• Title/Summary/Keyword: 직접접합

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Digital Restoration of Missing Parts and Production of Three-dimensional Printed Replicas the Stone Buddhas in Four Directions in Hwajeon-ri, Yesan, Korea (예산 화전리 석조사면불상의 결손부 디지털 복원 및 3차원 프린팅 복제모형 제작)

  • Lee Seungjun;Jo Younghoon;Kim Jiho;Cho Hyosik
    • Conservation Science in Museum
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    • v.29
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    • pp.99-110
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    • 2023
  • The stone fragments that are missing from the stone cultural heritage have limited use beyond being directly fitted to identify their original position, as they are relatively heavy and bulky, and there is the further risk of secondary physical damage during manual work. Therefore, in this study, morphological relationships between the missing parts and the stone fragments were identified through digital restoration, and a three-dimensional (3D) printed replica was created for use at the exhibition for Stone Buddhas in Four Directions in Hwajeon-ri, Yesan, where 72 stone fragments had been excavated together. First, for the digital restoration, stone fragments of similar shapes were selected after the coordinates of the 3D scanning model were aligned in virtual space. In addition, the stone fragments were printed using a 3D printer to check whether they were physically related to the missing parts. Thus, the original positions of a total of nine stone fragments were identified. To utilize these research results in the exhibition, a 1:1 replica of the Stone Buddhas in Four Directions was produced using 3D printing technology, and the nine stone fragments were also restored to their original positions. The digital technology used in this study is of great importance in that it not only made up for the limitations of the direct manual method but also suggested the possibility of expanding its application to the fields of documentation, restoration, and replication of similar cultural heritage.

Optical Gain of AIGaN/GaN DH at Room-Temperature (실온에서 AIGaN/GaN DH의 광학이득)

  • ;;H. Amano;I. Akasaki
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 1994.11a
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    • pp.97-97
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    • 1994
  • Wide gap 반도체 중 하나인 GaN 에너지갭이 실온에서 3.4eV 이고 직접천이형 에너지대 구조를 가지므로 청색 및 자외영역의 파장을 발광하는 발광다이오드와 바도체 레이저 다이오드의 제작에유용한 재료이다. GaN계 III족 질화물반도체가 다파장용 광원으로서 유망함을 보인 것은 1970년대 초방의기초적 연구이다. 이로부터 약 25년이 경고한 현재 청색발광다이오드가 실용화당계에 이르게 되었지만 아직까지 전류주입에 의한 레이저발진은 보고되고있지 않다. 이 논문에서는 ALGaN/GaN이중이종접합(DH) 구조의 광여기에 의한 유도방출과 광학적 이득을 측정하므로서 전류주입에의한 레이저발진의 가능성을 조사하였다. 유기금속기상에피텍셜(MOVPE)법으로 성장한 ALGaN/GaN DH구조의 표면에 수직으로 펄스발진 질소레이저(파장:337.1nm, 주기:10Hz, 폭: 8nsec) 빔의 공출력밀도를 변화시키어 조사하고 시료의단면 혹은 표면으로부터 방출되는 광 스펙트럼을 측정하였다. 입상광밀도가 증가함에 따라 자연방출에 의한 발광피크보다 낮은 에너지에서 발광강도가 큰 유도방출에 의한 피크가 370nm의 파장에서 현저하게 나타났으며 실온에서 유동방출에 필요한 입사공밀도의 임계치는 약 89㎾/$\textrm{cm}^2$이었다. 이는 GaN 단독층에 대한 유동방출의 임계치 700㎾/$\textrm{cm}^2$ 에 비하여 약 1/8정도 낮은 것이며, 이를 전류밀도로 환산하면 약 27㎄/$\textrm{cm}^2$ 정도로서 전류주입에 의하여서도 레이저발진을 실현할 수 있는 현실적인 값이다. 한편 광여기 방법으로 측정한 광학적 이득은 입사광의 밀도가 각각 100㎾/$\textrm{cm}^2$과 200㎾/$\textrm{cm}^2$일 때 34$cm^{-1}$ / 과 160 $cm^{-1}$ / 이었다. 이와 같은 결과는 GaN의밴드단 부근의 파장영역에서 AIGaN 흔정의 굴절율이 GaN의 굴절율보다 작으므로 DH구조의 채택의 의한 광의 몰입이 가능하여 임계치가 저하된 것으로 여겨진다. 또한 광학적 이득의 존재는 이 구조에 의한 극단파장 반도체 레이저다이오드의 실현 가능성을 나타내는 것이다.

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Polarization of Stimulated Emission from Optically Pumped AIGaN/GaInN DH (AIGaN/GaInN DH의 광여기 유도방출광의 편광)

  • ;;H. Amano;I. Akasaki
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 1994.11a
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    • pp.98-98
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    • 1994
  • 최근 청색반도체레이저의 실현을 위하여 ZnSe가 대표하는 II-Ⅵ족 화합물반도체와 Gan가 대표하는 III족 질화물반도체분야에서 집중적인 연구가 이루어지고 있으며, 아직까지 실용화 되지 않고 있는 청색반도체레이저의 출현에 대하여 많은관심이 모아지고 있다. III족 질화물반도체는 InM(Eg:1.9eV)부터 AIN(Eg: 6.2eV)에 이르기까지 전 조성영역에서 완전한 고용체를 이루며, 실온에서 직접천이형 에너지 대구조를 가지므로 청색 혹은 자외영역에서 동작하는 발광소자를 제작하는데 있어 유망시 되고 있는 소재이다. 특히 GaN와 InN의 3원흔정인 GaInN를 활성층으로 이용하면 그 발전파장을 370nm부터 650nm까지 즉 가시 전 영역으로부터 근 자외영역을 포함할 수 있게 된다. 이 연구에서는 AIGaN/GaInN 이중이종접합(DH) 구조의 고아여기에 의한 유도방출고아의 편광 특성을 조사하였다. 유기금속기상에피텍셜(MOVPE)법으로 성장한 AIGaN/GaInN DH 구조의 표면에 수직으로 펄스 발진 질소레이저(파장: 337.1cm, 주기 10Hz, 폭: 8nsec) 빔을 조사하고 DH구조의 단면으로부터의 유도방출광을 편광기를 통과 시킨 후 스펙트럼을 측정하였다. 입사고아 밀도가 증가함에 따라 약 402nm의 파장에서 유도발출에 의한 가도가 큰 피크가 나타났고, 그 반치폭은 약 18meV이었다. 실온에서 AIGaN/GaInN DH 구조로 부터의 유도방출에 필요한 입사광밀도의 임계치는 약 130㎾/$\textrm{cm}^2$이었다. 한편 편광각이 90$^{\circ}$일때는 발광스펙트럼의 강도가 매우 낮고 단지 자연방출에 의한 스펙트럼만이 나타났다. 편광각이 0$^{\circ}$일 때 최대의 방출광 강도를 나타내었으며, 편광각이 -90$^{\circ}$로 회전함에 따라 발고아강도의 강도가 감소하였다. 이와 같은 결과는 광여기에 의하여 AIGaN/GaInN DH 로 부터의 유도방출광이 GaInN활성층의 단면에 평행한 전기장의방향으로, 즉 TE모드로 선형적으로 편광됨을 의미한다. AIGaN/GanN DH 로 부터의 유도방출이 선형적으로 TE모드로 편광되는 것은 이 구조를 이용한 청색 및 자외선 반도체 레이저다이오드의 실현에 매우 유익한 것이다.

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Effects of Wafer Cleaning and Heat Treatment in Glass/Silicon Wafer Direct Bonding (유리/실리콘 기판 직접 접합에서의 세정과 열처리 효과)

  • 민홍석;주영창;송오성
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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    • v.15 no.6
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    • pp.479-485
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    • 2002
  • We have investigated the effects of various wafers cleaning on glass/Si bonding using 4 inch Pyrex glass wafers and 4 inch silicon wafers. The various wafer cleaning methods were examined; SPM(sulfuric-peroxide mixture, $H_2SO_4:H_2O_2$ = 4 : 1, $120^{\circ}C$), RCA(company name, $NH_4OH:H_2O_2:H_2O$ = 1 : 1 : 5, $80^{\circ}C$), and combinations of those. The best room temperature bonding result was achieved when wafers were cleaned by SPM followed by RCA cleaning. The minimum increase in surface roughness measured by AFM(atomic force microscope) confirmed such results. During successive heat treatments, the bonding strength was improved with increased annealing temperatures up to $400^{\circ}C$, but debonding was observed at $450^{\circ}C$. The difference in thermal expansion coefficients between glass and Si wafer led debonding. When annealed at fixed temperatures(300 and $400^{\circ}C$), bonding strength was enhanced until 28 hours, but then decreased for further anneal. To find the cause of decrease in bonding strength in excessively long annealing time, the ion distribution at Si surface was investigated using SIMS(secondary ion mass spectrometry). tons such as sodium, which had been existed only in glass before annealing, were found at Si surface for long annealed samples. Decrease in bonding strength can be caused by the diffused sodium ions to pass the glass/si interface. Therefore, maximum bonding strength can be achieved when the cleaning procedure and the ion concentrations at interface are optimized in glass/Si wafer direct bonding.

Social web popular culture: repercussion or recapturing of feminism? (소셜웹 대중문화: 페미니즘의 반동인가, 포획인가?)

  • Kim, Yeran
    • Korean journal of communication and information
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    • v.62
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    • pp.5-29
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    • 2013
  • This study criticizes the neoliberal dominance in social web popular culture from a feminist perspective. A key question is to identify the nature of the social web popular culture-is it the repercussion or recapturing of feminism in relation to the social context of the prevalence of popular cultural practices of neoliberalism and how to challenge against neoliberal ideology with the critical positioning of feminism? In dealing with these questions, four celebrities' twitter discourses are analysed. The emphasis of smartness in digital mediascape, neoliberal imperative to be competitive, autonomous, positive and affirmative, and desire and fantasy brought by postfeminist lifestyle industries are embedded in the present popular culture. The critical account of neoliberal postfeminism suggests the necessity of an critical feminism which brings about alternative values to the current neoliberal demand for the active subject and consumer freedom of choice as the standard of ideal women.

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Die stress and Process of Analysis for Condenser Tube Extrusion by using a Porthole Die (포트홀 다이를 이용한 컨덴서 튜브 직접압출 공정해석 및 금형강도 해석)

  • Lee, J. M.;lee, S. K.;Kim, B. M.;Jo, H. H.;Jo, H.
    • Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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    • 2002.05a
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    • pp.1030-1033
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    • 2002
  • In this study, it is important that we have an understanding of the metal flow for manufacturing condenser tube in porthole die extrusion, because this need to provide for household appliances market that is expected to grow into the major market of the cooling system hereafter. Condenser tube is mainly manufactured by conform exclusion. However, this method was not satisfied a series of the needs for manufacturing condenser tube as compared with porthole die extrusion. The deforming skill recently is required high-productivity, high-accuracy and reducing lead-time, thus it is essential to substitute conform exclusion by porthole die exclusion. Porthole die extrusion has many advantages such as improvement of productivity, reduction of production cost etc. In general, the porthole die extrusion process consists of three stages(dividing, welding and forming stages). In order to obtain the detailed mechanics, to assist in the design of proper die shapes and sizes, and to improve the quality of products, porthole die extrusion should be analyzed in as non-steady state as possible during the entire process to evaluate detailed metal flow, temperature distribution, welding pressure and extrusion lead, and therm stress analysis was practiced to obtain effective stress and elastic deformation value. A analytical results provide useful information the optimal design of the porthole die for condenser tube.

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An Unequal Wilkinson Power Divider Using Defected Ground Structure in Double Layered Substrate (이중 기판 결함 접지 구조를 이용한 비대칭 월킨슨 전력 분배기)

  • Lim, Jong-Sik;Koo, Jae-Jin;Oh, Seong-Min;Jeong, Yong-Chae;Ahn, Dal
    • The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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    • v.18 no.11
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    • pp.1291-1298
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    • 2007
  • A novel 1:4 unequal wilkinson power divider using rectangular-shaped defected ground structure(DGS) in double layered substrate is proposed for removing the ground problem of DGS in packaging. Rectangular-shared DGS produces the transmission line having much higher characteristic impedance than standard microstrip line. The proposed unequal divider is composed of DGS and double layered substrate in order to be free from the ground problem of DGS patterns in packaging in metal housings. The second substrate is attached to the first substrate which contains DGS pattern on its ground plane at the bottom side to form the double layered substrate. In order to show the validity of the proposed DGS in the double layered substrate, a 1:4 unequal power divider is designed and measured. The predicted and measured performances are shown with an excellent agreement between them.

설계 최적화를 위한 CFD와 CAD의 접합(Integration)

  • 백영렬
    • Journal of the KSME
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    • v.44 no.2
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    • pp.23-25
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    • 2004
  • 이 글에서는 CFD의 효율적인 적용 및 사용을 통하여 제품의 설계와 생산 공정의 최적화가 어떻게 구현될 수 있으며 CFD를 이용한 최적화 과정 에서 걸림돌이 되는 것들로는 어떤 요소들이 있는 지 관하여 다루고자 한다. CFD와 같은 CAE tool 을 이용한 설계 과정의 최적화는 최신의 기술을 장착하고 있는 상업용 CFD 소프트웨어들에 의하여 가능하며 이들 코드들에 관한 특성들도 이 글 에셔 취급하고자 한다. 잘 알려진 바와 같이 제품 의 초기 개념 설계 단계에서부터 계획 및 상세설계에 이르기까지 각 단계에서 최적의 조건을 구하 기 위해서는 주어진 구속조건에서 변수들에 관한 반복적인 시뮬레이션이 수행되어야 한다. 이러한 과정에서 각각의 조건에 관한 시뮬레이션 과정이 시간이 비교적 많이 소요되는 수동적인 방법으로 이루어질 경우 최적화는 불가능하다. 즉 각 설계 변수의 최적화 조건을 구하기 위하여 CAE과정에 서 자동화(automation)은 필수적일 것이다. 전산 유체 역학(computational fluid dynamics)은 지난 30여 년 동안 다양한 유체유통 및 열전달 분야에서 사용되어져 오고 있는 시뮬레이션 기술이 다. 산업분야에서 CFD에 대한 요구가 증대됨에 따라 20여 년 전부터 상업용 CFD 코드가 등장하기 시작하였으며 근래 들어서는 약 80여 종류의 상업용 CFD 코드가 자동차, 전자, 화공, 건설, 조 선, 제강과 같은 여러가지 종류의 산업분야에서 이용되어 오고 있다 하지만 상업용 CFD 코드가 고가인 이유 때문에 비교적 풍부한 예산이 확보된 대기업 및 국책 연구소 중심으로 이에 관한 사용 자 층은 매우 제한적이었다. 아울러 사용상의 난 점 때문에 CFD를 전공한 전문가 집단 위주로 사 용되어 오고 있다. 이런 측면에서 볼 때 설계 분야 에 종사하는 엔지니어들이 CFD를 이용하여 설계를 하는 데는 상당한 괴리감이 존재하게 된다. 전 통적으로 CFD와 같은 해석은 설계에 대한 타당서 검증의 목적으로 설계 사이클에서 맨 마지막에 수행되어져 왔기 때문에 CFD가 설계에 직접적인 도움을 주지 못하고 보조의 역할밖에 하지 못하는 수몽척인 도구로 여겨져 왔다. 이려한 설계 경향 은 CFD가 설계 과정에서 요구하는 시간 내에 시뮬레이션이 불가능하기 때문에 나타난 현상이다 상기에서 언급된 문제점인 시abf레이션의 시간 단 축은 설계 부서 에서 사용되는 CAD 도구와 CFD와 같은 CAE tool을 적절하게 접목함으로써 (integration) 가능할 것이다. 이후에서는 CFD의 시뮬레이션 과정을 자동화하기 위하여 고려되어 야 할 요소들에는 어떤 것들이 있는지에 관하여 알아보고자 한다.

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Japanese and Chinese Journalists' Views on Anti-Korean Wave (일본과 중국 언론인들의 반한류 인식)

  • Kim, Eunjune;Kim, Sujeong
    • The Journal of the Korea Contents Association
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    • v.16 no.6
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    • pp.802-813
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    • 2016
  • This study examined the Japanese and Chinese journalist's views on anti-Korean wave, who are the public and authoritative discourse producers in Japan and China, respectively. In so doing, the study aims to understand the ways in which the phenomena of anti-Korean wave take place and are diffused. According to the findings, anti-Korean wave in north-east Asia is affected by anti-Korea sentiments that have been induced from historical and political relations as well as cultural conflicts. In specific, the anti-Korea sentiments found in both Japan and China are geopolitical particularity and historical relations function to frame their cultural receptions of Korean pop culture. In other words, the phenomena of anti-Korean wave in both countries do not stem directly from local audiences' either discontents or apathy on Korean pop contents. However, while Japanese anti-Korean wave seems to be mere expressions of anti-Korea sentiments, Chinese sentiments of anti-Korean wave are triggered and transferred by, or articulated with their anti-Korea sentiments.

Characterization of ZnO/MgZnO heterojunction grown by thermal evaporation (열기상증착법으로 성장된 ZnO/MgZnO 이종접합 나노막대의 물성분석)

  • Kong, Bo-Hyun;Jun, Sang-Ouk;Kim, Yung-Yi;Kim, Dong-Chan;Cho, Hyung-Koun;Kim, Hong-Seung
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2006.11a
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    • pp.11-11
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    • 2006
  • ZnO는 넓은 밴드갭(3.37eV)과 큰 액시톤(exciton) 결합에너지(60meV)를 가지는 II-VI족 화합물 반도체이다[1]. 이와같은 특성은 상온에서도 높은 재결합 효율이 기대되는 엑시톤 전이가 가능하여 자발적인 발광특성 및 레이저 발진을 위한 낮은 임계전압을 가져 일광효율이 큰 장점이 있다. 최근에는 ZnO의 전기적, 광학적, 자기적 특성을 높이기 위해 doping에 대한 연구가 많이 보고 되고 있다. 이중 ZnO내에 Mg을 doping하게 되면 Mg 조성에 따라 밴드갭이 3.3~7.7eV까지 변하게 된다. 그러나 이원계 상평형도에 따라 ZnO내에 고용될 수 있는 MgO의 고용도는 4at% 이하이다. 이는 ZnO는 Wurtzite 구조이고, MgO는 rocksalt 구조로 각각 결정구조가 다르기 때문이다. 본 연구는 열기상증착방법(thermal evaporation)으로 ZnO 템플레이트를 이용하여 MgZnO 나노막대를 합성하였고, Zn와 Mg의 서로 다른 녹는점을 이용해 2-step으로 성장을 하였다. 합성은 수평로를 사용하였으며, 반응온도 550, $700^{\circ}C$로 2-step으로 하였으며, 소스로 사용된 Zn(99.99%)과 Mg(99.99%) 분말을 산소를 직접 반응시켜 합성하였다. Ar 가스와 O2 가스를 각각 운반가스와 반응가스로 사용하였다. ZnO 템플레이트 위에 성장시킨 1차원 MgZnO 나노구조의 형태 및 구조적 특성을 FESEM과 TEM으로 분석하였다. 그리고 결정학적 특성은 XRD를 이용해 분석하였다.

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