• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.42 no.3 s.274
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• pp.178-181
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• 2005

Silicon oxynitride (SiON) layers deposited upon a $SiO_2/Si$ buffer layer placed upon silicon wafers have been obtained by using PECVD from $SiH_4,\;N_2O$, and $N_2$. It can be seen that the refractive index, measured by using a prism coupler, for the SiON films can be varied between 1.4480 and 1.4958 at a wavelength of 1552 nm by changing the process parameters. Optical planar waveguides with a thickness of $6{\mu}m$ and a refractive index contrast ($\Delta$n) of $0.36\% have been deposited. Also, etching experiments were performed using ICP dry etching equipment on thick SiON films grown onto Si substrates covered by a thick $SiO_2$ buffer layer. A polarization maintaining single-mode fiber was used for the input and a microscope objective for the output at $1.55{\mu}m$. As a result, a low index contrast SiON based waveguide is fabricated with easily adjustable refractive index of core layer. It illustrates that the output intensity mode is a waveguiding single-mode.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.25-26
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• 2009

Pulsed-PECVD를 이용하여 상온에서 실리콘 나이트라이드(SiN) 박막을 증착하였다. 본 연구에서는, 60-100%의 duty ratio 변화에 따른 굴절률을 살펴보고, 굴절률에 대한 이온에너지의 영향을 분석했다. RF 소스파워는 900W로 고정하였고 $SiH_4-N_2$를 이용하였다. 이온에너지에 대한 정보는 non-invasive 이온 분석기를 이용하여 수집하였다. 측정된 이온에너지 변수는 high ion energy, low ion energy, high ion energy flux, low ion energy flux이며, 이를 이용해 또 다른 변수인 ion energy flux ratio를 계산하였다. Duty ratio의 감소에 따라 굴절률은 일반적으로 감소하였다. 또한 duty ratio의 감소에 따라 high ion energy는 증가하였다. 한편, 60-80%에서 굴절률은 이온에너지 flux의 비에 강한 의존성을 보였으며, 60%를 제외한 모든 duty ratio 구간에서 굴절률은 Nl에 강하게 영향을 알고 있는 것으로 유추되었다. 굴절률은 1.508와 1.714 사이에서 변화하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.107-107
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• 2003

원자층 증착(ALD, Atomic Layer Deposition)기술은 기판 표면에서의 self-limiting reaction을 통해 매우 얇은 박막을 형성할 수 있고, 두께 및 조성 제어를 정확히 할 수 있으며, 복잡한 형상의 기판에서도 100%에 가까운 step coverage를 얻을 수 있어 초미세패턴의 형성과 매우 얇은 두께에서 균일한 물리적, 전기적 특성이 요구되는 초미세 반도체 공정에 적합하다. 특히 반도체의 logic 및 memory 소자의 gate 공정에서 절연막과 보호막으로, 그리고 배선공정에서는 층간절연막(ILD, Inter Layer Dielectric)으로 사용하는 silicon oxide 박막에 적용될 경우, LPCVD 방법에 비해 낮은 온도에서 증착이 가능해 boron과 같은 dopant들의 확산을 최소화하여 transistor 특성 향상이 가능하며, PECVD 방법에 비해 전기적·물리적 특성이 월등히 우수하고 대면적 uniformity 증가가 기대된다. 본 연구에서는 자체적으로 설계 및 제작한 장비를 이용하여 silicon oxide 박막을 ALD 방법으로 증착하고 그 특성을 살펴보았다. 먼저, cycle 수에 따른 증착 박막 두께의 linearity를 통해서 원자층 증착(ALD)임을 확인할 수 있었으며, reactant exposure(L)와 증착 온도에 따른 deposition rate 변화를 알아보았다 Elipsometer를 이용해 증착된 silicon oxide 박막의 두께 및 굴절률과 그 uniformity를 관찰하였고, AES 및 XPS 분석 장비로 박막의 조성비와 불순물 성분을 살펴보았으며, 증착 박막의 치밀성 평가를 위해 HF etchant로 wet etch rate를 측정하여 물리적 특성을 정리하였다. 특히, 기존의 박막 증착 방법인 LPCVD와 PECVD에 의한 silicon oxide박막의 물성과 비교, 평가해 보았다. 나아가 적절한 촉매 물질을 선정하여 원자층 증착(ALD) 공정에 적용하여 그 효과도 살펴보았다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2002.07a
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• pp.46-47
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• 2002

Flame Hydrolysis Deposition (FHD) 공정은 SiC1$_4$, GeCl$_4$, POC1$_3$, BCl$_3$ 등의 원료를 사용하여 Si wafer 및 유리기판 위에 silicate soot를 증착하는 방법이며, 증착된 soot는 고온에서 소결과정을 거쳐 B$_2$O$_3$-P$_2$O$_{5}$ -GeO$_2$-SiO$_2$(BPGS)계 유리막으로 형성된다. 유리막의 굴절률은 SiC1$_4$, GeCl$_4$, POC1$_3$, BCl$_3$ 등의 원료 유량을 조절하여 변화가능하며 이를 이용하여 광도파로를 제작할 수 있다 특히 광통신에 사용할 수 있는 광증폭기 등의 능동형 광소자 제작을 위해서는 FHD공정을 통해 형성된 soot에 Er$^{3+}$ 등의 희토류 원소를 첨가하여야 한다. (중략)

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 1999.06a
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• pp.934-937
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• 1999

MMIC 제작을 위한 단일 반도체 공정으로써 PECVD를 이용한 Si₃N₄의 증착, RIE를 이용한 CaAs via-hole건식식각, 그리고 airbridge 공정조건을 위한 실험 및 분석 작업을 수행하였다. Si₃N₄의 증착 실험에서는 굴절률이 2인 조건을, GaAs via-hole 식각 실험에서는 최적화된 thru-via의 모양과 식각률을 갖는 조건을, airbridge 실험에서는 polyimide coating 및 건식 식각 조건과 금 도금 및 습식 식각의 최적 조건들을 찾아내었다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.17 no.5
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• pp.43-47
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• 1980

Transparent conducting films of In2O3 were fabricated by elect yon beam evaporation method in an oxygen atmosphere of -10-4 Torr., and the optimum conditions of film deposition, as well as their electrical and optical properties were measured and analysed. Evaporation rate of 3~7A/sec, substrate temperature of over 30$0^{\circ}C$, and SnO2 doping of 2~5wt. % were the optimum deposition conditions. Under these conditions , the resistivities of the films were 2$\times$10-4 $\Omega$.cm and the visible transmittances were 85~90%.

• Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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• v.30 no.2
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• pp.52-58
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• 2002

Measurment of dynamic strain is important to monitor structural integrity. In this paper, the new type of EFPI is proposed to measure the dynamic strain. The second reflecting surface of fiber in this new sensor is deposited gold on to increase its reflectivity. So, it is called the gold-deposited EFPI (G-EFPI) in this paper. In order to explain the principle of measurement of the dynamic strain, two models for the loss of intensity are proposed and an experiment is performed. If a cavity between two reflecting surface increases, the loss of the light that passes through the cavity increases, causing a subsequent decrease in the output intensity of the sensor. Conversely, if the cavity decreases, the amount of loss decreases and the output intensity increases. Also the optimal length of the cavity is proposed to manufacture the G-EFPI with high sensitivity. Finally, the dynamic strainof a composite specimen was measured successfully using the G-EFPI.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.148-148
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• 2009

반도체 소자의 크기가 45 nm 이하로 감소함에 따라 최소 선폭에 따른 다층 배선 연결 구조가 요구되고 있다. 그러나 고집적화 구조는 기생 저항과 정전 용량에 의한 신호지연증가 및 혼선 전력 소모의 문제가 발생한다. 이런 문제를 해결하기 위한 방법 중의 하나는 저저항 배선연결물질과 층간 절연막으로 저유전 상수를 갖는 물질을 사용하는 것이다. 본 연구는 DEMS $(H-Si(CH_3)(OC_2H_5)_2)$ 전구체를 이용하여 저유전막을 증착할 때 사용되는 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) 장비를 국내 기술로 개발하고 개발된 장비로 저유전박막을 평가한 것에 관한 것이다. 본 연구에서 평가 및 박막 종확 시 사용한 장비는 MAHA hp 1 type ((주)아토)로서 양산용 PECVD 장비이다. 변수는 C-He의 유랑, 300 mm Si 웨이퍼와 shower head 사이의 거리, 증착 압력, 구동 전력이고, 증착된 저유전막의 두께, 두께의 균일성, 굴절률, 굴절률의 균일성를 평가하였다. 구동 전력이 500W 일 때, C-He의 유량과 진공의 크기를 감소시키면 박막의 두께가 감소하고 박막의 균일성은 증가하였다. C-He의 유량을 증가시키고 shower head 와 Si 웨이퍼 사이의 거리 및 구동 압력을 감소시키면 굴절률과 굴절률의 균일성이 모두 저하되었다. 구동 전력이 700W 일 때, 박막 두께의 경우, 구동 전력이 500W 일 때의 결과와 유사하지만, 박막의 균일성, 굴절률, 굴절률의 균일성은 모든 조건에서 저하되었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2008.02a
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• pp.200-200
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• 2008

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.05a
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• pp.103-104
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• 2015

정확한 두께와 조성 제어, 훌륭한 재현성의 박막을 형성할 수 있는 Atomic layer deposition 방법으로 증착시킨 ZnO 박막은 여러 분야에 적용될 수 있기 때문에 최근 많은 주목을 받고 있다. ALD-ZnO 박막을 형성하기 위하여 가장 흔히 사용되는 전구체 (precursor)와 반응체 (reactant)는 DEZ(DiethylZinc)와 $H_2O$이다. 그러나 DEZ 전구체를 사용한 ALD-ZnO 박막은 낮은 열적 안정성이 문제로 지적되어져 왔으며, 또한 여러 분야의 적용 및 산업화를 위해서는 높은 증착률, 큰 범위의 전기적 저항, 높은 투과도가 필요로 한다. 본 연구에서는 atomic layer deposition 기법을 통해 열적 안정성을 가진 새로운 전구체인 DEZDMEA ($Et_2Zn:NEtMe_2$)을 사용하여 ZnO 박막을 증착하였다. DEZDMEA ($Et_2Zn:NEtMe_2$) 및 $H_2O$ 주입 시간에 따른 증착률와 전기적 성질, 투과도를 조사하였다.