• 융합정보논문지
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• 제11권7호
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• pp.104-110
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• 2021

본 핀 채널 전계 효과 트랜지스터에서 낮은 소스/드레인 직렬 저항을 위한 새로운 선택적 산화 방식을 제안하였다. 이 방법을 이용하면, gate-all-around 구조와 점진적으로 증가되는 형태의 소스/드레인 확장영역을 갖는 핀 채널 MOSFET를 얻을 수 있다. 제안된 트랜지스터는 비교 소자에 비해 70% 이상의 소스/드레인 직렬 저항의 감소를 얻을 수 있다. 또한, 제안된 소자는 단채널 효과를 억제하면서도 높은 구동 전류와 전달컨덕턴스 특징을 보인다. 제작된 소자의 포화전류, 최대 선형 전달컨덕턴스, 최대 포화 전달컨덕턴스, subthreshold swing, 및 DIBL은 각각 305 ㎂/㎛, 0.33 V, 13.5 𝜇S, 76.4 𝜇S, 78 mV/dec, 62 mV/V의 값을 갖는다.

• 벤처창업연구
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• 제11권3호
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• pp.177-187
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• 2016

연구의 목적은 동일 조직에서 대면채널사원의 영업성과 차이의 이유와 인적네트워크 및 지식수준이 영업성과에 미치는 영향에 대해 살펴보고 회사가 대면채널조직을 어떻게 관리하고 양성해야 하는지 알아보고자 하였다. 연구문제로는 대면채널사원의 인적네트워크와 지식수준이 영업성과에 미치는 영향과 역량개발 태도의 조절효과를 분석했다. 그 결과 인적네트워크 및 지식수준은 영업성과에 정의 영향을 미치며 일에 대한 태도의 조절효과 측면에서 인적네트워크 조직화노력은 기각되었지만 유지에 관한 태도는 영업성과에 양(+)의 조절효과가 있는 것으로 나타났다. 분석결과, 대면채널사원의 지식수준과 인적네크워크 수준이 높을수록 영업성과가 좋아지는 결과를 보인 만큼 보험사의 경쟁력 강화를 위해 핵심 대면채널사원에 대한 교육과 인적네트워크 형성을 지원하여 그들이 고능률화 될 수 있도록 해야 함을 있음을 알 수 있었다. 본 연구는 같은 조직 내에서 유사한 인프라 자원을 공유함에도 대면채널사원의 영업성과의 성과 차이가 왜 나는지 연구하였으며 향후 조직성과 향상을 연구하는데 참고자료가 되고자 하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.805-811
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• 2012

본 연구에서는 이중게이트(Double Gate; DG) MOSFET에서 채널 내 전자분포에 대한 전도중심의 이동을 분석하고자 한다. 이를 위하여 기존에 발표되어 타당성이 입증된 포아송방정식의 해석학적 전위분포 모델을 이용할 것이다. 이중게이트 MOSFET의 경우 두개의 게이트전압에 의한 전류제어능력의 증가로 단채널 효과를 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. 단채널효과는 주로 문턱전압영역을 포함한 문턱전압이하 영역에서 발생하므로 문턱전압이하 영역에서의 전송특성을 분석하는 것은 매우 중요하다. 또한 전송특성은 채널 내 전자의 분포 및 전도 중심의 변화 등에 영향을 받는다. 그러므로 본 연구에서는 채널 내 전자분포의 변화가 전도중심에 미치는 영향을 채널도핑농도, 도핑분포함수 그리고 채널의 크기 등에 따라 분석할 것이다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제22권1호
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• pp.30-37
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• 2011

본 논문에서는 LTE-Advanced 상향 링크 시스템을 위한 적응적 채널 추정을 통한 고속 ICI 제거 알고리즘을 제안한다. 시변 채널 환경에서 위상 잡음과 반송파 주파수의 영향을 효과적으로 제거하기 위해서 comb type 파일럿을 사용하였다. 본 논문의 목적은 기존의 PNFS(Phase Noise & Frequency offset Suppression) 알고리즘보다 계산상의 복잡도를 줄여서 시스템 처리 속도의 향상을 가져오는 것이다. 중복되거나 불필요한 계산을 줄여서 계산상의 복잡도를 줄였다. 또한, 효과적으로 다중 경로 채널을 추정하기 위한 방법을 제안한다. 제안하는 적응적 채널 추정 방법을 이용하여 다중 경로 채널을 효과적으로 추정하고 보상한다. 제안된 방법이 Vehicular A 채널 환경에서 BER이 약 0.5 dB 정도 성능이 더 좋다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제20권7호
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• pp.1311-1316
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• 2016

본 연구에서는 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이에 따른 문턱전압이동에 터널링전류가 미치는 영향을 분석하고자 한다. 채널길이가 10 nm 이하로 감소하면 터널링 전류는 급격히 증가하여 문턱전압이동 등 2차효과가 발생한다. 단채널 효과를 감소시키기 위하여 개발된 비대칭 이중게이트 MOSFET의 경우에도 터널링 전류에 의한 문턱전압이동은 무시할 수 없게 된다. 차단전류는 열방사전류와 터널링 전류로 구성되어 있으며 채널길이가 작아질수록 터널링전류의 비율은 증가한다. 본 연구에서는 터널링 전류를 분석하기 위하여 WKB(Wentzel-Kramers-Brillouin) 근사를 이용하였으며 채널 내 전위분포를 해석학적으로 유도하였다. 결과적으로 단채널 비대칭 이중게이트 MOSFET에서는 채널길이 가 작아질수록 터널링 전류의 영향에 의한 문턱전압이동이 크게 나타나고 있다는 것을 알 수 있었다. 특히 하단게이트 전압 등에 따라 터널링 전류에 의한 문턱전압 값은 변할지라도 문턱전압이동은 거의 일정하였다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제19권11호
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• pp.2643-2648
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 도핑농도분포에 대한 드레인유도장벽감소(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)에 대하여 분석하고자한다. DIBL은 드레인 전압에 의하여 소스 측 전위장벽이 낮아지는 효과로서 중요한 단채널 효과이다. 이를 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였으며 전위분포에 영향을 미치는 채널도핑농도의 분포함수변화에 대하여 DIBL을 관찰하였다. 채널길이, 채널두께, 상하단 게이트 산화막 두께, 하단 게이트 전압 등을 파라미터로 하여 DIBL을 관찰하였다. 결과적으로 DIBL은 채널도핑 농도분포함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 변화를 나타냈다. 특히 두 변수에 대한 DIBL의 변화는 최대채널도핑농도가 $10^{18}/cm^3$ 정도로 고도핑 되었을 경우 더욱 현저히 나타나고 있었다. 채널길이가 감소할수록 그리고 채널두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였으며 하단 게이트 전압과 상하단게이트 산화막 두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였다.

• 경영정보학연구
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• 제20권4호
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• pp.59-78
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• 2018

다양한 디바이스 유형과 마케팅 커뮤니케이션의 등장으로 온라인 환경에서 고객들의 탐색 및 구매 행동은 더욱 세분화 되었다. 하지만 기존 연구들은 고객 구매여정에서의 마케팅 채널 효과를 분석하는 과정에서 디바이스 종류에 따라 드러나는 UI(User Interface)와 UX(User Experience) 특성을 반영하지 못하였다. 본 연구는 글로벌 쇼핑몰의 대규모 클릭스트림 데이터를 활용하여 다양한 디바이스를 사용하는 고객들의 유입 채널 효과를 분석하였다. 온라인 쇼핑을 활성화 시키는 디바이스 유형을 구별하고, 디바이스 유형에 따라 방문을 증진시키는 유입 채널 간의 차이를 비교하였다. 고객의 과거 쇼핑 누적 경험과 유입 채널 전환 행태를 통해 방문과 구매액 미치는 직접효과 간접효과를 판별하였다. 그 결과 동일한 고객이더라도 디바이스 선택에 따라 활용하는 마케팅 채널이 달라지는 것을 발견할 수 있었다. 온라인 소매업체는 이러한 결과를 통해 디바이스 유형을 고려하여 멀티 마케팅 채널 환경에서의 고객 의사결정과정을 더욱 잘 이해하고 최적의 전략을 세울 수 있을 것이다. 본 연구는 실제 글로벌 빅 데이터를 분석하여 얻어진 유의미한 결과를 기반으로 경영학적 시사점을 도출하고, 계량 경제 모델을 활용하여 의미 있는 이론적립에 학문적으로 기여한다. 실제 온라인 쇼핑 마케팅 담당자들이 시도할 수 있는 전략적 통찰력을 제시한다는 점에서 실용적으로 활용할 가치가 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.446-446
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• 2012

최근 반도체 칩의 트랜지스터 집적화 기술이 발달됨에 따라 dynamic random access memory(DRAM)의 memory cell 영역을 작게 만들어야 하는 문제가 제기되고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서 대체 기술이 끊임없이 연구되고 있는 가운데 하나의 트랜지스터와 하나의 캐패시터로 구성된 기존의 DRAM에서 캐패시터가 없이 하나의 트랜지스터만으로 이루어진 1T-DRAM 소자의 연구가 활발히 진행되고 있다. 이는 기존 DRAM의 구조에 비해 캐패시터가 필요하지 않아 복잡한 공정이 줄어들어 소자 제작이 용이하며, 더 높은 집적도를 구현할 수 있는 장점이 있다. 일반적인 planar 타입의 1T-DRAM의 경우 소스 및 드레인과 기판과의 접합면에서 누설 전류가 큰 특징을 가지며 소자의 집적화에 따른 단 채널 효과가 발생하게 되는데, 본 연구에서는 이러한 문제점을 해결하기 위해서 유효 채널 길이를 늘려 단 채널 효과에 의한 영향을 감소시키고, 소스 및 드레인과 기판과의 접합면을 줄여 누설 전류를 줄일 수 있는 recessed 채널 타입의 1T-DRAM을 제작하였다. 1T-DRAM의 메모리 구동방법에는 여러 가지가 있는데 본 연구에서는 impact ionization (II)을 이용한 방법과 gate induced drain leakage (GIDL)을 이용한 방법을 사용하여 1T-DRAM의 채널구조에 따라 어떠한 구동방법이 더 적합한지 평가하였고, 그 결과 recessed 채널 1T-DRAM의 동작은 II 에 의한 측정 방법이 더 적합한 것으로 보여졌다.

• 방송공학회논문지
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• 제5권1호
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• pp.130-138
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• 2000

본 논문에서는 인터넷/인트라넷 환경에 사용할 수 있으며 인터넷 방송 기능을 제공하는 푸시 시스템을 개발하면서 다수 사용자를 수용하기 위한 방안을 연구하였다. 특히 사용자 접속에 따른 푸시서버의 부하량 증가와 접속빈도에 의한 푸시서버의 분산효과를 분석하였다. 분산된 상태에서 채널을 공유하기 위한 방법으로 공통채널과 지역채널로 구분하여 푸시서버마다 공통채널을 복제하는 방식으로 대규모 사용자를 분산 수용하면서 정보 취득에 어려움이 없도록 하였으며 분산 푸시서버에서 채널연동을 효과적으로 수행하기 위한 알고리즘을 고안하게 되었다.

• 정보처리학회논문지C
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• 제15C권4호
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• pp.263-272
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• 2008

최근에 들어서 WiBro는 무선상에서 효과적인 실시간 방송을 지원하기 위해 개발되어 가고 있으며, WiBro상에서 MBS (Multicast Broadcast Service)는 DMB와 같은 다양한 애플리케이션들을 제공하고 있다. 하지만 현재의 MBS는 스케줄 방식인 공용채널만을 사용하기 때문에 다수의 사용들을 동시에 효과적으로 수용 할 수 없게 된다. 그러므로 본고에서는 채널 모드를 공용채널과 공용채널을 알맞게 전환할 수 있는 새로운 카운팅 기법(counting scheme)을 제안한다. 따라서 제안한 카운팅 기법은 WiBro상에서 MBS통해 무선 자원을 효과적으로 할당할 수 있도록 한다.