 시료의 PL 피크는 1,140 nm에서 나타나고, PL 세기는 다른 세 시료에 비해 매우 약하게 나타났다. As 공급시간을 3초에서 증가하였을 때 모든 PL 피크는 1,118 nm로 청색이동하여 나타났으며, PL 세기는 증가하였다. As을 6초 공급한 시료의 PL 세기가 가장 강하게 나타나고, 반치폭(full width at half maximum)도 가장 좁게 나타났다. 이러한 결과는 양자점의 밀도와 균일도(크기변화)로 설명된다. 또한 발광파장에 따른 PL 소멸시간은 PL 피크 근처에서 가장 길게 나타났다.
형광체로서 ZnS를 사용하고 BST 강유전체 박막을 절연체로 사용한 전계발광소자를 제작하고 그 특성을 조사하였다. 형광체로는 청색 및 녹색발광을 위해 각각 $ZnS:AgF_3$와 ZnS:$TbF_3$를 사용하였으며 적색을 위해 ZnS:Mn과 $ZnS:SmF_3$를 사용했다. 이들의 형광체가 증착 도중에 분해되는 것을 막기 위해 석영관에 그들을 각각 봉입해서 열처리하여 결정화시킨 후에 진공증착원으로 사용하였다. 한편 절연층으로 사용한 BST박막은 $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$세라믹스 타겟을 사용하여 마그네트론 스퍼터링 방법으로 제조하였다. 이때 기판온도, 분위기압 및 작동기체인 $Ar:O_2$의 비가 각각 $400^{\circ}C$, 30 mTorr 및 9:1이였다. 각 형광체의 두께는 150 nm씩 합계 600 nm였고, 절연층은 상부가 400 nm 및 하두가 200 nm이었다. 이와 같이 만든 박막 전계발광소자의 발광 문턱전압은 $75\;V_{rms}$이고, 최고 휘도는 $100\;V_{rms}$에서 $3200\;cd/m^2$이었다. 그리고 절연층의 유전상수는 1 kHz에서 254이다.
본 연구에서는 열화학기상증착법을 이용한 세슘계 무기 페로브스카이트의 성장기판에 따른 결정 구조의 변화 및 광학적 특성을 비교 분석하였다. 무기 페로브스카이트 결정은 CsBr과 PbBr2를 전구체로 사용하여 SiO2/Si와 c-Al2O3 기판 위에 동일한 조건으로 CsPbBr3를 성장하였다. 비정질 구조를 가진 SiO2 표면에서는 Cs4PbBr6-CsPbBr3 혼합상의 결정 입자가 성장하였으며, 단결정 구조인 c-Al2O3 기판에서는 CsPbBr3 (100) 결정 면방향이 우세한 단일상의 박막이 형성되었다. 광학적 분석 결과 CsPbBr3는 약 91 meV의 반치폭을 갖고 약 534 nm 중심의 발광특성을 보였으며, Cs4PbBr6-CsPbBr3 혼합구조에서는 청색 변이에 의해 523 nm의 발광 및 6.88 ns의 빠른 광 소결시간을 확인하였다. 열화학기상증착법을 이용한 페로브스카이트의 결정구조의 제어 및 광특성의 변화는 디스플레이, 태양 전지, 광센서 등 다양한 광전 소자에 적용할 수 있을 것으로 기대된다.
We studied white organic light-emitting diodes using blue fluorescent and red phosphorescent materials. White single OLEDs were fabricated using SH-1 : BD-2 (3 vol.%) and CBP : $Ir(mphmq)_2(acac)$ (2 vol.%) as emitting layer (EML). The white single OLED using SH-1 : BD-2 (3 vol.% 8 nm) / CBP : $Ir(mphmq)_2(acac)$ (2 vol.% 22 nm) as emitting layer showed maximum current efficiency of 8.8 cd/A, Commission Internationale de l'Eclairage (CIE) coordinates of (0.403, 0.351) at $1,000cd/m^2$, and variation of CIE coordinates with ($0.402{\pm}0.012$, $0.35{\pm}0.002$) from 500 to $3,000cd/m^2$. The white tandem OLED using SH-1 : BD-2 (3 vol.% 12 nm) / CBP : $Ir(mphmq)_2(acac)$ (2 vol.% 18 nm) showed maximum efficiency of 19.6 cd/A, CIE coordinates of (0.354, 0.365) at $1,000cd/m^2$, and variation of CIE coordinates with ($0.356{\pm}0.016$, $0.364{\pm}0.002$) from 500 to $3,000cd/m^2$. Maximum current efficiency of the white tandem OLED was more twice as high as the single OLED. Our findings suggest that tandem OLED was possible to produce improved efficiency and excellent color stability.
In this study, we fabricated a polymer light emitting diode (PLED) and investigated its electrical and optical characteristics in order to examine the effects of the PFO [poly(9,9-dioctylfluorene-2-7-diyl) end capped with N,N-bis(4-methylphenyl)-4-aniline] concentrations in the emission layer (EML). The PFO polymer was dissolved in toluene ranging from 0.2 to 1.2 wt%, and then spin-coated. To verify the influence of the TPBI [2,2',2"-(1,3,5-Benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole)]electron transport layer, TPBI small molecules were deposited by thermal evaporation. The current density, luminance, wavelength and current efficiency characteristics of the prepared PLED devices with and without TPBI layer at various PFO concentrations were measured and compared. The luminance and current efficiency of the PLED devices without TPBI layer were increased, from 117 to $553\;cd/m^2$ and from 0.015 to 0.110 cd/A, as the PFO concentration increased from 0.2 to 1.0 wt%. For the PLED devices with TPBI layer, the luminance and current efficiency were $1724\;cd/m^2$ and 0.501 cd/A at 1.0 wt% PFO concentration. The CIE color coordinators of the PLED device with TPBI layer at 1.0 wt% PFO concentration showed a more pure blue color compared with the one without TPBI, and the CIE values varied from (x, y) = (0.21, 0.23) to (x, y) = (0.16, 0.11).
$LuNbO_4:0.2Yb^{3+},xTm^{3+}$ powders were prepared using a solid-state reaction process. The effects of the amount of Tm on up-conversion(UC) and down-conversion(DC) luminescence properties are investigated. X-ray diffraction patterns confirm that $Yb^{3+}$ and $Tm^{3+}$ ions are successfully incorporated into Lu sites. Under 980 nm excitation, the UC spectra of the powders predominantly exhibit strong near-infrared emission bands that peak at 805 nm, whereas weak 480 nm emission bands are observed as well. The emission bands are assigned to the $^1G_4{\rightarrow}^3H_6$ (480 nm) and 3 $^3H_4{\rightarrow}^3H_6$ (805 nm) transitions of the $Tm^{3+}$ ions via an energy transfer from $Yb^{3+}$ to $Tm^{3+}$; two- and three-photon UC processes are responsible for the 805 and 480 nm emissions, respectively. The DC emission spectra exhibit blue emission ($^1D_2{\rightarrow}^3F_4$) of $Tm^{3+}$ at 458 nm. The amount of Tm affects the emission intensity with the strongest emissions at x = 0.007 and 0.02 for the UC and DC luminescence, respectively. The results demonstrate that $LuNbO_4:Yb^{3+},Tm^{3+}$ phosphors are suitable for bio-applications.
Organic electroluminescent devices are light-emitting diodes in which the active materials consist entirely of organic materials. Recently, many fluorescent organic materials have been reported and the study on synthesis and application of new organic light-emitting materials has been demanded. This paper reports the optical and electrical characteristics of OLEDs using novel polymers containing biphenyl structure. First, Optical properties of novel light-emitting biphenyl derivatives doped with poly(9-vinyl carbazole)(PVK) and emitted blue, bluish green color, which is attributed to the overlap area between PL spectrum of host(PVK) and absorption spectra of guests(polymer). This is correspondent with F$\"{o}$rster energy transfer process in the blends. And, OLED devices were fabricated using poly (3,4-ethylenedioxy thiophene) (PEDOT) as a hole injection material and tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum ($Alq_3$) as an electron transporting material. EL devices fabricated as ITO/PEDOT/PVK doped with biphenyl derivatives/$Alq_3$/Li:Al and I-V-L chatacteristics and emitting efficiency of EL devices were examined. Finally, the drift mobility of PVK doped with biphenyl derivatives and $Alq_3$ were measured by TOF technique varying applied electric field. EL efficiency was increased as the ratio of hole mobility of PVK doped with biphenyl derivatives and electron mobility of $Alq_3$ was close to one.
식물묘의 생장 및 형태형성 제어용 인공광원으로서 조합광 LED 모듈을 제작하여 조합광 LED모듈의 광전기 특성을 분석하고, 광량자 센서와 분광광도계를 이용하여 LED 모듈로부터 조사된 광량자속에 대한 정량화를 시도하였다. 청색과 적생의 단색광 LED로부터 조사된 광량자속을 광량자센서로 측정한 값과 분광광도계로 측정하여 수치적으로 적분한 값을 qly한 결과 거의 일치하는 것으로 나타났다. 이러한 결과는 광량자센서로서 측정이 불가능한 원적색광 LED로부터의 광량자속 정량화에 분광광도계를 적용될 수 있음을 의미하는 것이다. 적생광에 원적색광을 조사하는 LED스틱의 혼합 비율을 달리한 조합광 LED 모듈의 광량지속은 원적색광을 조사하는 LED 스틱이 증가할수록 조합광 LED의 광량자속이 조금씩 증가하였다. 이러한 결과는 단위에너지당 조사된 광량지수는 파장에 비례해서 증가히기 때문인 것으로 해석된다. 이밖에 적색과 원적색광 LED 스틱의 조합 비율을 달리하였을 때 조합광 LED 모듈의 조도는 비시감도가 매우 낮은 원적색광이 차지하는 비율이 클수록 낮게 나타났다. 한편 적색광과 원적생광의 혼합 정도가 조합광 LED의 복사조도에 미치는 영향은 거의 없는 것으로 나타났다.
To obtain the blue emission of powder electroluminescent device, the emission properties of ZnS:Cu were estimated by the variation of applied frequency and the addition of dye to ZnS:Cu phosphor. The variation of applied frequency was from 400 to 4kHz and the addition ratio of dye was from 0 to 5 weight percent respectively. The increment of applied frequency made that emission peaks were shifted from 500.5nm and 460nm at 400Hz to 490nm and 450nm at 4kHz. CIE coordinate system was shifted from x=0.1647, y=0.3711 at 400Hz to x=0.1543, y=0.1856 at 4kHz. On the basis of applied voltage 100V, 400Hz, the increment of addition ratio of dye also made that emission peak was shifted from 505nm(0wt%) to 490nm(5wt%) and the CIE coordinate system was shifted from x=0.1647, y=0.3711(0wt%) to x=0.1334, y=0.2363 (5wt%). The brightness was increased from 60 cd/$m^2$(400Hz) to 174 cd/$m^2$(4kHz) with increment of frequency. When the addition ratio of dye was above 1wt%, the brightness was decreased below 42% of initial brightness and changed from 60 cd/$m^2$(0wt%) to 20.84 cd/$m^2$(5wt%).
GaN계 청색 여기용 광원으로 최적인 $Y_{3}AI_{5}O_{12}:Ce$계 phosphor를 고상반응으로 제조하여 white LED용 yellow 형광체로 신뢰성을 검토하였다. 출발시료는 metal hydrous oxide로 합성한 분말에 활성제로서 $Ce^{3+}$ 이온의 농도를 변화시키면서 로내의 온도와 시간을 변수로 하여 형광체를 제조하였다. 그 결과 $1650^{\circ}C$에서 2시간 소성시킨 분말의 경우, 입자 크기가 $3{\mu}m$이하인 순수 YAG 형광체를 얻을 수 있었으며 $Ce^{3+}$이온농도를 변화시킨 결과 0.03~0.05mol% 일 때가 가장 우수하여 해외제품수준을 능가하는 우수한 발광특성을 나타내었다. 이때 CIE1931 색좌표 값은 x=0.385, y=0.433으로서 green yellow 색을 나타내었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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