• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.8 no.3
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• pp.424-430
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• 1998

Film characteristics of thin ONO dielectric layers for MONOS (metal-oxide-nitride-oxide-semiconductor) EEPROM was investigated by AES, SIMS, TEM and AFM. The ONO films with different dimension of tunneling oxide, nitride, and blocking oxide were fabricated. During deposition of the LPCVD nitride films on tunneling oxide, this thin oxide was nitrized. When the blocking oxide were deposited on the nitride film, the oxygen not only oxidized the nitride surface, but diffused through the nitride. The results of ONO film analysis exhibits that it is made up of $SiO_2$(blocking oxide)/O-rich SiOxNy (interface)/ N-rich SiOxNy(nitride)/O-rich SiOxNy(tunneling oxide). In addition, the SiON phase is distributed mainly near the tunneling oxide/nitride and nitride/blocking oxide interfaces, and the $Si_2NO$ phase is distributed mainly at nitride side of each interfaces and in tunneling oxide.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.4 no.2
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• pp.175-184
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• 1991

급속 열처리 방법으로 두께가 약 80.angs.C인 산화막을 성장시킨 후 950.angs.C와 1150.angs.C의 온도에서 15초-120초 동안 질화 및 재산화 공정을 수행하여 초 박막 구조의 질화 및 재산화된 질화 산화막을 성장하였다. 성장한 질화산 화막과 재 산화된 진화 산화막의 전기적 특성은 C-V, I-V, 전하 포획 및 TDDB 측정등을 통하여 분석하였다. 측정된 소자의 특성으로부터 질화 조건이 950.angs.C, 60초이고 재산화 조건이 1150.angs.C, 60초인 재산화된 질화 산화막은 전기적 스트레스 인가후에 전하 포획에 의한 평탄전압변화(.DELTA. $V_{fb}$ )와 계면 상태밀도( $D_{itm}$)의 증가가 산화막보다 적은 우수한 특성을 나타내는 것을 알 수 있었다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.1 no.3
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• pp.243-250
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• 1988

530A의 질화막과 23A의 엷은 산화막두께로 제작된 MNOS 소자의 기억트랩분포와 기억특성을 TSC방법과 C-V방법으로 조사하였다. 소자는 전기적으로 기억갱신이 가능하며 무전압유지가 반영구적임을 확인하였다. 기억트랩에 해당하는 TSC곡선을 분석하는데는 공간적, 에너지적인 트랩의 분포모형을 가정하고 best fitting법을 사용하였다. 그 결과 기억트랩은 질화막-산화막 계면에서 질화막안으로 10A 깊이로 분포되었으며 에너지준위는 질화막전도대 하단에서 2.35-2.38eV로 분포되어 있음을 밝혔다. 또한 방전기구는 산화막층을 통한 직접터널링과 열적여기를 함께 고려하여 설명할 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.176-176
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• 2011

실리콘 질화막($Si_3N_4$)과 산화막($SiO_2$)은 반도체 소자를 구성하는 물질 중 가장 널리 사용되는 유전 또는 절연물질이다. 이러한 실리콘 산화막과 질화막은 적용할 소자에 따라 다양한 CVD나 ALD 공정을 기반으로 제조한다. 증착공정 개발에 있어 실리콘 증착소재가 성공여부를 결정하는 근간이 되며, 이는 실리콘 증착소재의 특성에 따라 증착된 산화막과 질화막의 물성이 크게 변하기 때문이다. 실리콘 증착소재 개발을 위해서 국내외 증착소재 합성업체가 노력을 기울이고 있지만 개발된 증착소재의 특성을 정확히 진단하기 위한 기술이 뒷받침되지 않아 개발 효율이 높지 않은 것이 현실이다. 한국표준과학연구원 내 진공기술센터에서는 이러한 실리콘 증착소재의 특성, 특히 반응성을 평가하기 위한 기술 및 시스템을 개발하고 이를 활용하고 있다. 본 연구에서는 적외선 분광법을 이용하여 개발된 증착소재의 기상 열적안전성 및 반응기체에 따른 반응성을 실시간으로 진단하였다. 반응기체로는 산화막을 증착하기 위해 가장 많이 사용되는 $H_2O$와 질화막을 증착하기 위해 가장 많이 사용되는 $NH_3$를 사용하였다. 각 반응기체의 유량별, 가스셀 온도, 압력 등의 반응조건의 변화에 따른 실리콘 증착소재의 반응성 및 안정성을 평가하고 기존에 양산용으로 소자제조에 사용되고 있는 증착소재와 비교평가를 수행하였다.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.11 no.5
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• pp.473-478
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• 2016

In this paper, the MIS(: Metal-Insulator-Semiconductor) Capacitor with the nitrided-oxide by RTP are fabricated to investigate the carrier trap parameters due to avalanche electron injection. Two times turn-around phenomenon of the flatband voltage shift generated by the avalanche injection are observed. This shows that electron trapping occurs in the oxide film at the first stage. As the electron injection increases, the first turn-around occures due to a positive charge in the oxide layer. After further injection, the curves turns around once again by electron captured. Based on the experimental results, the carrier trapping model for system having multi-traps is proposed and is fitting with experimental data in order to determine trap parameter of nitrided-oxide.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.3 no.4
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• pp.352-360
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• 1993

A nitride layer was df'posited on the thermal oxide layer by LPCVD process. ONO(oxidenitricle oxide) capacitors with various thickness of component layer wore fabricated by wet reoxidation of the nitride with and without anrwalmg treatment and their properties were investigated. As a result of observation on the refrative index and etching behavior of the ONO fIlms, the nitride layer OF 40 A thick ness was not so dense that the bottom oxide during the reoxidation process and the capability of securing the capacitance decreased. The conduction current in the ONO multl-Iayer dielctric film was reduced as the bottom(or top) oxide layer became thicker. However, in the case of oxide with thickness more than 50A, it merely plays a factor of reduction in capacitance, and the effect of barrier for hole injection was not so much increased. Annealing of the nitride laypr bpfore reoxidation did not show a grpat effects on the refractive index and capacitance of the film, however, the annealing process increased the breakdown voltage by 2${\cdot}$V.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2007.11a
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• pp.142.1-142.1
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• 2007

• The KIPS Transactions:PartA
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• v.15A no.4
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• pp.211-216
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• 2008

In this paper we fabricated and measured the $0.26{\mu}m$ NMOSFET with wet gate oxide and nitride oxide gate to compare that the charateristics of hot carrier effect, charge to breakdown, transistor Id_Vg curve, charge trapping, and SILC(Stress Induced Leakage Current) using the HP4145 device tester. As a result we find that the characteristics of nitride oxide gate device better than wet gate oxide device, especially hot carrier lifetime(nitride oxide gate device satisfied 30 years, but the lifetime of wet gate oxide was only 0.1 year), variation of Vg, charge to breakdown, electric field simulation and charge trapping etc.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.3
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• pp.220-227
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• 1993

본 논문에서는 산화막의 두께가 23.angs.이며 질화막의 두께를 각각 530.angs., 1000.angs.으로한 캐패시터형 MNOS소자를 제작하고 기억특성을 비교, 분석하였다. 특성조사를 위해 자동 .DELTA. $V_{FB}$ 추적장치를 설계, 제작하여 사용하였다. 기억트랩밀도는 질화막 두께 530.angs.인 소자가 1000.angs.인 소자보다 0.18 x $10^{16}$ $m^{-2}$ 크며, 0.31 x $10^{8}$ V/m 낮은 산화막 전기장에서 전자가 주입되었으며 $10^{4}$sec경과후 포획전자의 유지율도 우수하였다. 또한 포획된 전자는 실리콘쪽으로의 역터넬링으로 인한 감쇠가 우세하게 나타났다. 펄스전압 인가에 따른 플랫밴드전압의 변화가 선형적으로 증가하는 영역에서는 산화막 전류가 지배적이었으며 포화하다 감소하는 영역에서는 질화막 전류의 영향이 컸다. 소거동작은 포획된 전자의 방출과 실리콘으로 부터의 정공주입이 동시에 일어남을 관측하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2005.07c
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• pp.2401-2403
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• 2005

MEMS를 기반으로 하는 써모파일은 여러 산업분야에 측정 센서로 각광받고 있다. 이러한 써모파일은 유속, 가스, 칼로리미터 및 비접촉식 체온계 등의 적외선 및 열 측정 소자로 사용되고 있다. 기존의 써모파일은 산화막/질화막/산화막이나 혹은 산화막/질화막의 공정을 사용하여 제작되며, 열전쌍은 지벡 계수가 큰 여러 가지 물질을 사용하여 제작되어 발표되고 있다. 그러나 본 논문에서는 저 스트레스 질화막을 사용하여 다이어프램을 제작하였다. 열전쌍은 인을 주입한 다결정 실리콘과 알루미늄을 직렬로 연결하여, 60쌍으로 제작하였고, 또한, 열접점의 열전쌍의 접합 모양을 변경하여 감도를 증가 시켰다. 소자의 기는 $3{\times}3mm$이고, 활성영역은 $1{\times}1mm$이다. 그리고 출력은 사람 체온인 $37^{\circ}C$일 때, 0.403mV의 출력전압을 보였다.